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晶體

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晶體技術(shù)

典型的四種VCSEL結(jié)構(gòu)解析

典型的四種VCSEL結(jié)構(gòu)解析

典型的VCSEL 結(jié)構(gòu)主要由p型 DBR、n 型 DBR與光學(xué)共振腔所組成。上下 DBR提供縱向的光學(xué)共振腔,然而在橫方向的電流局限與光學(xué)局限上仍需進(jìn)一...

2024-12-30 標(biāo)簽:晶體光學(xué)VCSEL 2k 0

芯片制造工藝:晶體生長(zhǎng)、成形

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1.晶體生長(zhǎng)基本流程下圖為從原材料到拋光晶圓的基本工藝流程:2.單晶硅的生長(zhǎng)從液態(tài)的熔融硅中生長(zhǎng)單晶硅的及基本技術(shù)稱為直拉法(Czochralski)。...

2024-12-17 標(biāo)簽:芯片晶體芯片制造 2k 0

如何實(shí)現(xiàn)宏觀疊加態(tài)?

如何實(shí)現(xiàn)宏觀疊加態(tài)?

從較早的單離子運(yùn)動(dòng)態(tài)薛定諤貓[1]開始,一系列越來(lái)越“大”的貓被制備出來(lái)。這里“大”有兩方面含義,一是指宏觀特性的分離尺度大。例如宏觀特性為空間位置時(shí)(...

2023-05-24 標(biāo)簽:耦合晶體量子 2k 0

激光調(diào)制器分類及調(diào)制方案

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通俗地講,激光調(diào)制器就是一類控制激光的元器件,它既不像晶體、鏡片等元件那樣基礎(chǔ),也不像激光器、激光設(shè)備那樣高度集成,是一種集成化程度較高,種類和功能多樣...

2023-05-29 標(biāo)簽:元器件激光晶體 1.9k 0

電子背散射衍射晶體學(xué)織構(gòu)分析與數(shù)據(jù)處理

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晶體的取向,即晶體坐標(biāo)系(CCS)相對(duì)于樣品坐標(biāo)系(SCS)的定位,對(duì)于理解材料的物理和化學(xué)性質(zhì)具有決定性的作用。晶體取向不僅影響材料的力學(xué)性能,如強(qiáng)度...

2025-01-07 標(biāo)簽:晶體材料數(shù)據(jù)處理 1.9k 0

【大尺寸功能晶體】高能量密度單晶金剛石快速生長(zhǎng)

近日,哈爾濱工業(yè)大學(xué)代兵教授、朱嘉琦教授團(tuán)隊(duì)在最新成果中,提出了一種利用等離子體聚集裝置實(shí)現(xiàn)高能量密度快速生長(zhǎng)的方法,并對(duì)等離子體相關(guān)性狀和生長(zhǎng)材料進(jìn)行...

2023-02-09 標(biāo)簽:晶體金剛石能量密度 1.9k 0

鈉離子電池如何實(shí)現(xiàn)80000次超長(zhǎng)循環(huán)?

鈉離子電池如何實(shí)現(xiàn)80000次超長(zhǎng)循環(huán)?

鈉離子電池(NIB)資源豐富、成本低廉,可以作為鋰離子電池的有益補(bǔ)充。然而,Na+(1.02 ?)的半徑比 Li+(0.76 ?)大,容易導(dǎo)致電極材料在...

2023-11-02 標(biāo)簽:電容晶體鈉離子電池 1.9k 0

晶體諧振器的工作原理

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石英晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件,它的基本構(gòu)成大致是:從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片(常用晶片切型分為兩種 : AT切 和...

2024-09-19 標(biāo)簽:晶體石英晶體晶體諧振器 1.9k 0

晶體(Crystal Unit)的規(guī)格和特性

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石英晶片所以能做振蕩電路(諧振)是基于它的壓電效應(yīng),從物理學(xué)中知道,若在晶片的兩個(gè)極板間加一電場(chǎng),會(huì)使晶體產(chǎn)生機(jī)械變形;反之,若在極板間施加機(jī)械力,對(duì)應(yīng)...

2024-05-10 標(biāo)簽:晶體振蕩電路諧振器 1.9k 0

高功率連續(xù)波單頻589nm金剛石鈉導(dǎo)星激光器研究

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面向天文觀測(cè)等領(lǐng)域?qū)Ω吖β蕟晤l 589 nm 鈉導(dǎo)星激光器的應(yīng)用需求,通過(guò)金剛石拉曼諧振及腔內(nèi)倍頻技術(shù)結(jié)合 1 018 nm 摻鐿光纖激光技術(shù),實(shí)現(xiàn)了最...

