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標(biāo)簽 > 晶體
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雙引線晶體或諧振器可以在電路中旋轉(zhuǎn),因?yàn)樗鼪](méi)有極性。
晶體振蕩器指的是從石英諧振器的相應(yīng)方向角切下薄片。石英晶體諧振器簡(jiǎn)稱石英諧振器或晶體、晶振,在封裝形式內(nèi)部增加IC搭建振蕩電源電路的晶體零部件稱為晶體振...
本文旨在介紹人類祖先曾經(jīng)使用過(guò)納米晶體的應(yīng)用領(lǐng)域。 ? 納米技術(shù)/材料在現(xiàn)代社會(huì)中的應(yīng)用與日俱增。納米晶體,這一類獨(dú)特的納米材料,預(yù)計(jì)將在液晶顯示器、發(fā)...
這種作方法屬于“有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法”,通過(guò)在密閉裝置內(nèi)充滿氣體狀原料,在基板上制造出氧化鎵的晶體。該方法與現(xiàn)有的“氫化物氣相外延(HV...
2023-10-12 標(biāo)簽:晶體功率半導(dǎo)體氧化鎵 1.9k 0
溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)是通過(guò)附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。TCXO中,對(duì)石英晶體振子頻率溫度漂...
協(xié)同鈍化和梯度維度鈣鈦礦類材料實(shí)現(xiàn)高效近紅外發(fā)光二極管
這項(xiàng)工作不僅揭示了甲脒鉛基鹵化物鈣鈦礦體系中多維度鈣鈦礦的存在,而且發(fā)現(xiàn)了一種鎘基新型零維類鈣鈦礦材料;為解析鉛鹵鈣鈦礦發(fā)光器件的能量傳輸機(jī)制和研制高效...
在移動(dòng)通信基地站中作為高精度基準(zhǔn)信號(hào)源使用的VCXO代表性產(chǎn)品是日本精工·愛(ài)普生公司生產(chǎn)的VG-2320SC。這種采用與IC同樣塑封的4引腳器件,內(nèi)裝單...
硅頻率控制器晶體替代石英晶體 有望成為未來(lái)市場(chǎng)的寵兒
晶體的主要組成部分是二氧化硅,俗稱石英。石英具有非凡的機(jī)械和壓電特性,使得從19世紀(jì)40年代中期以來(lái)一直作為基本的時(shí)鐘器件。如今,只要需要時(shí)鐘的地方,工...
氮化鋰在550℃的環(huán)境壓力下催化了C60分子之間的共價(jià)鍵,從而產(chǎn)生長(zhǎng)程有序多孔碳晶體。LOPC保持了原始C60晶體的顆粒狀形態(tài)。圖1b顯示了(1)C60...
晶體石英振蕩器是一種利用石英晶體(又稱水晶)的壓電效應(yīng)制成的電子元件,其振蕩頻率具有高精度和穩(wěn)定性。由于其優(yōu)良的性能,石英晶體振蕩器被廣泛應(yīng)用于各種電子...
研究發(fā)現(xiàn)對(duì)鈾原子在GB的分布是由鈾-氧相互作用造成的。CRG和Yakub勢(shì)的這種優(yōu)勢(shì)與之前的研究一致,這兩個(gè)勢(shì)給出了關(guān)于UO2中GBs能量的最佳結(jié)果。雖...
3月11至13日為期三天的慕尼黑上海光博會(huì)正在如火如荼的開(kāi)展,福晶科技為來(lái)訪觀眾展示了最新推出的明星展品。
新疆理化所在抗激光損傷寬帶隙紅外非線性光學(xué)材料研究獲進(jìn)展
在國(guó)家青年人才計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金及新疆自治區(qū)自然科學(xué)基金等的資助下,中國(guó)科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所晶體材料研究中心科研人員利用[Si?S??]超四面體...
Marvell聯(lián)手臺(tái)積電,推出首款2納米生產(chǎn)平臺(tái)
據(jù)報(bào)道,Marvell研發(fā)負(fù)責(zé)人桑狄普·巴拉蒂(Sandeep Bharathi)表示,隨著 AI 負(fù)載量的不斷增加,對(duì)性能、功耗、面積以及晶體密度的要...
國(guó)產(chǎn)碳化硅行業(yè)加速發(fā)展
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底、外延、器件和應(yīng)用四大環(huán)節(jié),襯底與外延占據(jù) 70%的碳 化硅器件成本。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù),碳化硅器件的成本構(gòu)成中,襯底、外延...
2023-06-26 標(biāo)簽:晶體半導(dǎo)體材料碳化硅 1.7k 0
玨芯微電子獲5億融資,推進(jìn)航天高可靠性制冷紅外探測(cè)器二期項(xiàng)目
成立于2019年的浙江玨芯微電子有限公司位于浙江省麗水市,其主營(yíng)業(yè)務(wù)囊括化合物半導(dǎo)體晶體及外延材料、集成電路設(shè)計(jì)、器件工藝、高真空封裝以及精密制冷設(shè)備等...
2024-03-07 標(biāo)簽:集成電路晶體半導(dǎo)體行業(yè) 1.7k 0
晶體生長(zhǎng)相關(guān)內(nèi)容——晶型控制與襯底缺陷
晶體生長(zhǎng)在分析晶體生長(zhǎng)時(shí),我們需要考慮多個(gè)關(guān)鍵因素,這些因素共同影響著晶體生長(zhǎng)的質(zhì)量和進(jìn)程。本文介紹了晶體生長(zhǎng)相關(guān)內(nèi)容,包括:雜對(duì)晶格硬度變化影響、碳化...
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