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晶體管

晶體管

+關(guān)注78人關(guān)注

晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

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晶體管技術(shù)

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2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFET晶體管SiC 1.4k 0

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使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同,因而電氣特征也不同。補(bǔ)充說明一下,DMOS是平面型的MOSFET,是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET,因其高耐壓且可降低...

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IGBT在電力電子中的關(guān)鍵作用在當(dāng)今的電力電子技術(shù)中,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)已成為不可或缺的核心組件。這種器件以其出色的性能,在變頻器、電動(dòng)汽車、...

2024-12-26 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換IGBT光耦 1.4k 0

英特爾、三星和臺(tái)積電公布下一代晶體管進(jìn)展

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plc入門基礎(chǔ)知識(shí)大全及答案

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ttl多余的輸入端應(yīng)該接什么

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四種恒流源電路分析

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2023-02-23 標(biāo)簽:電路分析晶體管恒流源 1.4k 0

淺析業(yè)界最快的3nm CMOS平臺(tái)技術(shù)可行性

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2023-06-05 標(biāo)簽:電平晶體管邏輯元件 1.4k 0

關(guān)于功率放大器的一些科普

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2023-02-24 標(biāo)簽:功率放大器晶體管電子管 1.4k 0

摩爾定律下一個(gè)十年關(guān)鍵:3D堆疊的潛在優(yōu)勢(shì)

對(duì) 3D 堆疊 CMOS 進(jìn)行所有需要的連接是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。需要從設(shè)備堆棧下方進(jìn)行電源連接。在此設(shè)計(jì)中,NMOS 器件頂部和 PMOS 器件底部 具有單獨(dú)的...

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線性電源過壓保護(hù)的常見類型有哪些?

電源故障的方式有很多種。然而,要更多地了解過壓保護(hù)和電子電路設(shè)計(jì)問題,很容易舉一個(gè)使用非常簡單的齊納二極管和串聯(lián)傳輸晶體管的線性穩(wěn)壓器的簡單例子。

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概倫電子先進(jìn)數(shù)字仿真器VeriSim介紹

VeriSim是一款先進(jìn)的邏輯仿真器,提供全面的數(shù)字設(shè)計(jì)驗(yàn)證解決方案,特別適用于大型SoC設(shè)計(jì)。它配備高性能的仿真引擎和約束求解器,旨在提高編譯時(shí)效率,...

2025-04-22 標(biāo)簽:仿真器SoC設(shè)計(jì)晶體管 1.4k 0

LM337L 100mA 負(fù)可調(diào)線性穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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LM337L 是一款能夠提供 100mA 電流的可調(diào) 3 引腳負(fù)穩(wěn)壓器 在 –1.2V 至 –37V 輸出范圍內(nèi)。LM337L 易于使用,只需要兩個(gè)外部...

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未來的重點(diǎn)方向:Sic和IGBT

IGBT、MCU、以及SIC會(huì)是接下來新能源汽車智能化比較長期的需求點(diǎn),根據(jù)特斯拉Model3的車型用量來看,單車使用IGBT是84顆,或者48顆Sic...

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由于在室溫下的低電阻率和低材料成本,銅(Cu)被積極地考慮作為高質(zhì)量和大面積TFT-LCD的金屬電極的候選。事實(shí)上,開發(fā)具有低電阻率的金屬電極工藝是下一...

2023-09-18 標(biāo)簽:電極晶體管蝕刻 1.4k 0

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