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標簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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2025-12-26 標簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 355 0
選型手冊:MOT3136D N 溝道功率 MOSFET 晶體管
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選型手冊:VSI008N10MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
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2025-12-30 標簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 349 0
選型手冊:AGM012N10LL N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
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威兆半導(dǎo)體推出的VSE011N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN3333封裝,適配中壓小型高功率密度電源...
2025-12-30 標簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 341 0
選型手冊:MOT2176D N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT2176D是一款面向20V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性,適用于便攜設(shè)備...
晶體管光耦由于其具備電氣隔離、抗干擾、簡單可靠的優(yōu)勢,廣泛應(yīng)用于新能源汽車、儲能、光伏、消費電子以及工業(yè)控制等領(lǐng)域,而在晶體管光耦中,最關(guān)鍵的核心參數(shù)便...
選型手冊:MOT70R280D N 溝道超級結(jié)功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT70R280D是一款N溝道超級結(jié)功率MOSFET,憑借700V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性,適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模...
選型手冊:MOT6522J N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT6522J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借先進溝槽技術(shù)、低導(dǎo)通電阻及低柵極電荷特性,適用...
先進材料與三維集成技術(shù)的結(jié)合為邊緣計算應(yīng)用帶來了新的可能性。本文探討研究人員如何通過單片3D集成方式將硒化銦光電探測器與二硫化鉬憶阻晶體管結(jié)合,實現(xiàn)傳感...
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2025-12-25 標簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 337 0
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2025-12-25 標簽:MOSFET晶體管威兆半導(dǎo)體 334 0
選型手冊:AGM65N20AT N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGM65N20AT是一款面向200V高壓中功率場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-247封裝,適配高壓電源管理、同步整流...
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威兆半導(dǎo)體推出的VST012N06MS是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配低壓大功率電源管理、負載開關(guān)...
2025-12-24 標簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 314 0
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2026-01-04 標簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 308 0
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威兆半導(dǎo)體推出的VS5810AS是一款面向58V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配中壓小型電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品...
2025-12-25 標簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 303 0
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AGMSEMI推出的AGM6015C是一款面向60V低壓超大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220封裝,適配負載開關(guān)、電池保護等領(lǐng)域。...
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威兆半導(dǎo)體推出的VS6880AT是一款面向68V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中壓大功率電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域...
2025-12-26 標簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 296 0
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