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開關(guān)損耗

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開關(guān)損耗技術(shù)

絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電器控制等多種工業(yè)領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。IGBT在具有更低的開關(guān)損耗的同時(shí)，還要同時(shí)具備一定的抗短路能力。短路時(shí)，如...

2025-08-07 標(biāo)簽：IGBT 晶體管開關(guān)損耗 3.9k 0

STGWA30IH160DF2 IGBT器件技術(shù)解析與應(yīng)用指南

STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT采用先進(jìn)、專有的溝槽式柵極場終止型結(jié)構(gòu)打造。在軟換向...

2025-10-15 標(biāo)簽：IGBT 續(xù)流二極管開關(guān)損耗 3.6k 0

如何準(zhǔn)確的測量開關(guān)損耗

一個(gè)高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。...

2019-06-27 標(biāo)簽：開關(guān)電源開關(guān)損耗 3.3k 0

使用Cauer網(wǎng)絡(luò)仿真熱行為與對(duì)開關(guān)損耗影響的評(píng)估

過去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型，它們主要適用于簡單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當(dāng)涉及到功率器件時(shí)，這些簡單的模型通常無法預(yù)測與為優(yōu)化器件...

2023-12-29 標(biāo)簽：安森美 SiC 熱仿真 3.1k 0

關(guān)于開關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開關(guān)損耗問題探討

同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的同步開關(guān)（高邊＋低邊）是對(duì)VIN和GND電壓進(jìn)行切換（ON/OFF），該過渡時(shí)間的功率乘以開關(guān)頻率后的值即開關(guān)損耗。

2020-04-06 標(biāo)簽：降壓轉(zhuǎn)換器開關(guān)損耗 3.1k 0

一文讀懂MOSFET開關(guān)損耗介紹

MOSFET的操作可以分為兩種基本模式：線性模式和開關(guān)模式。在線性模式下，晶體管的柵源電壓足以使電流通過通道，但通道電阻相對(duì)較高。通道上的電壓和通過通道...

2024-06-13 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管開關(guān)損耗 3k 0

PFC MOSFET的開關(guān)損耗測試方案

MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開關(guān)損耗...

2022-10-19 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 PFC 2.9k 0

如何使用示波器測量電源開關(guān)損耗

電源開關(guān)損耗是電子電路中一個(gè)重要的性能指標(biāo)，它反映了開關(guān)器件在開關(guān)過程中產(chǎn)生的能量損失。準(zhǔn)確測量電源開關(guān)損耗對(duì)于優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、提高系統(tǒng)效率具有重要意義。...

2024-05-27 標(biāo)簽：示波器電源開關(guān)開關(guān)損耗 2.9k 0

如何平衡IGBT模塊的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗

IGBT模塊的開關(guān)損耗（動(dòng)態(tài)損耗）與導(dǎo)通損耗（靜態(tài)損耗）的平衡優(yōu)化是電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的核心挑戰(zhàn)。這兩種損耗存在固有的折衷關(guān)系：降低導(dǎo)通損耗通常需要提高載...

2025-08-19 標(biāo)簽：IGBT 開關(guān)損耗導(dǎo)通損耗 2.9k 0

MOS管怎么用？從認(rèn)識(shí)米勒效應(yīng)、開關(guān)損耗、參數(shù)匹配及選型入手

要比喻的話，三極管像綠皮車，MOS管像高鐵。

2022-10-25 標(biāo)簽：三極管 MOSFET MOS管 2.8k 0

功率MOSFET管應(yīng)用問題匯總

問題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負(fù)載開關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計(jì)，銅箔面積布設(shè)多大散...

2023-12-03 標(biāo)簽：負(fù)載開關(guān)功率MOSFET管 MOSFET管 2.7k 0

影響MOSFET開關(guān)損耗的因素

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的開關(guān)...

2024-09-14 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體開關(guān)損耗 2.7k 0

開關(guān)電源調(diào)節(jié)頻率被限制的原因有哪些

當(dāng)然，隨著器件的進(jìn)步，開關(guān)管開關(guān)速度會(huì)變得越來越快，特別是在低電壓和低功率應(yīng)用中。僅考慮設(shè)備本身的開關(guān)速度，開關(guān)頻率可能會(huì)很高，但實(shí)際并沒有，有開關(guān)損耗的限制。

2025-10-30 標(biāo)簽：開關(guān)電源頻率開關(guān)損耗 2.5k 0

影響電源效率提升的主要損耗

效率一直以來都是電源領(lǐng)域的研究重點(diǎn)，尤其在一些小體積高功率密度的電源系統(tǒng)中尤為重要。比如，適配器電源、模塊電源、服務(wù)器用電源等。近年來，第三代GaN半導(dǎo)...

2023-06-23 標(biāo)簽：MOSFET 服務(wù)器 GaN 2.3k 0

MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別

由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。

2023-08-25 標(biāo)簽：二極管 MOSFET IGBT 2.2k 0

終端區(qū)域?qū)﹂_關(guān)損耗的物理分析

盡管硅是電子產(chǎn)品中使用最廣泛的半導(dǎo)體，但最近的研究表明它有一些局限性，特別是在高功率應(yīng)用中。帶隙是基于半導(dǎo)體的電路的一個(gè)相關(guān)因素，因?yàn)楦邘对诟邷?、電?..

2022-07-29 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)損耗 2.1k 0

安森美M3S與M2 SiC MOSFET的性能比較

安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗均較低，提供 650 V 和 ...

2025-02-21 標(biāo)簽：MOSFET 安森美分立器件 2.1k 0

DC/DC評(píng)估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)損耗

上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗：見文識(shí)意，開關(guān)損耗就是開關(guān)工...

2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFET 降壓轉(zhuǎn)換器開關(guān)損耗 2.1k 0

雜散電感對(duì)IGBT開關(guān)過程的影響(1)

IGBT的開關(guān)損耗特性研究對(duì)IGBT變流器設(shè)計(jì)具有重要的意義，在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散熱條件特殊的場合，都需要嚴(yán)格按器件損耗特性進(jìn)行大余量...

2025-04-22 標(biāo)簽：IGBT 變流器雜散電感 2.1k 0

通過驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗-傳統(tǒng)的MOSFET驅(qū)動(dòng)方法

MOSFET和IGBT等電源開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關(guān)器件產(chǎn)生的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，但不同的應(yīng)用其降低損耗的...

2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 IGBT 1.8k 0

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