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標(biāo)簽 > 工藝
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隨著電子行業(yè)的不斷發(fā)展,產(chǎn)品的不斷升級,為了節(jié)省板子的空間,許多板子在設(shè)計的時候的線都已經(jīng)非常小了,以前的濕膜已經(jīng)不能滿足現(xiàn)在的圖形轉(zhuǎn)移工藝了,現(xiàn)在一般...
目前,微電子產(chǎn)業(yè)已經(jīng)逐步演變?yōu)樵O(shè)計、制造和封裝三個相對獨(dú)立的產(chǎn)業(yè)。微電子封裝技術(shù)即半導(dǎo)體封裝技術(shù),又稱先進(jìn)集成電路封裝。半導(dǎo)體封裝包括組裝(Assemb...
近年來GOB封裝技術(shù)在LED行業(yè)的應(yīng)用層出不窮,不僅為行業(yè)帶來了新的演進(jìn)方向,也為產(chǎn)品在各個領(lǐng)域的應(yīng)用帶來了實(shí)實(shí)在在的好處。
光刻法是微電子工藝中的核心技術(shù)之一,常用于形成半導(dǎo)體設(shè)備上的微小圖案。過程開始于在硅片上涂布光刻膠,隨后對其進(jìn)行預(yù)熱。接著,選擇一種光源(如深紫外光或X...
阱區(qū)注入的工藝說明如下圖所示,是高能量離子注入過程,因?yàn)樗枰纬哨鍏^(qū)建立MOS晶體管。NMOS晶體管形成于P型阱區(qū)內(nèi),而P型晶體管形成于N型阱區(qū)。
旋轉(zhuǎn)圓盤與旋轉(zhuǎn)輪類似,不同之處在于旋轉(zhuǎn)圓盤不是擺動整個圓盤,而是用掃描離子束的方式在整個晶圓表面獲得均勻的離子注入。下圖說明了旋轉(zhuǎn)圓盤系統(tǒng)。
晶圓表面的潔凈度對于后續(xù)半導(dǎo)體工藝以及產(chǎn)品合格率會造成一定程度的影響,最常見的主要污染包括金屬、有機(jī)物及顆粒狀粒子的殘留,而污染分析的結(jié)果可用以反應(yīng)某一...
使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn),探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對晶片表面粗糙度...
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上,經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜,襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片,可進(jìn)...
集成電路前道工藝及對應(yīng)設(shè)備主要分八大類,包括光刻(光刻機(jī))、刻蝕(刻蝕機(jī))、薄膜生長(PVD-物理氣相沉積、CVD-化學(xué)氣相沉積等薄膜設(shè)備)、擴(kuò)散(擴(kuò)散...
近幾年塑料行業(yè)發(fā)展越來越迅速,其中注塑行業(yè)也正迎來一個飛速發(fā)展的機(jī)遇。但同時行業(yè)內(nèi)的競爭也日漸激烈,各廠家除了重視產(chǎn)品質(zhì)量和品牌外,也越來越重視生產(chǎn)成本的控制。
半導(dǎo)體工藝與制造裝備技術(shù)發(fā)展趨勢
摘 要:針對半導(dǎo)體工藝與制造裝備的發(fā)展趨勢進(jìn)行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術(shù)發(fā)展的角度,分析半導(dǎo)體工藝與制造裝備的總體發(fā)展趨勢,重點(diǎn)介紹集成電路...
低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù)是一種新型多層基板工藝技術(shù),采用了獨(dú)特的材料體系,因其燒結(jié)溫度低,可與金屬導(dǎo)體共燒,從而提高了電子器件性能。該技術(shù)已廣泛應(yīng)用...
細(xì)間距小尺寸的焊盤鍵合工藝是微波組件自動鍵合工藝面臨的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸。針對具體產(chǎn)品,分析了細(xì)間距小尺寸焊盤的球焊鍵合的工藝控制要點(diǎn),提出了改進(jìn)劈刀結(jié)構(gòu)、改...
電池包解析:殼體結(jié)構(gòu)設(shè)計及連接工藝
電池包殼體輕量化,對于提升電池包能量密度有著重大意義。
2023-05-11 標(biāo)簽:工藝焊接結(jié)構(gòu)設(shè)計 4.3k 0
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