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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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全球最小的SRAM芯片,未來將可適用于先進(jìn)的5納米制程技術(shù)上
愛美科表示,面積能大幅縮小的原因,就在于使用了新的晶體管結(jié)構(gòu)。Unisantis 與愛美科使用的是 Unisantis 所開發(fā)的垂直型環(huán)繞柵極(Surr...
芯片一直是國內(nèi)科技業(yè)界關(guān)心我的熱門話題之一,尤其是華為最近在芯片禁令上受到的困擾,讓人們更深刻的意識到,芯片技術(shù)自主可控的重要性。
晶體管和電子管的區(qū)別 晶體管和電子管都是電子器件,它們分別代表了不同的技術(shù)水平。由于晶體管取代了電子管并成為了現(xiàn)代電子技術(shù)的基石,兩者之間的主要差異有助...
雖然純硅的導(dǎo)電率低,但是有一個(gè)叫DOPING的技術(shù)可以提升半導(dǎo)體的導(dǎo)電率,比如說你注入價(jià)電子為5的磷,有一個(gè)電子將會在系統(tǒng)里自由移動(dòng),這被稱為N型DOPING。
1999年,在專家加強(qiáng)對國內(nèi)芯片企業(yè)支持力度的提議下,當(dāng)時(shí)的國家經(jīng)貿(mào)委政策司與信息產(chǎn)業(yè)部組成聯(lián)合小組,并起草了相關(guān)芯片企業(yè)優(yōu)惠政策條款,這些條款最終在2...
2019-04-10 標(biāo)簽:晶體管深度學(xué)習(xí)寒武紀(jì) 1.6萬 0
目前,高K柵介質(zhì)與金屬柵極技術(shù)已廣泛應(yīng)用于 28mmn 以下高性能產(chǎn)品的制造,它在相同功耗情況下可以使集成電路的性能大幅度提高,泄漏電流大幅下降。
半導(dǎo)體電路可能是20世紀(jì)最偉大的發(fā)明了。1947年,美國電話電報(bào)公司(AT&T)的貝爾實(shí)驗(yàn)室制作出了第一件實(shí)用的半導(dǎo)體設(shè)備晶體管,它開啟了整個(gè)微電子領(lǐng)域...
在發(fā)布會結(jié)束后,怒喵科技創(chuàng)始人李楠表示,以蘋果的奸商程度,過幾個(gè)月蘋果就會推出搭載M2、運(yùn)行macOS的iPad Pro,比M1版MacBook多了磁吸...
2016年發(fā)布ITRS做出預(yù)測,晶體管的尺寸可能將在5年后停止縮減
2016年7月正式發(fā)布的2015年國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS)做出預(yù)測,經(jīng)歷了50多年的微型化,晶體管的尺寸可能將在5年后停止縮減。
先說個(gè)冷笑話,IGBT,不是LGBT,不是性少數(shù)群體的意思……好了,回到正題。 IGBT晶體管,英文全稱是「Insulated Gate Bipolar...
普通達(dá)林頓管內(nèi)部由兩只或多只晶體管的集電極連接在一起復(fù)合而成,其基極b 與發(fā)射極e之間包含多個(gè)發(fā)射結(jié)。
當(dāng)今最常見的三端半導(dǎo)體中的兩種是MOSFET和BJT。MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。它是FET的變體。另一方面,BJT是雙極結(jié)型晶體管。
晶體管的高速度、低電阻率和低飽和開關(guān)的優(yōu)點(diǎn)意味著它們有望在電力電子學(xué)中找到許多應(yīng)用案例。因此,工業(yè)界正在研究新的電力電子系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、電路拓?fù)浜头庋b解決方案...
GTO、GTR、MOSFET和IGBT四種晶體管有何優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)?
GTO、GTR、MOSFET和IGBT四種晶體管有何優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)? GTO、GTR、MOSFET和IGBT常被用于功率電子器件中,各有強(qiáng)項(xiàng)和弱點(diǎn),本文著重...
射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分,其重要性不言而喻。在發(fā)射機(jī)的前級電路中,調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號功率很小,需要經(jīng)過一系列的放大(...
一種被稱為有機(jī)電化學(xué)晶體管(OECT)的新型晶體管技術(shù)
當(dāng)傳感器監(jiān)測到選定的壓力信號傳遞到晶體管時(shí)會產(chǎn)生響應(yīng),隨后傳導(dǎo)并放大這些信號進(jìn)行檢測。近來,一種被稱為有機(jī)電化學(xué)晶體管(OECT)的新型晶體管技術(shù),在低...
用阿拉伯?dāng)?shù)字和單位符號在電阻器表面直接標(biāo)出標(biāo)稱阻值和技術(shù)參數(shù),電阻值單位歐姆用“Ω”表示,千歐用“KΩ”表示,兆歐用“MΩ”表示,吉?dú)W用“GΩ”表示,允...
2020-11-29 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管晶體管 1.5萬 0
HIS 發(fā)布的報(bào)告《5G 經(jīng)濟(jì):5G 技術(shù)將如何助力全球經(jīng)濟(jì)》預(yù)測,未來 5G 技術(shù)將給全球經(jīng)濟(jì)帶來 12 萬億美元的經(jīng)濟(jì)增長,而 2020-2035 ...
1、1948年、在貝爾電話研究所誕生 1948年,晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且,正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。 之...
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