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標(biāo)簽 > 工藝
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化學(xué)氣相沉積法碳化硅外延設(shè)備技術(shù)進展
碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來隨著外延設(shè)備和工藝技術(shù)水平不斷 提升,外延膜生長速率和品質(zhì)逐步提高,碳化硅在...
LTCC基板三大關(guān)鍵工藝問題的優(yōu)化方案
現(xiàn)代LTCC技術(shù)是將低溫?zé)Y(jié)陶瓷粉制成厚度精確而且致密的生瓷帶,在生瓷帶上利用激光打孔、微孔注漿和精密導(dǎo)體漿料印刷等工藝制出所設(shè)計的電路版圖,并將多個元...
模具溫度40~50℃,注射壓力:200~600bar,注射速度建議使用快速的注射速度,流道和澆口可以使用所有常規(guī)類型的澆口。PS料在加工前,除非儲存不當(dāng)...
外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講,外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造,...
如何處理撓性電路,適應(yīng)不同系統(tǒng)間的在線傳送帶傳輸?
將表面貼裝元件直接集成到撓性電路的蝕刻銅焊盤圖形上,與剛性電路板的組裝工藝沒有什么不同。然而為了最大限度地提高機器人組裝效率,提高撓性電路的產(chǎn)量,電路設(shè)...
在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中,動態(tài)隨機存儲器(DRAM)和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器...
金絲鍵合是微組裝制造工藝的關(guān)鍵工序,為解決電子產(chǎn)品金絲球焊合格率低的問題,根據(jù)金絲球焊的鍵合原理和工作過程,選取了鍵合壓力、超聲功率、超聲時間、加熱臺溫...
追求更小的 DRAM 單元尺寸(cell size)仍然很活躍并且正在進行中。對于 D12 節(jié)點,DRAM 單元尺寸預(yù)計接近 0.0013 um2。無...
選擇元器件時應(yīng)優(yōu)先考慮國產(chǎn)化的元器件,避免選擇國外定制或敏感度較高的器件,一旦發(fā)生突發(fā)狀況,將影響元器件的采購。原材料的選擇應(yīng)從材料的物理和化學(xué)特性多方...
在芯片制造制程和工藝演進到一定程度、摩爾定律因沒有合適的拋光工藝無法繼續(xù)推進之時,CMP技術(shù)應(yīng)運而生,是集成電路制造過程中實現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝。...
詳解三維NAND集成工藝(3D-NAND Integration Technology)
在20nm 工藝節(jié)點之后,傳統(tǒng)的平面浮柵 NAND 閃速存儲器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而達到了微縮的極限。為了實現(xiàn)更高的存儲容量,NAND集...
與濕式刻蝕比較,等離子體刻蝕較少使用化學(xué)試劑,因此也減少了化學(xué)藥品的成本和處理費用。
燒滲法也叫被銀法。這種方法是在陶瓷的表面燒滲一層金屬銀,作為電容器、濾波器的電極或集成電路基片的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。銀的導(dǎo)電能力強,抗氧化性能好,在銀面上可直接焊...
熱平衡等離子體中,電子和離子的能量服從玻爾茲曼分布(見下圖)。電容耦合型等離子體源的平均電子能量為2?3eV。等離子體中離子能量主要取決于反應(yīng)室的溫度,...
2022-12-12 標(biāo)簽:等離子體工藝半導(dǎo)體制造 2.7k 0
由下圖可以看出當(dāng)氣體密度較高時MFP較短(a);而當(dāng)氣體密度較低時,MFP就較長(b)。大粒子的截面積較大,掃過的空間也較大。與一般或較小的離子相比,大...
InAs/GaSb II類超晶格長波焦平面陣列臺面ICP刻蝕技術(shù)研究
基于GaSb材料,包括InAs、GaSb、AlSb等材料可以靈活地設(shè)計成各種新型材料和器件,尤其是InAs/GaSb超晶格具有獨特的II型能帶結(jié)構(gòu),可以...
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