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標簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關,能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關速度可以非???,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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或者,如果您正在構建的電路需要不同的電壓電平。假設您有一個電路,其中的微控制器需要5V,電機需要12V。您可以只使用一個12V電源,并添加一個為微控制器...
2022-11-09 標簽:電感器線性穩(wěn)壓器晶體管 3.4k 0
什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組?特性是什么?主要應用哪里?
IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管) ? 電力電子領域核心開關器件,通過柵極電壓...
實際上,到那時,英特爾的領先優(yōu)勢已經(jīng)幾近于無。當時臺積電(TSMC)的10納米工藝已經(jīng)投入量產(chǎn)幾個月,制造出iPhone X中使用的蘋果A11 Bion...
回顧華虹半導體功率器件平臺累計出貨量突破500萬片晶圓的介紹
華虹半導體執(zhí)行副總裁范恒先生表示:“功率MOSFET累計出貨量突破500萬片是華虹半導體的一個重要里程碑,越來越多的功率系統(tǒng)設計人員將目光投向我們,尋求...
為什么IGBT的短路耐受時間只有10us?10us又是如何得來的?
為什么IGBT的短路耐受時間只有10us?10us又是如何得來的? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種常用的功率半導體器件,用于控制高功率的電流和電壓...
概倫電子榮獲“中國芯”EDA技術創(chuàng)新獎和產(chǎn)品革新獎
近日,IDAS 2025(第三屆設計自動化產(chǎn)業(yè)峰會)上,“中國芯”第二屆EDA專項獎頒獎儀式隆重舉行。
超材料的存在可以把很多看似不可能的事情變?yōu)榭赡?。周濟以韋塞拉格的思想實驗為例向記者介紹道,當某種物質同時具有負的介電常數(shù)和負的磁導率時,會產(chǎn)生一系列奇異...
N3E工藝的批量生產(chǎn)預期如期進行,其缺陷密度與2020年量產(chǎn)的N5工藝相當。臺積電對N3E的良率評價頗高,目前僅有的采用N3E的處理器——蘋果M4,其晶...
元件損壞型故障的原因有哪些? 元件損壞型故障指的是在電子設備中使用的電子元件因內(nèi)部結構、環(huán)境等多種因素導致?lián)p壞或失效,導致整個電子設備無法正常工作的故障...
PMOS和NMOS為什么不能同時打開?PMOS可以背靠背使用,那NMOS呢?
PMOS和NMOS為什么不能同時打開?PMOS可以背靠背使用,那NMOS呢? PMOS和NMOS是兩種不同的MOSFET(MOS場效應晶體管)。這兩種晶...
Leonardo是一個跨歐洲項目所支持的4臺新超級計算機之一,這一批將建的超級計算機,旨在提高歐洲地區(qū)的高性能計算能力。
三星、臺積電從FinFET晶體管向3nm和2nm新型全柵場效應晶體管過渡
一些晶圓代工廠仍在基于下一代全能柵極晶體管開發(fā)新工藝,包括更先進的高遷移率版本,但是將這些技術投入生產(chǎn)將是困難且昂貴的。
在200mm晶圓上制造碳納米管場效應晶體管,制造過程加快了1100倍以上
通過使用與制造硅基晶體管相同的設備,可以實現(xiàn)這種快速生產(chǎn)。碳納米管場效應晶體管(CNFET)比當前的硅芯片具有更高的能源效率,可用于制造新型的三維處理器...
集成電路是現(xiàn)代電子信息技術的基礎 隨著科技的不斷發(fā)展,集成電路技術已成為現(xiàn)代電子信息技術的基礎之一。它的應用范圍已經(jīng)涉及到電子、通信、計算機、軍事等行業(yè)...
堅持多年的豐田也妥協(xié)了,正式加入電動汽車造車隊伍;三星與IBM公布全新的晶體管設計,功耗節(jié)省85%
堅持多年的豐田也妥協(xié)了,正式加入電動汽車造車隊伍 ? 不久前,豐田搞了一個大型的發(fā)布會——豐田電動車發(fā)布會。發(fā)布會上,豐田集團的第四代長孫——豐田章男表...
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