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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非??欤瑢嶒炇抑械那袚Q速度可達(dá)100GHz以上。
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LED模擬調(diào)光 VS 數(shù)字調(diào)的區(qū)別是什么
根據(jù)響應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置基準(zhǔn)來實現(xiàn)晶體管或MOS導(dǎo)通時間的改變,從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變,調(diào)節(jié)LED亮度
大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件,屬于電力電子技術(shù)(功率電子技術(shù))領(lǐng)域研究范疇。其實質(zhì)就是要有效地控制功率電子器...
DSA 針對特定領(lǐng)域的應(yīng)用采用高效的架構(gòu),比如使用專用內(nèi)存最小化數(shù)據(jù)搬移、根據(jù)應(yīng)用特點把芯片資源更多側(cè)重于計算或存儲、簡化數(shù)據(jù)類型、使用特定編程語言和指令等等。
碳化硅 (SiC) 是一種成熟的器件技術(shù),在 900 V 至 1,200 V 以上的高壓、高開關(guān)頻率應(yīng)用中,與硅 (Si) 技術(shù)(包括硅超結(jié) (SJ) ...
早期模型顯示真空管曲線;后來的當(dāng)然是針對測量晶體管,二極管和其他固態(tài)器件。適用于Tek 5000的插件 - &還制作了7000系列示波器;所有這...
中等功率應(yīng)用是Wolfspeed WolfPACK功率模塊“最理想的應(yīng)用場合”
經(jīng)過 30 多年的碳化硅(SiC)研發(fā),我們目前的產(chǎn)品組合中包含各種 SiC 肖特基二極管、MOSFET 和功率模塊,涵蓋了廣泛的功率要求。相較于硅(S...
2023-05-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器晶體管碳化硅 2.4k 0
英特爾(Intel)創(chuàng)始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)提出摩爾定律:當(dāng)價格不變時,集成電路上可容納的元器件的數(shù)目,約每隔18-24個月便會...
多級阻容耦合放大器是一種常見的模擬電子電路,廣泛應(yīng)用于信號放大、濾波、調(diào)制解調(diào)等領(lǐng)域。在多級阻容耦合放大器中,各級靜態(tài)工作點的設(shè)置對于電路的性能和穩(wěn)定性...
單端放大電路,作為電子放大電路的一種重要形式,具有其獨特的優(yōu)缺點。以下是對其優(yōu)缺點的分析: 優(yōu)點 音質(zhì)純凈度高 : 單端放大電路使用單個放大器管或晶體管...
在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)追求更高性能、更低功耗的今天,一種名為“SOI(Silicon-On-Insulator)”的工藝技術(shù)逐漸成為行業(yè)焦點。無論是智能手機、...
半導(dǎo)體存儲器用于數(shù)據(jù)存儲。按照電源在關(guān)斷后數(shù)據(jù)是否依舊被保存的方式區(qū)分,存儲器可分為非易失性存儲器 (Non-volatile Memory,NVM)和...
這是一個使用UJT晶體管的鋸齒波發(fā)生器電路很容易。在圖1電路中,Q1使用的電路是UJT,用于連接VR1(電位器),VR2和C1。它們充當(dāng)鋸齒波發(fā)生器電路...
2024-06-09 標(biāo)簽:發(fā)生器電路晶體管鋸齒波發(fā)生器 2.4k 0
晶體管和二極管是電子產(chǎn)品的基本組件,在許多電路設(shè)計中發(fā)揮著重要作用。在將這些有源元件集成到電路中時,確保它們正常工作至關(guān)重要。因此,必須有一種可靠的方法...
IGBT 模塊封裝采用了膠體隔離技術(shù),防止運行過程中發(fā)生爆炸;第二是電極結(jié)構(gòu)采用了彈簧結(jié)構(gòu),可以緩解安裝過程中對基板上形成開裂,造成基板的裂紋;第三是對...
IGBT是由MOSFET和GTR技術(shù)結(jié)合而成的復(fù)合型開關(guān)器件,是通過在功率MOSFET的漏極上追加p+層而構(gòu)成的,性能上也是結(jié)合了MOSFET和雙極型功...
帶電粒子和伽馬射線會產(chǎn)生電離,從而改變設(shè)備的參數(shù)。這些變化是根據(jù)總電離劑量參數(shù) (TID) 估算的。吸收的電離劑量通常以 Rads 為單位測量,即每克材...
2022-08-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體晶體管 2.4k 0
這是一款迷你FM發(fā)射器,使用 2 個晶體管構(gòu)建和供電,由 Tony van Roon 設(shè)計。這個小型發(fā)射器很容易構(gòu)建,它的傳輸可以在任何常見的 FM 收...
2022-07-10 標(biāo)簽:發(fā)射器電路調(diào)頻發(fā)射器晶體管 2.4k 0
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