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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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數(shù)字晶體管是帶有電阻的晶體管。 有的只在基極串聯(lián)一個(gè)電阻,一般稱(chēng)為R1,有的還在基極和發(fā)射極之間并聯(lián)一個(gè)電阻R2。 電阻R1有多種電阻,類(lèi)似于標(biāo)準(zhǔn)電阻系...
Qorvo推出新一代1200V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)系列
2022年5月11日 –移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布推出新一代1...
數(shù)字晶體管是帶電阻的晶體管, 一些僅在基極上串聯(lián)一只電阻, 一般號(hào)稱(chēng)R1 , 片段在基極與發(fā)射極期間還并聯(lián)一只電阻R2 。電阻R1有冒尖電阻, 好像標(biāo)準(zhǔn)...
通過(guò)與 Exagan 的集成,ST 將擁有市場(chǎng)上最強(qiáng)大的 GaN IP 產(chǎn)品組合,因?yàn)槲覀儗⒛軌蛲瑫r(shí)提供 E 模式和 D 模式 GaN 產(chǎn)品,從而為...
基于有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)的生物傳感器
據(jù)麥姆斯咨詢(xún)報(bào)道,近期,天津大學(xué)胡文平教授團(tuán)隊(duì)利用含羧基的柱狀[5]芳烴(DMP[5]-COOH)作為信號(hào)放大器,制備了一種基于OFET的SiMoT平臺(tái)...
反激式轉(zhuǎn)換器VIPERGAN50用于下一代50W電源中
傳統(tǒng)上,工程師添加外部設(shè)備以提供安全功能并保護(hù)其電路。VIPERGAN50 大大提高效率的事實(shí)意味著 ST 有空間包含更多的安全功能。
H橋馬達(dá)控制器(H-Bridge Motor Controlle)非常簡(jiǎn)單,用起來(lái)也非常有趣,像小時(shí)候玩風(fēng)車(chē)一樣。但是,馬達(dá)是工業(yè)應(yīng)用的基礎(chǔ),用起來(lái)并不簡(jiǎn)單。
半導(dǎo)體行業(yè)在實(shí)現(xiàn)3D架構(gòu)過(guò)程中的重要里程碑
每隔幾個(gè)月就會(huì)有更新?lián)Q代的電子產(chǎn)品問(wèn)世。它們通常更小、更智能,不僅擁有更快的運(yùn)行速度與更多帶寬,還更加節(jié)能,這一切都要?dú)w功于新一代先進(jìn)的芯片和處理器。
HEMT(High Electron Mobility Transistor),高電子遷移率晶體管。這是一種異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,又稱(chēng)為調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體...
5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上FinFET的未來(lái)
雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺(tái)帶來(lái)更高的性能和更低的功耗,但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上,兼顧寄生電容電阻的控制和實(shí)現(xiàn)更高...
2022-05-05 標(biāo)簽:晶體管FinFET泛林集團(tuán) 2.7k 0
雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺(tái)帶來(lái)更高的性能和更低的功耗,但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上,兼顧寄生電容電阻的控制和實(shí)現(xiàn)更高...
一種基于全印刷技術(shù)的低功耗光突觸有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)光電晶體管陣列
為了充分發(fā)揮有機(jī)材料可溶液法處理的優(yōu)勢(shì),研究者們提供了一種結(jié)合噴墨打印技術(shù)和刮涂印刷的全印刷器件制備工藝-使用定點(diǎn)噴墨打印完成電極的構(gòu)筑,并使用刮涂印刷...
MRAM在存算一體上展現(xiàn)出的優(yōu)勢(shì)
磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)是一種基于自旋電子學(xué)的新型信息存儲(chǔ)器件,其核心結(jié)構(gòu)由一個(gè)磁性隧道結(jié)和一個(gè)訪問(wèn)晶體管構(gòu)成。MTJ 呈現(xiàn)“三明治”結(jié)構(gòu),兩層磁性固...
先進(jìn)封裝已成為半導(dǎo)體越來(lái)越普遍的主題
芯片上數(shù)據(jù)的輸入和輸出 (IO) 是計(jì)算的命脈。將內(nèi)存置于芯片上有助于通過(guò)減少通信開(kāi)銷(xiāo)來(lái)減少 IO 需求,但歸根結(jié)底,這是一種有限的擴(kuò)展途徑。處理器必須...
中廣芯源新推SC3987:一款降壓型 PWM 轉(zhuǎn)換器
中廣芯源新推出的SC3987 是一款降壓型 PWM 轉(zhuǎn)換器,典型輸出驅(qū)動(dòng)電流為 3.8A 無(wú)需外加晶體管。設(shè)計(jì)允許它可在 8V~30V 的寬輸入電壓下工...
應(yīng)用材料公司以技術(shù)助力極紫外光和三維環(huán)繞柵極晶體管實(shí)現(xiàn)二維微縮
??應(yīng)用材料公司利用 Stensar?CVD取代旋涂鍍膜以擴(kuò)展二維極紫外光邏輯微縮 ??預(yù)覽最廣泛的三維環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)產(chǎn)品組合,包括兩種全新的IMS...
2022-04-22 標(biāo)簽:晶體管創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用材料公司 3.8k 0
比亞迪半導(dǎo)體榮獲21年度廣東省科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)
4月15日上午,一年一度的省級(jí)科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域最高級(jí)別盛會(huì)——廣東省科技創(chuàng)新大會(huì)在廣州召開(kāi)。會(huì)上頒發(fā)了2021年度廣東省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)。
2022-04-18 標(biāo)簽:晶體管igbt芯片比亞迪半導(dǎo)體 1.7k 0
場(chǎng)效應(yīng)管(FieldEffectTransistor)又稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。由多數(shù)載流子參與...
2022-04-16 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.4萬(wàn) 0
“找到與半導(dǎo)體良好的金屬接觸是一個(gè)與半導(dǎo)體本身一樣古老的問(wèn)題,”斯坦福大學(xué)的研究員 Aravindh Kumar 說(shuō)。“隨著每一種新的半導(dǎo)體被發(fā)現(xiàn)(在我...
GaN材料是第三代半導(dǎo)體的典型代表,具備寬禁帶、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率和高峰值電子漂移速度等優(yōu)質(zhì)性能。因此,GaN材料可以很好地滿(mǎn)足耐高溫、高頻率和功率大...
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