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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非常快，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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由于變壓器鐵芯的磁滯作用，導(dǎo)致了電子管功放的瞬態(tài)特性有所下降，使得有些細(xì)微的、爆發(fā)特性很強(qiáng)的、并不十分諧和的細(xì)節(jié)被吃掉了，得不到充分地反映。
【任務(wù)】運(yùn)放是模擬電路的靈魂核心器件，為使運(yùn)放工作可靠且壽命達(dá)到設(shè)計(jì)預(yù)期，應(yīng)該對運(yùn)放采取必要的保護(hù)措施。運(yùn)放作為一種高輸入阻抗，高增益的器件，其損壞的原...
2023-03-31 標(biāo)簽：二極管保護(hù)電路電路設(shè)計(jì) 7.9k 0
偏置電阻是電子電路中一種重要的元件，它在電路中扮演著為晶體管、二極管等器件提供穩(wěn)定工作點(diǎn)的角色。
三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。
差分放大電路是一種常見的模擬電路，廣泛應(yīng)用于信號放大、濾波、比較等場合。差分放大電路根據(jù)輸入方式的不同，可以分為單端輸入和雙端輸入兩種形式。下面將介紹這...
MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的泄漏電流是指在MOS管關(guān)斷狀態(tài)下，從源極或漏極到襯底之間仍然存在的微弱電流。這些泄漏電流可能對電路的性能和穩(wěn)定...
對于輸入端口1-1’和輸出端口2-2’滿足“對于所有時(shí)間t，從端子1流入方框的電流等于從端子1’流出的電流i;同時(shí)，從端子2流入方框的電流等于從端子...
電子元件之間的連接通常使用多種不同的連接方式，具體取決于元件的類型、尺寸和應(yīng)用需求。以下是一些常見的連接方式。
MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的開關(guān)速度是指其從截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)（或反之）所需的時(shí)間，這個(gè)時(shí)間包括上升時(shí)間和下降時(shí)間，分別對應(yīng)輸出電壓從...
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)之平面結(jié)構(gòu)
電流從漏極流向源極時(shí)，電流在硅片內(nèi)部橫向流動，而且主要從硅片的上表層流過，因此沒有充分應(yīng)用芯片的尺寸；而且，這種結(jié)構(gòu)的耐壓，由柵極下面P層寬度和摻雜決定
眾所周知，說到延時(shí)，很多人都會想到用軟件件來實(shí)現(xiàn)，比如定時(shí)器之類的。今天就來說說用硬件來實(shí)現(xiàn)定時(shí)的方式，雖說沒有那么準(zhǔn)，但是有些場合還是用得到的。今天我...
氮化鎵晶體管的結(jié)構(gòu)及優(yōu)缺點(diǎn)
氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參...
通過SRAM PUF實(shí)現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)安全的解決方案
本文介紹了SRAM PUF（物理不可克隆功能）是什么以及如何工作的基礎(chǔ)知識，以及它在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）安全性中提供的功能（作為任何設(shè)備的信任錨）。 在任何...
2021-03-27 標(biāo)簽：sram物聯(lián)網(wǎng)晶體管 7.8k 0
與溫度關(guān)系很小的電壓或者電流基準(zhǔn)，在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中具有重要的應(yīng)用，比如在電流鏡結(jié)構(gòu)中，需要對一“理想的”基準(zhǔn)電流進(jìn)行精確復(fù)制，這一“理想的”基準(zhǔn)電流，一...
2023-07-06 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器電流鏡晶體管 7.8k 0
在現(xiàn)代工業(yè)中，表面加工是至關(guān)重要的一環(huán)。為了達(dá)到所需的表面粗糙度、光潔度和平整度等要求，往往需要進(jìn)行拋光處理。
介紹了芯片流片的原理同時(shí)介紹了首顆極大規(guī)模全異步電路芯片流片成功。
對于PNP型三極管，C、E極分別為其內(nèi)部兩個(gè)PN結(jié)的正極，B極為它們共同的負(fù)極，而對于NPN型三極管而言，則正好相反：C、E極分別為兩個(gè)PN結(jié)的負(fù)極，而...
2019-06-19 標(biāo)簽：三極管場效應(yīng)管晶體管 7.8k 0
電源設(shè)計(jì)工程師在選用 Power MOSFET 設(shè)計(jì)電源時(shí)，大多直接以 Power MOSFET 的最大耐壓、最大導(dǎo)通電流能力及導(dǎo)通電阻等三項(xiàng)參數(shù)做出初...
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