電子行業(yè)專題分析報告：大算力時代下先進封裝大有可為

封裝技術的發(fā)展史是芯片性能不斷提高、系統(tǒng)不斷小型化的歷史。封裝是半導體晶圓 制造的后道工序之一，目的是支撐、保護芯片，使芯片與外界電路連接、增強導熱性 ...

2023-07-06 標簽：摩爾定律晶體管芯片制程 3.2k 0

如何利用AI解決射頻芯片EDA的全球挑戰(zhàn)？

EDA作為集成電路領域的上游基礎工具，對于芯片設計產(chǎn)業(yè)的發(fā)展的重要價值與貢獻毋容置疑。

2023-07-06 標簽：處理器變壓器EDA工具 2.7k 0

單層二硫化鉬低功耗柔性集成電路兼具高性能和低功耗

柔性電子是一種新興技術，在信息、能源、生物醫(yī)療等領域具有廣闊的應用前景。其中，柔性集成電路可用于便攜式、可穿戴、可植入式的電子產(chǎn)品中，對器件的低功耗提出...

2023-07-06 標簽：半導體晶體管門電路 3.1k 0

12英寸深硅刻蝕機銷售突破百腔，北方華創(chuàng)助力Chiplet TSV工藝發(fā)展

隨著晶體管尺寸不斷向原子尺度靠近，摩爾定律正在放緩，面對工藝技術持續(xù)微縮所增加的成本及復雜性，市場亟需另辟蹊徑以實現(xiàn)低成本前提下的芯片高性能，以TSV（...

2023-06-30 標簽：晶體管刻蝕機chiplet 2.6k 0

微軟將電子與光子技術結合，推出突破性計算機模型迭代機

根據(jù)資料可知，摩爾定律是英特爾公司創(chuàng)始人之一戈登·摩爾在上個世紀提出的概念，指的是集成電路上能容納的晶體管數(shù)目約每兩年翻一番。不過隨著晶體管尺寸越來越小...

2023-06-29 標簽：微軟計算機晶體管 941 0

2nm大戰(zhàn) 全面打響

在芯片制造領域，3nm方興未艾，圍繞著2nm的競爭已經(jīng)全面打響。

2023-06-28 標簽：晶圓晶體管HPC 1.6k 0

AI助力Chiplet發(fā)展

摩爾定律正在逐步放緩。隨著工藝制程節(jié)點繼續(xù)向著更小的 5nm、3nm 甚至埃米級別推進，半 導體工藝制程已經(jīng)越來越逼近物理極限，不僅推進的難度越來越高，...

2023-06-21 標簽：摩爾定律晶體管AI 1.8k 0

元件的連接會遇到哪些難題？

英特爾計劃最早于2024年將電源互連從硅表面轉移到硅底面，從下面接入晶體管。這種背面電源輸入有兩個主要優(yōu)點。首先，它讓電流通過更寬、電阻更小的互連，可減...

2023-06-21 標簽：英特爾摩爾定律晶體管 1.4k 0

安森美開發(fā)IGBT FS7開關平臺，應用工業(yè)市場

以下文章來源于安森美，作者安森美領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵...

2023-04-06 標簽：IGBT晶體管 1.4k 0

氮化鎵功率晶體管及其集成電路的發(fā)展狀況

引言：氮化鎵作為第三代寬禁帶半導體材料的代表之一,因其優(yōu)越的性能,例如高電子遷移率、高電子飽和速率、耐高溫及高熱導率等優(yōu)點吸引了越來越多的關注,也正是因...

2023-02-13 標簽：集成電路晶體管氮化鎵 3.2k 0

日本電產(chǎn)理德推出半導體高速檢測裝置“NATS-1000”

“NATS-1000”將每次檢測分為室溫絕緣、高溫靜態(tài)、高溫動態(tài)和室溫靜態(tài)這四種狀態(tài)，通過分散檢測及并行檢測，確保檢測的高速性，從而有助于提高生產(chǎn)率。

2022-12-23 標簽：半導體IGBT晶體管 1.9k 0

國產(chǎn)晶體管選型方法技巧

在當前電子技術發(fā)展的今天，如今的晶體管還是得到不錯的有應用，其中的國產(chǎn)晶體管晶體管，同樣是深受現(xiàn)在人們的關注，如今隨著這一晶體管得到應用，要在國產(chǎn)晶體管...

2022-07-20 標簽：晶體管 2.2k 0

國產(chǎn)晶體管采購選擇什么廠家好

采購國產(chǎn)晶體管是非常重要的事情，要注意的問題也非常多，如果在采購之后，出現(xiàn)了產(chǎn)品質(zhì)量不好、受潮、假貨等問題，肯定都會帶來很大的損失問題。如今哪些國產(chǎn)晶體...

2022-07-01 標簽：晶體管 2.8k 0