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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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總的來說,場效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。耗盡型場效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(E-F...
2012-02-02 標(biāo)簽:晶體管場效應(yīng)晶體管 2.3萬 1
100W電子管擴(kuò)音機(jī)改由晶體管整流供電,電路由燈絲變壓器B2、次高壓變壓器B1和大高壓變壓器B3供電。
2012-01-11 標(biāo)簽:擴(kuò)音機(jī)晶體管 8.2k 0
意大利、法國和美國的材料科學(xué)家利用棉纖維制造出了兩類電路和晶體管:其一是類似CPU晶體管的場效應(yīng)晶體管,其二是可用于低電壓切換的電化學(xué)晶體管。
2012-01-02 標(biāo)簽:晶體管 1.2k 0
德國科學(xué)家研制出一種新式的通用晶體管,其既可當(dāng)p型晶體管又可當(dāng)n型晶體管使用,最新晶體管有望讓電子設(shè)備更緊湊;科學(xué)家們也可用其設(shè)計出新式電路。
2011-12-23 標(biāo)簽:晶體管 1.2k 0
普通達(dá)林頓管內(nèi)部由兩只或多只晶體管的集電極連接在一起復(fù)合而成,其基極b 與發(fā)射極e之間包含多個發(fā)射結(jié)。
本文實驗中采用的開關(guān)電源為BCD 半導(dǎo)體公司研發(fā)的3765序列充電器, 采用的功率雙極晶體管是BCD半導(dǎo)體公司提供的APT13003E, 它被廣泛應(yīng)用于...
韓國科研人員制造出了一種以可伸縮的透明石墨烯作為基底的新型晶體管。由于石墨烯具有出色的光學(xué)、機(jī)械和電性質(zhì),新型晶體管克服了由傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料制成的晶體管面...
Intel在微處理器晶體管設(shè)計上取得重大突破,沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實現(xiàn)3D架構(gòu),一款名為Tri-Gate的晶體管技術(shù)得到實現(xiàn)。 3D Tri-G...
據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報道,美國科學(xué)家們正在研制一種新的計算機(jī)存儲設(shè)備鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲器(FeTRAM),其將比現(xiàn)在的商用存儲設(shè)備更快捷,且比占...
(一)晶體管材料與極性的判別,1.從晶體管的型號命名上識別其材料與極性 國產(chǎn)晶體管型號命名的第二部分用英文字母A"D表示晶體管的材料和極性
瑞薩電子推出新型SiGe:C異質(zhì)接面晶體管NESG7030M04
瑞薩電子宣布推出新款 SiGe :C異質(zhì)接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04,可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、...
現(xiàn)代FPGA設(shè)計的能源優(yōu)化方案
減少FPGA的功耗可帶來許多好處,如提高可靠性、降低冷卻成本、簡化電源和供電方式、延長便攜系統(tǒng)的電池壽命等。無損于性能的低功耗設(shè)計 既需要有高功率效率的...
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