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      標(biāo)簽　>　晶體管

      晶體管

      晶體管

      +關(guān)注78人關(guān)注

      晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合，而且開(kāi)關(guān)速度可以非?？?，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

      文章：6377個(gè) 瀏覽：148326次 帖子：853個(gè)

      晶體管資訊

      顯示半導(dǎo)體將從2nm節(jié)點(diǎn)繼續(xù)縮放，2036年將達(dá)到更高的密度

      IMEC 是世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造獨(dú)立研究機(jī)構(gòu)，它指出半導(dǎo)體技術(shù)的擴(kuò)展將變得更加復(fù)雜。就電路密度而言，摩爾定律可以繼續(xù)下去。

      2023-02-14 標(biāo)簽：摩爾定律晶體管 642 0

      高壓探頭的應(yīng)用領(lǐng)域

      高壓探頭的應(yīng)用領(lǐng)域

      高壓差分放大原理是指一對(duì)信號(hào)同時(shí)輸入到放大電路中，然后相減，得到原始信號(hào)。差分放大器是由兩個(gè)參數(shù)特性相同的晶體管用直接耦合方式構(gòu)成的放大器。若兩個(gè)輸入端...

      2023-02-13 標(biāo)簽：示波器晶體管探頭 1.5k 0

      晶體管的結(jié)構(gòu)、類型及電流放大作用

      晶體管的結(jié)構(gòu)、類型及電流放大作用

      晶體管的放大狀態(tài)的外部條件：發(fā)射結(jié)正偏且集電結(jié)反偏。

      2023-02-13 標(biāo)簽：三極管晶體管PN結(jié) 1.1萬(wàn) 0

      L波段功率放大器CGHV40050

      Wolfspeed的CGHV40050是無(wú)與倫比的，氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)。CGHV40050使用50伏導(dǎo)軌，提供通用型寬帶解決方案，主要...

      2023-02-13 標(biāo)簽：放大器晶體管 664 0

      有機(jī)電化學(xué)晶體管OECT陣列實(shí)現(xiàn)體表面心電圖測(cè)繪

      心電信號(hào)（ECG）在日常監(jiān)護(hù)以及心血管疾病的診斷及治療等領(lǐng)域具有重要的輔助作用。

      2023-02-12 標(biāo)簽：晶體管ECG心電信號(hào) 2.4k 0

      實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-總結(jié)

      實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-總結(jié)

      在本章中介紹了判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。本文將進(jìn)行最后的匯總。 前面按照右側(cè)流程圖及下列各項(xiàng)確認(rèn)了所選晶體管在實(shí)工作條件...

      2023-02-10 標(biāo)簽：芯片晶體管SOA 765 0

      IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transi...

      2023-02-09 標(biāo)簽：IGBT晶體管半導(dǎo)體器件 1.5k 0

      Chiplet，還有不少難關(guān)要過(guò)

      一兩年前，每個(gè)關(guān)于 EDA 和設(shè)計(jì)的演講都以通用的摩爾定律圖（通常是通用的“設(shè)計(jì)差距”幻燈片）開(kāi)始。但現(xiàn)在，摩爾定律可能已經(jīng)過(guò)時(shí)或即將消亡。但即使如此，...

      2023-02-09 標(biāo)簽：芯片超級(jí)計(jì)算機(jī)晶體管 1.8k 0

      芯片晶體管工作原理

      芯片晶體管工作原理 晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們...

      2023-02-08 標(biāo)簽：晶體管 4.8k 0

      什么是SPICE模型？

      SPICE模型是一種數(shù)字文件（文本格式），使用這種模型，不用實(shí)際測(cè)試LSI也可以通過(guò)在計(jì)算機(jī)上進(jìn)行電路分析（仿真）來(lái)獲得同等的電氣特性。

      2023-02-08 標(biāo)簽：二極管晶體管SPICE 8.7k 0

      臺(tái)積電官方對(duì)外開(kāi)放16nm FinFET技術(shù)

      臺(tái)積電官網(wǎng)宣布推出大學(xué)FinFET專案，目的在于培育未來(lái)半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)人才并推動(dòng)全球?qū)W術(shù)創(chuàng)新。

      2023-02-08 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1k 0

      2021 ~ 2027年IGBT全球市場(chǎng)規(guī)模CAGR將達(dá)7%

      絕緣閘雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT)受益于新能源與碳中和發(fā)展趨勢(shì)，2021~2027年市場(chǎng)規(guī)...

