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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

什么是JESD204,我們?yōu)槭裁匆P(guān)注它

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2022-12-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體lvds 5.6k 0

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半導(dǎo)體開關(guān)器件晶閘管的特點(diǎn)及應(yīng)用分析

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氮化鎵外延片是什么 氮化鎵有哪些分類

氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片,它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性,可以用于制造高精度的零件和...

2023-02-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電子器件氮化鎵 5.6k 0

納米技術(shù)的發(fā)展歷程和制造方法

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納米技術(shù)是一個(gè)高度跨學(xué)科的領(lǐng)域,涉及在納米尺度上精確控制和操縱物質(zhì)。集成電路(IC)作為已經(jīng)達(dá)到納米級(jí)別的重要技術(shù),對(duì)社會(huì)生活產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。晶體管器件...

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什么是N型單導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體

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N型單導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料,它們具有不同的電子特性和導(dǎo)電能力。

2024-02-06 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 5.5k 0

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PMOS(Positive channel Metal Oxide Semiconductor,P 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝制程技術(shù)是最早出現(xiàn)的MOS...

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 半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體器件在世界電子工業(yè)發(fā)展扮演的角色我們前幾天已經(jīng)聊過了。而往往身為使用者的我們都不太會(huì)去關(guān)注它成品之前的過程,接下來我們就聊聊其工藝流...

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在高遷移率的GaAs量子阱上實(shí)現(xiàn)了低無序半導(dǎo)體AG

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回顧半導(dǎo)體技術(shù)趨勢(shì)及其對(duì)光刻的影響分析與應(yīng)用

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在19世紀(jì)末期,消費(fèi)類產(chǎn)品包括照明、加熱、電話和電報(bào)等一些簡(jiǎn)單的電路。但是無線電的發(fā)明和對(duì)于能夠整流和放大信號(hào)的電器元件的需求推動(dòng)了真空管的發(fā)明。

2024-03-11 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體晶體管 5.5k 0

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之前金譽(yù)半導(dǎo)體有科普過由于芯片封裝結(jié)構(gòu)上的不同,從而產(chǎn)生了非常多的封裝類型,比如說QFN方形扁平無引腳封裝、BGA 球柵陣列封裝、SOP 小外形外殼裝、...

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TTL(Transistor-Transistor Logic)反相器是數(shù)字電路中的一種基本元件,屬于TTL電路的重要組成部分。TTL電路是一種由半導(dǎo)體...

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隨著半導(dǎo)體材料和工藝的不斷發(fā)展,微波/毫米波功率半導(dǎo)體器件的輸出功率量級(jí)越來越大, L 波段功率晶體管的脈沖功率已達(dá)千瓦量級(jí); X波段功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管...

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半導(dǎo)體制冷技術(shù)(ThermoelectricCooling,TEC)作為一種基于熱電效應(yīng)的新型溫控解決方案,憑借其無機(jī)械運(yùn)動(dòng)、精準(zhǔn)控溫、環(huán)保無污染等特性...

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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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