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標簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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晶體管計算機是一種由晶體管組成的計算機系統(tǒng)。晶體管是一種半導(dǎo)體器件,用于控制和放大電流。它是電子技術(shù)領(lǐng)域中最重要的發(fā)明之一,也是現(xiàn)代計算機技術(shù)的基石之一...
安森美SiC JFET Cascode開關(guān)特性解析
碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢,特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻(稱為RDS.A)。
“功率器件”是指逆變器、轉(zhuǎn)換器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備以及安裝在其中的半導(dǎo)體元件。按功能劃分,有功率晶體管(MOSFET、IGBT等)、二極管、晶閘管、雙向可控硅...
安森美SiC Cascode JFET的背景知識和并聯(lián)設(shè)計
隨著Al工作負載日趨復(fù)雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiCJFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode...
電路狀態(tài)的改變是電子設(shè)備和系統(tǒng)中最常見的問題之一,這些變化可能由多種內(nèi)部因素引起。了解這些內(nèi)部因素對于診斷和解決電路故障至關(guān)重要。 一、元器件損壞 1....
微型晶體管的制造過程 1. 硅晶圓的制備 微型晶體管的制造始于硅晶圓的制備。硅晶圓是半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料,通常采用高純度的單晶硅制成。硅晶圓的制備過程包...
2024-10-15 標簽:晶圓晶體管半導(dǎo)體制造 2k 0
功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一...
單結(jié)晶體管(Unipolar Junction Transistor,簡稱UJT)作為一種具有獨特負阻特性和開關(guān)特性的三端半導(dǎo)體器件,在電子電路中具有廣...
2024-09-23 標簽:半導(dǎo)體晶體管單結(jié)晶體管 2k 0
硅材料雖然適合大規(guī)模生產(chǎn),儲藏豐富,還有一個天然穩(wěn)定的絕緣氧化層,但它也有難以克服的缺點:電子遷移率低,導(dǎo)致開關(guān)速度不高;散熱特性一般,限制了芯片的工...
如何使用瞬態(tài)測試技術(shù)對內(nèi)存模塊進行熱分析
內(nèi)存模塊的熱損耗不斷增加,這就需要更高效的散熱設(shè)計。提高內(nèi)存模塊的散熱效率,就需要我們了解模塊中每一部分的傳熱路徑,熱阻和熱容。傳統(tǒng)的熱穩(wěn)態(tài)和JEDEC...
手機呈現(xiàn)出一種固有的嘈雜環(huán)境。傳統(tǒng)JFET(以及任何純模擬)解決方案的一個缺點是,模擬麥克風輸出信號很容易被放大器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器之間的干擾信號破壞。因此,...
結(jié)型場效應(yīng)晶體管和N溝道場效應(yīng)晶體管有什么區(qū)別
結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)和N溝道場效應(yīng)晶體管(N-Channel Field-...
如何降低晶體管和變壓器損耗,提高開關(guān)電源效率?牛人這樣說
開關(guān)電源的損耗主要來自三個元件:開關(guān)晶體管、變壓器和整流二極管。
2022-12-21 標簽:變壓器開關(guān)電源整流二極管 2k 0
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