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標(biāo)簽 > 接觸電阻
對導(dǎo)體間呈現(xiàn)的電阻稱為接觸電阻。 一般要求接觸電阻在10-20 mohm以下。 有的開關(guān)則要求在100-500uohm以下。有些電路對接觸電阻的變化很敏感。 應(yīng)該指出, 開關(guān)的接觸電阻是開關(guān)在若干次的接觸中的所允許的接觸電阻的最大值。
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原本設(shè)計的好好的電路,由于開關(guān)的導(dǎo)通電阻變化,導(dǎo)致電路對這個參數(shù)變化起不了調(diào)節(jié)作用,因此原本有效的信號,在MCU處理過程中完全成了無效的信號了。
雙層石墨烯/BN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中相稱態(tài)的電子特性研究
當(dāng)單層石墨烯和 BN 的晶體學(xué)排列幾乎完美(層與層之間接近零度)時,石墨烯的電子、機械和光學(xué)特性會發(fā)生強烈變化。
傳輸線法(TLM)優(yōu)化接觸電阻:實現(xiàn)薄膜晶體管電氣性能優(yōu)化
本文通過傳輸線方法(TLM)研究了不同電極材料(Ti、Al、Ag)對非晶Si-Zn-Sn-O(a-SZTO)薄膜晶體管(TFT)電氣性能的影響,通過TL...
對于面包板布線所使用的導(dǎo)線種類、顏色、長度以及耐用性進行討論。也許沒有一個十全十美的選擇方案,需要根據(jù)情況而定。
TOPCon電池鋁觸點工藝:接觸電阻率優(yōu)化實現(xiàn)23.7%效率
隨著TOPCon太陽能電池市占率突破50%,其雙面銀漿消耗量(12–15mg/W)導(dǎo)致生產(chǎn)成本激增。本研究提出以鋁漿替代背面銀觸點,通過材料配方革新與工...
液態(tài)金屬接觸電阻精確測量:傳輸線法(TLM)的新探索
液態(tài)金屬(如galinstan)因高導(dǎo)電性、可拉伸性及生物相容性,在柔性電子領(lǐng)域備受關(guān)注。然而,其與金屬電極間的接觸電阻(Rc)測量存在挑戰(zhàn):傳統(tǒng)傳輸線...
通過力學(xué)原理可以知道高的溫度應(yīng)力會導(dǎo)致接觸件發(fā)生塑性變形,從而使得接觸壓力減少,另外多次插拔使用,也是接觸件接觸壓力減少的原因之一。
電子連接器在應(yīng)用各種電氣線路中,起著連接或斷開電路的作用。由于連接器的種類繁多,應(yīng)用范圍廣泛,因此,正確選擇連接器也是保證連接器可靠性的一個重要方面。那...
半導(dǎo)體歐姆接觸工藝 | MoGe?P?實現(xiàn)超低接觸電阻的TLM驗證
二維半導(dǎo)體因其原子級厚度和獨特電學(xué)性質(zhì),成為后摩爾時代器件的核心材料。然而,金屬-半導(dǎo)體接觸電阻成為限制器件性能的關(guān)鍵瓶頸。傳統(tǒng)二維半導(dǎo)體(如MoS?、...
基于厚度梯度設(shè)計的TOPCon多晶硅指狀結(jié)構(gòu),實現(xiàn)25.28%量產(chǎn)效率突破
隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)技術(shù)作為當(dāng)前太陽能電池領(lǐng)域的核心技術(shù)之一,憑借其優(yōu)異的背面鈍化性能,在工業(yè)生產(chǎn)中實現(xiàn)了廣泛應(yīng)用。然而,多晶硅薄膜材料固...
從實驗室到應(yīng)用:半金屬與單層半導(dǎo)體接觸電阻的創(chuàng)新解決方案
金屬-半導(dǎo)體界面接觸電阻是制約半導(dǎo)體器件微縮化的關(guān)鍵問題。傳統(tǒng)金屬(如Ni、Ti)與二維半導(dǎo)體接觸時,金屬誘導(dǎo)帶隙態(tài)(MIGS)導(dǎo)致費米能級釘扎,形成肖...
在電力設(shè)備和電氣系統(tǒng)的安全運行中,兩項基礎(chǔ)而關(guān)鍵的測試技術(shù)始終發(fā)揮著重要作用——絕緣電阻試驗和接觸電阻試驗。盡管它們同屬電氣測試范疇,卻在原理、對象、設(shè)...
消除接觸電阻的四探針改進方法:精確測量傳感器薄膜方塊電阻和電阻率
方塊電阻是薄膜材料的核心特性之一,尤其在傳感器設(shè)計中,不同條件下的方塊電阻變化是感知測量的基礎(chǔ)。但薄膜材料與金屬電極之間的接觸電阻會顯著影響測量精度,甚...
基于傳輸線法TLM與隔離層優(yōu)化的4H-SiC特定接觸電阻SCR精準(zhǔn)表征
4H-碳化硅(4H-SiC)因其寬禁帶(3.26eV)、高熱導(dǎo)率(4.9W·cm?1·K?1)和高擊穿場強(2.5MV·cm?1),成為高溫、高功率電子...
一般的接觸對,體積電阻與接觸件之間界面的接觸電阻相比很小,而且數(shù)值基本無變化,因此通常所說的接觸電阻是,指界面處的接觸電阻,其數(shù)值受接觸件幾何結(jié)構(gòu)、...
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