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封裝技術(shù)

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所謂“封裝技術(shù)”是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。以CPU為例，實(shí)際看到的體積和外觀并不是真正的CPU內(nèi)核的大小和面貌，而是CPU內(nèi)核等元件經(jīng)過(guò)封裝后的產(chǎn)品。

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封裝技術(shù)技術(shù)

封裝技術(shù)的發(fā)展歷程存儲(chǔ)器容量需求是否影響芯片技術(shù)

扇出型晶圓級(jí)封裝（Fan-out wafer-level packaging, 簡(jiǎn)稱Fan-out WLP）：通過(guò)擴(kuò)展芯片，在外部區(qū)域形成一個(gè)用于外部連...

2023-04-08 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器封裝技術(shù) 2.1k 0

封裝工藝中的倒裝封裝技術(shù)

業(yè)界普遍認(rèn)為，倒裝封裝是傳統(tǒng)封裝和先進(jìn)封裝的分界點(diǎn)。

2025-05-13 標(biāo)簽：芯片封裝技術(shù)BGA 2.1k 0

先進(jìn)封裝技術(shù)：BGA的焊球布線結(jié)構(gòu)圖

BGA的焊球分布有全陣列和部分陣列兩種方法。全陣列是焊球均勻地分布在基板整個(gè)底面;部分陣列是焊球分布在基板的周邊、中心部位，或周邊和中心部位都有。

2023-09-06 標(biāo)簽：單芯片封裝技術(shù)BGA 2.1k 0

先進(jìn)封裝：成后摩爾時(shí)代提升性能的主要技術(shù)

封裝技術(shù)的發(fā)展史是芯片性能不斷提高、系統(tǒng)不斷小型化的歷史。封裝是半導(dǎo)體晶圓制造的后道工序之一，目的是支撐、保護(hù)芯片，使芯片與外界電路連接、增強(qiáng)導(dǎo)熱性能等...

2023-06-11 標(biāo)簽：pcb 封裝技術(shù)后摩爾時(shí)代 2k 0

芯片互聯(lián)技術(shù)有哪幾種?分別解釋說(shuō)明

盡管先進(jìn)封裝非常復(fù)雜并且涉及多種技術(shù)，但互連技術(shù)仍然是其核心。本文將介紹封裝技術(shù)的發(fā)展歷程以及 SK 海力士最近在幫助推動(dòng)該領(lǐng)域發(fā)展方面所做的努力和取得的成就。

2023-08-20 標(biāo)簽：芯片摩爾定律封裝技術(shù) 2k 0

半導(dǎo)體先進(jìn)封裝Wafer技術(shù)的深度解析

摩爾定律是由英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)提出來(lái)的。其內(nèi)容為;集成電路上可容納的品體管數(shù)目，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將...

2024-03-29 標(biāo)簽：英特爾摩爾定律封裝技術(shù) 2k 0

攻克可穿戴醫(yī)療存儲(chǔ)器件封裝難題

可穿戴醫(yī)療設(shè)備通常設(shè)計(jì)得盡可能隱蔽。因此，在盡可能小的封裝中達(dá)到所需的存儲(chǔ)密度非常必要。種種創(chuàng)新要求在有限的外形尺寸中存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)。要滿足這一點(diǎn)，許多...

2014-10-23 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器封裝技術(shù)可穿戴醫(yī)療 2k 0

利用了村田獨(dú)家封裝技術(shù)的顆粒篩選技法

晶體諧振器是靠坯料（晶體坯）的高Q值來(lái)1來(lái)獲得任意穩(wěn)定頻率的電子部件。但是，正因?yàn)镼值高，如果坯料表面上附著有顆粒，通過(guò)壓電特性而得到的振動(dòng)就會(huì)被阻礙，...

2016-04-27 標(biāo)簽：封裝技術(shù)村田晶體諧振器 1.9k 0

金屬封裝中陶瓷基板的熱匹配設(shè)計(jì)優(yōu)化方案

隨著微電路單元的組裝密度越來(lái)越高，發(fā)熱量越來(lái)越大，對(duì)封裝外殼的要求也日益提高。

2023-06-08 標(biāo)簽：封裝技術(shù)陶瓷基板 1.9k 0

全面揭曉Meteor Lake關(guān)鍵技術(shù)

今年Intel Innovation（英特爾on技術(shù)創(chuàng)新大會(huì)）應(yīng)該算是場(chǎng)大戲了，尤其是對(duì)PC處理器而言——主要是因?yàn)镸eteor Lake的全面揭曉。我...

