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源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu)(Source/Drain Extension,SDE)在控制 MOS 器件的短溝道效應(yīng)中起到重要作用。SDE(源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu))引入了一個(gè)淺的...
玻璃通孔技術(shù)的五個(gè)獨(dú)特優(yōu)勢
TGV(Through Glass Via)工藝之所以選擇在玻璃上打孔,主要是因?yàn)椴Aг谝韵挛鍌€(gè)方面相較于硅具有獨(dú)特優(yōu)勢。
隨著集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷減小以及互連布線密度的急劇增加,互連系統(tǒng)中電阻、電容帶來的 RC耦合寄生效應(yīng)迅速增長,影響了器件的速度。圖2.3比較了不同技術(shù)...
在納米尺度集成電路制造領(lǐng)域,快速熱處理(RTP)技術(shù)已成為實(shí)現(xiàn)器件性能突破與工藝優(yōu)化的核心工具。相較于傳統(tǒng)高溫爐管工藝,RTP通過單片式作業(yè)模式與精準(zhǔn)的...
定向自組裝光刻技術(shù)的基本原理和實(shí)現(xiàn)方法
定向自組裝光刻技術(shù)通過材料科學(xué)與自組裝工藝的深度融合,正在重構(gòu)納米制造的工藝組成。主要內(nèi)容包含圖形結(jié)構(gòu)外延法、化學(xué)外延法及圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)。
為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾,提高器件的綜合性能和可靠性,在IGBT中引入了一種電子注入增強(qiáng)效應(yīng)(Injection Enha...
無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程
2010年,愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管,器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此,半導(dǎo)體界興起...
本文系統(tǒng)梳理了直寫式、多電子束與投影式EBL的關(guān)鍵技術(shù)路徑,涵蓋掃描策略、束流整形、鄰近效應(yīng)校正與系統(tǒng)集成等方面,并探討其在精度、效率與成本間的技術(shù)矛盾...
半導(dǎo)體選擇性外延生長技術(shù)的發(fā)展歷史
選擇性外延生長(SEG)是當(dāng)今關(guān)鍵的前端工藝(FEOL)技術(shù)之一,已在CMOS器件制造中使用了20年。英特爾在2003年的90納米節(jié)點(diǎn)平面CMOS中首次...
芯片內(nèi)互聯(lián)鍵合與超聲波壓焊技術(shù)解析
裝片工序完成后,芯片雖已穩(wěn)固于載體(基板或框架)之上,但其表面預(yù)設(shè)的焊盤尚未與封裝體構(gòu)建電氣連接,因而需通過內(nèi)互聯(lián)工藝實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。
為了提高高密度互連印制電路板的導(dǎo)電導(dǎo)熱性和可靠性,實(shí)現(xiàn)通孔與盲孔同時(shí)填孔電鍍的目的,以某公司已有的電鍍填盲孔工藝為參考,適當(dāng)調(diào)整填盲孔電鍍液各組分濃度,...
SiC的物理特性決定了其生長難度。在常壓環(huán)境下,SiC并無熔點(diǎn),一旦溫度攀升至2000℃以上,便會(huì)直接發(fā)生氣化分解現(xiàn)象。從理論層面預(yù)測,只有在壓強(qiáng)高達(dá)1...
裝片(Die Bond)作為半導(dǎo)體封裝關(guān)鍵工序,指通過導(dǎo)電或絕緣連接方式,將裸芯片精準(zhǔn)固定至基板或引線框架載體的工藝過程。該工序兼具機(jī)械固定與電氣互聯(lián)雙...
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