2023-07-13 標(biāo)簽:晶體激光器光纖 1.9k 0

淺談鋰硫電池電荷儲(chǔ)存聚集反應(yīng)的新機(jī)制

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建立了高時(shí)空分辨電化學(xué)原位液相透射電鏡技術(shù),耦合真實(shí)電解液環(huán)境和外加電場(chǎng),實(shí)現(xiàn)了對(duì)Li–S電池界面反應(yīng)原子尺度動(dòng)態(tài)實(shí)時(shí)觀測(cè)和研究。

2023-09-16 標(biāo)簽:晶體鋰硫電池 1.8k 0

晶振中常見(jiàn)的術(shù)語(yǔ)都有哪些?網(wǎng)友熱議:這應(yīng)該是最全的一篇文章了

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“頻率控制是確保時(shí)鐘和定時(shí)穩(wěn)定性的關(guān)鍵?,F(xiàn)代計(jì)算機(jī)依賴數(shù)字時(shí)鐘,以確保各項(xiàng)操作在精確的時(shí)間間隔內(nèi)進(jìn)行,而無(wú)線電頻率收發(fā)器等設(shè)備則使用模擬時(shí)鐘。先進(jìn)技術(shù)行...

2024-08-16 標(biāo)簽:振蕩器晶體晶振 1.8k 0

常用日系1.6*1.0*0.5mm尺寸的32.768kHz晶體介紹

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32.768kHz晶體有什么用呢?32.768kHz是一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的頻率,32.768kHz的時(shí)鐘晶振產(chǎn)生的振蕩信號(hào)經(jīng)過(guò)石英鐘內(nèi)部分頻器進(jìn)行15次分頻后得到...

2025-02-10 標(biāo)簽:晶體EPSONNDK 1.8k 0

濕法刻蝕是各向異性的原因

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濕法刻蝕通常是各向同性的(即沿所有方向均勻腐蝕),但在某些特定條件下也會(huì)表現(xiàn)出一定的各向異性。以下是其產(chǎn)生各向異性的主要原因及機(jī)制分析:晶體結(jié)構(gòu)的原子級(jí)...

2025-08-06 標(biāo)簽:晶體濕法刻蝕 1.8k 0

采用塊狀晶體材料作為增益介質(zhì)的激光器

空氣中的灰塵顆?;蛘哂袡C(jī)材料可能沉積在激光反射鏡和其它元件上,尤其是涉及到光強(qiáng)很高或者短波長(zhǎng)的情況下。為了長(zhǎng)期穩(wěn)定性工作,激光器外罩需要進(jìn)行封裝。

2023-02-08 標(biāo)簽:放大器晶體激光器 1.8k 0

淺談SiC晶體材料的主流生長(zhǎng)技術(shù)

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在SiC晶體的擴(kuò)徑生長(zhǎng)上比較困難,比如我們有了4英寸的晶體,想把晶體直徑擴(kuò)展到6英寸或者8英寸上,需要花費(fèi)的周期特別長(zhǎng)。

2024-03-04 標(biāo)簽:晶體SiC碳化硅 1.7k 0

溫補(bǔ)晶振的5種分類大家要知道

溫補(bǔ)晶振的5種分類大家要知道

對(duì)于溫補(bǔ)晶振分類有溫度補(bǔ)償晶體振蕩器、壓控晶體振蕩器、恒溫晶體振蕩器和數(shù)字補(bǔ)償晶體振蕩器,這些都是溫補(bǔ)晶振分類,尤其是每一種都有自己獨(dú)特的性能。

2024-01-08 標(biāo)簽:晶體有源晶振溫補(bǔ)晶振 1.6k 0

什么是EBSD(織構(gòu))?

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微觀結(jié)構(gòu)的重要性在材料科學(xué)領(lǐng)域,組織結(jié)構(gòu)是指構(gòu)成材料的微觀結(jié)構(gòu),這些結(jié)構(gòu)包括但不限于晶粒的大小、形狀、分布以及晶粒的取向等。這些微觀特征直接影響材料的宏...

2025-01-21 標(biāo)簽:晶體材料 1.6k 0

基本元器件介紹:晶體二極管

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2023-03-03 標(biāo)簽:二極管元器件晶體 1.6k 0

晶體諧振器構(gòu)造

晶體諧振器構(gòu)造

晶體諧振器里面的晶體指的是石英晶體,化學(xué)式是二氧化硅SiO2。石英的特點(diǎn)是:熱膨脹系數(shù)小、Q值高、絕緣等。

2024-11-20 標(biāo)簽:晶體無(wú)源晶振晶體諧振器 1.6k 0

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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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