2023-10-08 標(biāo)簽：處理器 amd 封裝技術(shù) 1.8k 0

碳化硅功率器件封裝技術(shù)解析

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些...

2023-09-24 標(biāo)簽：封裝技術(shù)BGA 功率器件 1.8k 0

PFIB技術(shù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的應(yīng)用

新一代封裝技術(shù)中出現(xiàn)了嵌入多個(gè)芯片的復(fù)雜系統(tǒng)設(shè)計(jì)。倒裝芯片和銅柱互連、多MEMS-IC系統(tǒng)以及新型傳感器設(shè)計(jì)等技術(shù)的出現(xiàn)，都體現(xiàn)了這一演變趨勢(shì)。這種技術(shù)...

2025-03-18 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體封裝技術(shù) 1.8k 0

C語(yǔ)言面向?qū)ο蟮乃囆g(shù)

所謂封裝，通俗地說(shuō)，就是一個(gè)姑娘化了妝，只給你看她想讓你看的那一面，至于里面是否刮了骨、墊了東西，不給你看。說(shuō)到封裝就得說(shuō)隱藏，這是對(duì)兄弟概念；其實(shí)我理...

2023-06-14 標(biāo)簽：封裝技術(shù)C語(yǔ)言 C++語(yǔ)言 1.8k 0

柔性可拉伸封裝技術(shù)領(lǐng)域研究成果

研究團(tuán)隊(duì)?wèi)?yīng)用該液態(tài)金屬密封復(fù)合材料對(duì)基于水系電解質(zhì)的可拉伸鋰離子電池進(jìn)行封裝和性能測(cè)試（圖2A, B）。測(cè)試發(fā)現(xiàn)，在自然未拉伸狀態(tài)下，封裝的鋰離子電池可...

2023-02-06 標(biāo)簽：鋰離子電池封裝技術(shù)復(fù)合材料 1.8k 0

智能手機(jī)SoC扇出技術(shù)（Fan-Out）的應(yīng)用與探索

扇出技術(shù)是一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，能允許在晶圓級(jí)封裝之外的區(qū)域形成額外的I/O（輸入/輸出）點(diǎn)，從而提高芯片的性能和功能。與傳統(tǒng)的晶圓級(jí)封裝相比，扇出技術(shù)提...

2024-04-28 標(biāo)簽：智能手機(jī)soc 封裝技術(shù) 1.8k 0

微電子封裝技術(shù)簡(jiǎn)介

微電子封裝基本類型每15年左右變更一次。

2023-10-26 標(biāo)簽：集成電路封裝技術(shù)BGA 1.8k 0

積層多層板的歷史、特點(diǎn)和關(guān)鍵技術(shù)

積層多層板的制作方式是在絕緣基板或傳統(tǒng)板件（雙面板、多層板）表面交替制作絕緣層、導(dǎo)電層及層間連接孔，通過(guò)多次疊加形成所需層數(shù)的多層印制板。

2025-08-15 標(biāo)簽：封裝技術(shù)多層板 1.8k 0

半導(dǎo)體封裝技術(shù)研究

本文以半導(dǎo)體封裝技術(shù)為研究對(duì)象，在論述半導(dǎo)體封裝技術(shù)及其重要作用的基礎(chǔ)上，探究了現(xiàn)階段半導(dǎo)體封裝技術(shù)的芯片保護(hù)、電氣功能實(shí)現(xiàn)、通用性、封裝界面標(biāo)準(zhǔn)化、散...

2023-05-16 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體封裝 1.8k 0

開關(guān)電源功率器件熱設(shè)計(jì)

開關(guān)電源熱設(shè)計(jì)是指在開關(guān)電源的設(shè)計(jì)過(guò)程中，通過(guò)合理的熱設(shè)計(jì)技術(shù)，使電源能夠在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)正常工作。開關(guān)電源熱設(shè)計(jì)的主要技術(shù)包括熱封裝技術(shù)、冷封裝技術(shù)...

2023-02-16 標(biāo)簽：開關(guān)電源封裝技術(shù)熱設(shè)計(jì) 1.7k 0

倒裝芯片和晶片級(jí)封裝技術(shù)的區(qū)別

半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步大大提高了芯片晶體管數(shù)量和功能, 這一集成規(guī)模在幾年前是無(wú)法想象的。因此, 如果沒(méi)有 IC 封裝技術(shù)快速的發(fā)展, 不可能實(shí)現(xiàn)便攜式電子產(chǎn)...

2023-12-15 標(biāo)簽：封裝技術(shù)IC封裝倒裝芯片 1.7k 0

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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶喜愛(ài)。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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