      2023-02-07 標(biāo)簽：IGBT晶體管 1.6k 0

      了解功率半導(dǎo)體分立器件分類有哪些！

      全控器件：通過(guò)控制信號(hào)既能夠控制其導(dǎo)通，又能夠控制其關(guān)斷的功率半導(dǎo)體分立器件， 器件有絕緣柵雙極晶體管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管、門極可關(guān)斷晶閘管等；

      2023-02-07 標(biāo)簽：晶體管分立器件功率半導(dǎo)體 2.5k 0

      IMEC發(fā)布芯片微縮路線圖：2036年進(jìn)入0.2 nm時(shí)代

      在其擴(kuò)展路線圖中，imec 為芯片技術(shù)的未來(lái)提出了一條替代路徑，在架構(gòu)、材料、晶體管的新基本結(jié)構(gòu)以及……范式轉(zhuǎn)變方面進(jìn)行了根本性的改變。到 2036 年...

      2023-02-06 標(biāo)簽：芯片晶體管半導(dǎo)體行業(yè) 2.1k 0

      晶體管的類型及工作原理

      晶體管大致可以分為“NPN”和“PNP”兩種類型。主要是根據(jù)集電極引腳側(cè)在電路中是吸入還是輸出電流來(lái)區(qū)分使用晶體管。 如果想根據(jù)輸入信號(hào)進(jìn)行開(kāi)關(guān)，...

      2023-02-05 標(biāo)簽：電路晶體管pnp 3.7k 0

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      傳感新品 【南京醫(yī)科大學(xué)：開(kāi)發(fā)基于自驅(qū)動(dòng)力學(xué)柵突觸晶體管的感內(nèi)存算觸覺(jué)傳感器】 生物力學(xué)信號(hào)的監(jiān)測(cè)對(duì)疾病的早期診斷和術(shù)后評(píng)估有重要意義，模擬皮膚機(jī)械感受...

      2023-02-05 標(biāo)簽：傳感器晶體管 1.3k 0

      MOS晶體管的工作原理

      MOS晶體管的工作原理

      　　MOS管的全稱是 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。

      2023-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS管晶體管 2.6k 0

      什么是MOS管？NMOS、PMOS和三極管的區(qū)別

      什么是MOS管？NMOS、PMOS和三極管的區(qū)別

      　　MOS管是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管，有G(gate 柵極)/D(drain 漏極)/S(source 源極)三個(gè)端口，分為PMOS管(P溝道型)和NMOS(N...

      2023-02-03 標(biāo)簽：三極管MOS管NMOS 2.0萬(wàn) 0

      MOSFET基本特性及MOSFET放大器介紹

      MOSFET基本特性及MOSFET放大器介紹

      　　概念：Mental-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)，簡(jiǎn)稱...

      2023-02-03 標(biāo)簽：放大器MOSFET信號(hào) 5k 0

      MOSFET相對(duì)于三極管的優(yōu)勢(shì)

      MOSFET相對(duì)于三極管的優(yōu)勢(shì)

      　　其中一個(gè)優(yōu)勢(shì)是，MOSFET 器件在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中使用 應(yīng)用非常重要。MOSFET 晶體管更加容易驅(qū)動(dòng)，因?yàn)槠淇刂齐姌O與導(dǎo)電器件隔離，所以不需要連續(xù)...

      2023-02-03 標(biāo)簽：三極管電容器MOSFET 2k 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        四軸飛行器
        +關(guān)注
        四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過(guò)改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
      • SDK
        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • 基站測(cè)試
        基站測(cè)試
        +關(guān)注
        802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests） 在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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      jf_06730664 鬼不愁 jf_78150839 首金田SJT jf_67310868 jf_33630924 海水一滴 efans_80e021 jf_77234663 愛(ài)笑的y jf_80780083 jf_29010282

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