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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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雖然只有12年的歷史,但finFET已經(jīng)走到了盡頭。從3nm開始,它們將被環(huán)柵 (GAA)取代,預(yù)計(jì)這將對(duì)芯片的設(shè)計(jì)方式產(chǎn)生重大影響。
如何用分立組件設(shè)計(jì)穩(wěn)健的串聯(lián)線性穩(wěn)壓器
有些應(yīng)用需要寬松的輸出調(diào)節(jié)功能以及不到20mA的電流。對(duì)這樣的應(yīng)用來說,采用分立組件打造的線性穩(wěn)壓器是一種低成本高效益的解決方案(圖1)。而對(duì)于具有...
集成功率無源器件和戰(zhàn)術(shù)權(quán)衡以提高功率效率:電源管理和開關(guān)電源
功率無源器件、電感器和電容器在當(dāng)今的消費(fèi)類產(chǎn)品中占有重要地位。與今天隨處可見的微型薄手機(jī)和平板電腦相比,這在物理尺寸上是很大的。工程師要做什么?我們必須...
典型車用IGBT芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)解析
Sic MOSFET的正柵壓目前已經(jīng)于Si IGBT相當(dāng)(+15V) ,但負(fù)柵壓仍有很大差別(-5V) ,Sic MOSFET開關(guān)速度快引起的EMII問...
為了將兩倍數(shù)量的晶體管放置在單個(gè)器件上,縮小晶體管是主要實(shí)現(xiàn)方式。這種趨勢(shì)已經(jīng)持續(xù)了數(shù)十年,但近年晶體管數(shù)量增長(zhǎng)速度有所減緩。
在現(xiàn)實(shí)世界里,熱成像儀的用途非常廣泛,特別是在軍事上,利用熱成像儀可以在夜間發(fā)現(xiàn)散發(fā)熱量的坦克發(fā)動(dòng)機(jī)、士兵。
2023-04-17 標(biāo)簽:電動(dòng)機(jī)晶體管紅外傳感器 4.8k 0
絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻...
最終,只要一些特定條件得以滿足,特別是主反饋驅(qū)動(dòng)的柱的電流為網(wǎng)絡(luò)中最大的電流,且各柱保持適當(dāng)余量,那么可利用單個(gè)反饋裝置獲得任意值的偏置網(wǎng)絡(luò)。這樣,基于...
如何使用單個(gè)反饋源實(shí)現(xiàn)偏置電流網(wǎng)絡(luò)
利用運(yùn)放反饋與基準(zhǔn)電壓生成任意大小的直流電流是一個(gè)簡(jiǎn)單、直接的過程。但是,假設(shè)須要生成一些任意數(shù)量(以N為例)的電流沉/源(current sink/s...
何時(shí)使用負(fù)載開關(guān)取代分立MOSFET
像蠟燭一樣,功率MOSFET(功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是切換負(fù)載最常見的方式,其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器(以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管...
晶體管是三極管嗎?三極管在電源里都有哪些應(yīng)用場(chǎng)景
截止區(qū)“三極管的截止?fàn)顟B(tài),這應(yīng)該是比較好理解的,當(dāng)三極管的發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏時(shí),三極管就會(huì)進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)?!蔽耶?dāng)時(shí)就特別討厭用正偏反偏這個(gè)詞,已經(jīng)有三...
由于它們不同的器件結(jié)構(gòu),高壓BJT的制造成本要低于高壓MOSFET。正因如此,額定電壓在1kV或者以上的BJT的價(jià)格要低于通用輸入離線反激式轉(zhuǎn)換器中常見...
輸出穩(wěn)定度對(duì)于任何電源設(shè)計(jì)而言都是一項(xiàng)關(guān)鍵問題。由于線性穩(wěn)壓器簡(jiǎn)單易用(多數(shù)線性穩(wěn)壓器只有三個(gè)插腳),所以很容易忘記這一點(diǎn)的重要性。雖然目前具有許多能夠...
氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET,因?yàn)樵谕葘?dǎo)通電阻的情況下,氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低,并避免了體二極管所導(dǎo)致的...
今天給兄弟們分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì),如何避免常見問題和故障模式》,依然是我覺得比較好的。
以工藝見長(zhǎng)的東芝N溝道功率MOSFET為電源效率賦能
MOSFET是以金屬層(M)柵極隔著氧化層(O)利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其特點(diǎn)是用柵極電壓來控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同,M...
2023-04-13 標(biāo)簽:MOSFET東芝開關(guān)電源 2.2k 0
元器件封裝的構(gòu)建是PCB設(shè)計(jì)中的一個(gè)重要環(huán)節(jié),小小的一個(gè)錯(cuò)誤很可能導(dǎo)致整個(gè)板子都不能工作以及工期的嚴(yán)重延誤。常規(guī)器件的封裝庫(kù)一般CAD工具都有自帶,也可...
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