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工藝技術(shù)

ILD工藝的制造流程

ILD 工藝是指在器件與第一層金屬之間形成的介質(zhì)材料，形成電性隔離。ILD介質(zhì)層可以有效地隔離金屬互連線與器件，降低金屬與襯底之間的寄生電容，改善金屬橫...

2024-11-12 標簽：工藝晶體管介質(zhì)材料 5.3k 0

Salicide工藝的制造流程

Salicide 工藝是指在沒有氧化物覆蓋的襯底硅和多晶硅上形成金屬硅化物，從而得到低阻的有源區(qū)和多晶硅。

2024-11-11 標簽：晶圓工藝刻蝕 3.9k 0

SiC的離子注入工藝及其注意事項

離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂?。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。

2024-11-09 標簽：工藝制造 SiC 2.1k 0

源漏離子注入工藝的制造流程

與亞微米工藝類似，源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重摻雜的工藝，降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻，提高器件的速度。同時源漏離子注入也會形成n型和p型阱接...

2024-11-09 標簽：晶圓工藝離子注入 2.2k 0

側(cè)墻工藝是什么意思

與亞微米工藝類似，側(cè)墻工藝是指形成環(huán)繞多晶硅的氧化介質(zhì)層，從而保護LDD 結(jié)構(gòu)，防止重摻雜的源漏離子注入到LDD結(jié)構(gòu)的擴展區(qū)。側(cè)墻是由兩個主要工藝步驟形...

2024-11-09 標簽：集成電路工藝蝕刻 2.6k 0

一文看懂SGT MOSFET的市場前景

uSGT MOSFET的市場前景 SGT-MOS的全稱是“Split Gate Trench-MOSFET”，中文叫屏蔽柵溝槽型功率 MOSFET。SG...

2024-11-08 標簽：MOSFET 半導體工藝 1.4萬 0

多晶硅柵工藝的制造流程

與亞微米工藝類似，多晶硅柵工藝是指形成 MOS器件的多晶硅柵極，柵極的作用是控制器件的關(guān)閉或者導通。淀積的多晶硅是未摻雜的，它是通過后續(xù)的源漏離子注入進...

2024-11-07 標簽：晶圓工藝 MOS 3k 0

柵氧化層工藝的制造流程

與亞微米工藝類似，柵氧化層工藝是通過熱氧化形成高質(zhì)量的柵氧化層，它的熱穩(wěn)定性和界面態(tài)都非常好。

2024-11-05 標簽：晶圓工藝光刻 2.7k 0

什么是等離子體

等離子體，英文名稱plasma，是物質(zhì)的第四態(tài)，其他三態(tài)有固態(tài)，液態(tài)，氣態(tài)。在半導體領(lǐng)域一般是氣體被電離后的狀態(tài)，又被稱為‘電漿’，具有帶電性和流動性的特點。

2024-11-05 標簽：芯片等離子體工藝 3.7k 0

離子注入工藝的工作原理

單晶硅是一種絕緣體，因此它本身并不具備導電性。那么，我們該如何使它能夠?qū)щ娔?？讓我們來看一下硅的微觀結(jié)構(gòu)。

2024-11-04 標簽：電源晶體工藝 3.4k 0

雙阱工藝的制造過程

與亞微米工藝類似，雙阱工藝是指形成NW和PW的工藝，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成PN 結(jié)隔離，使器件之間形成電性...

2024-11-04 標簽：集成電路工藝晶體管 3.2k 0

STI隔離工藝的制造過程

STI 隔離工藝是指利用氧化硅填充溝槽，在器件有源區(qū)之間嵌入很厚的氧化物，從而形成器件之間的隔離。利用STI 隔離工藝可以改善寄生場效應晶體管和閂鎖效應。

2024-11-01 標簽：晶圓工藝晶體管 3.7k 0

有源區(qū)工藝的制造過程

有源區(qū)工藝是指通過刻蝕去掉非有源區(qū)的區(qū)域的硅襯底，而保留器件的有源區(qū)。

2024-10-31 標簽：晶圓工藝光刻 2.2k 0

一文詳解半導體薄膜沉積工藝

半導體薄膜沉積工藝是現(xiàn)代微電子技術(shù)的重要組成部分。這些薄膜可以是金屬、絕緣體或半導體材料，它們在芯片的各個層次中發(fā)揮著不同的作用，如導電、絕緣、保護等。...

2024-10-31 標簽：芯片半導體工藝 6.2k 0

Bosch刻蝕工藝的制造過程

Bosch刻蝕工藝作為微納加工領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)，對于HBM和TSV的制造起到了至關(guān)重要的作用。

2024-10-31 標簽：工藝 BOSCH 刻蝕工藝 4.6k 0

頂層金屬工藝是指什么

頂層金屬工藝是指形成最后一層金屬互連線，頂層金屬互連線的目的是實現(xiàn)把第二層金屬連接起來。頂層金屬需要作為電源走線，連接很長的距離，需要比較低的電阻，需要...

2024-10-29 標簽：晶圓工藝光刻 1.8k 0

IMD2工藝是什么意思

IMD2 工藝與 IMD1工藝類似。IMD2 工藝是指在第二層金屬與第三層金屬之間形成的介質(zhì)材料，形成電性隔離。

2024-10-25 標簽：工藝介質(zhì)材料 1.8k 0

金屬層2工藝是什么

金屬層2（M2）工藝與金屬層1工藝類似。金屬層2工藝是指形成第二層金屬互連線，金屬互連線的目的是實現(xiàn)把第一層金屬或者第三層金屬連接起來。

2024-10-24 標簽：晶圓工藝光刻 1.8k 0

雙層膠工藝是什么

隨著線條寬度的不斷縮小，為了防止膠上圖形出現(xiàn)太大的深寬比，提高對比度，應該采用很薄的光刻膠。但薄膠會遇到耐腐蝕性的問題。由此開發(fā)出了雙層光刻膠技術(shù)，這...

2024-10-21 標簽：芯片工藝光刻膠 2.1k 0

半導體外延生長方式介紹

本文簡單介紹了幾種半導體外延生長方式。

2024-10-18 標簽：半導體工藝硅片 3.2k 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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UHD是”超高清“的意思UHD的應用在電視機技術(shù)上最為普遍，目前已有不少廠商推出了UHD超高清電視。
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Proteus軟件是英國Lab Center Electronics公司出版的EDA工具軟件（該軟件中國總代理為廣州風標電子技術(shù)有限公司）。它不僅具有其它EDA工具軟件的仿真功能，還能仿真單片機及外圍器件。
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74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多，可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計數(shù)器等功能。本章詳細介紹了74ls112的功能及原理，74ls74引腳圖及功能表，74ls112的應用等內(nèi)容。
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