雙通道ic NU512-雙色溫調(diào)光恒流芯片應(yīng)用

NU512產(chǎn)品應(yīng)用 ? 一般LED照明 ? LCD 背光 ? 商業(yè)照明 ? 燈條、燈帶 ? RGB 裝飾燈 ? LED 手電筒 ? RG...

2023-06-07 標(biāo)簽：晶片恒流芯片 2.1k 0

半導(dǎo)體工藝中化學(xué)機(jī)械拋光后刷洗的理論分析

摘要 化學(xué)機(jī)械平面化后的葉片清洗，特別是刷子擦洗，是半導(dǎo)體器件制造的一個(gè)關(guān)鍵步驟，尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評(píng)估在刷擦洗過(guò)程中去除晶圓表面...

2022-04-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片 2.1k 0

微氣泡對(duì)光刻膠層的影響

關(guān)鍵詞：氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環(huán)保光刻膠去除方法的候選方法。已經(jīng)證明，臭氧微氣泡可以去除...

2022-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻晶片 2.1k 0

倒裝晶片的組裝的回流焊接工藝

倒裝晶片在氮?dú)庵谢亓骱附佑性S多優(yōu)點(diǎn)。在較低氧氣濃度下回流焊接，條件比較寬松，可以獲得很好的焊接良 率。由于減少了氧化，可以獲得更好的潤(rùn)濕效果，同時(shí)工藝窗...

2023-09-26 標(biāo)簽：元件晶片回流焊接 1.9k 0

半導(dǎo)體光刻的工藝過(guò)程（2）

盡管存在從流變學(xué)角度描述旋涂工藝的理論，但實(shí)際上光刻膠厚度和均勻性隨工藝參數(shù)的變化必須通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)確定。光刻膠旋轉(zhuǎn)速度曲線（圖 1-3）是設(shè)置旋轉(zhuǎn)速度以獲...

2022-08-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝光刻 1.9k 0

保護(hù)半導(dǎo)體晶片的“封裝”—保護(hù)晶片避免氣體或液體侵入

完成打線的半導(dǎo)體晶片，為了防止外界物理性接觸或污染的侵入，需要以包裝或是封裝材料密封。

2024-04-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片 1.9k 0

石英晶體切割類型與頻率的關(guān)系

今天這節(jié)課，讓我們來(lái)了解一下石英晶體切割類型與頻率的關(guān)系，所謂晶體切割類型，就是對(duì)晶體坐標(biāo)軸某種取向的切割。石英晶片的切割類型有很多種，不同的切型其物理...

2024-07-22 標(biāo)簽：頻率石英晶體晶片 1.8k 0

晶片清洗和熱處理對(duì)硅片直接鍵合的影響

本實(shí)驗(yàn)通過(guò)這兩種清洗方法進(jìn)行標(biāo)識(shí)分為四個(gè)實(shí)驗(yàn)組，進(jìn)行了清洗實(shí)驗(yàn)及室溫接合， 以上工藝除熱處理工藝外，通過(guò)最小化工序內(nèi)部時(shí)間間隔，抑制清洗的基板表面暴露在...

2022-05-16 標(biāo)簽：晶片硅片鍵合 1.8k 0

硝酸濃度對(duì)硅晶片總厚度和重量損失的影響

新的微電子產(chǎn)品要求硅(Si)晶片變薄到厚度小于150 μm。機(jī)械研磨仍然會(huì)在晶片表面產(chǎn)生殘余缺陷，導(dǎo)致晶片破裂，表面粗糙。因此，化學(xué)蝕刻方法主要用于生產(chǎn)...

2022-06-14 標(biāo)簽：集成電路蝕刻晶片 1.7k 0

高頻聲能清洗半導(dǎo)體晶片的方法

我們研究了使用超臨界二氧化碳 (SCCO2)/化學(xué)添加劑配方去除離子注入光刻膠的方 法。通過(guò) SEM 和 XPS 分析對(duì)加工樣品的離子注入表面進(jìn)行表征表...

2022-03-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造晶片 1.7k 0

用于扇出型晶圓級(jí)封裝的銅電沉積

高密度扇出型封裝技術(shù)滿足了移動(dòng)手機(jī)封裝的外形尺寸與性能要求，因此獲得了技術(shù)界的廣泛關(guān)注。

2020-07-13 標(biāo)簽：集成電路晶圓晶片 1.7k 0

晶片濕法刻蝕技術(shù)研究

文介紹了我們?nèi)A林科納研究了整個(gè)濕蝕過(guò)程中的完整性，它給出了一些確保這種保護(hù)的提示，并提出了評(píng)估這種保護(hù)的相關(guān)新方法，用光刻膠制作材料的濕圖案需要材料的完...

2022-05-16 標(biāo)簽：蝕刻晶片 1.6k 0

用于異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池應(yīng)用的Na2CO3溶液的硅片紋理化

引言 在太陽(yáng)能電池工業(yè)中，最常見的紋理化方法之一是基于氫氧化鈉或氫氧化鉀的水溶液和異丙醇(IPA)。然而，IPA是有毒的，而且相對(duì)昂貴，因此人們正在努力...

2022-01-05 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池太陽(yáng)能半導(dǎo)體 1.6k 0

操作參數(shù)對(duì)蝕刻速率和均勻性的影響

本研究的目的是開發(fā)和應(yīng)用一個(gè)數(shù)值模型來(lái)幫助設(shè)計(jì)和操作CDE工具，為此，我們編制了第一個(gè)已知的NF3/02氣體的等離子體動(dòng)力學(xué)模型，通過(guò)與實(shí)驗(yàn)蝕刻速率數(shù)據(jù)...

2022-04-08 標(biāo)簽：蝕刻晶片CDE 1.6k 0

多晶硅表面紋理化的典型方法

濕化學(xué)蝕刻是多晶硅表面紋理化的典型方法,濕化學(xué)蝕刻法也是多晶體硅表面鋸切損傷的酸織構(gòu)化或氫氧化鉀鋸切損傷去除后的兩步化學(xué)蝕刻,這些表面紋理化方法是通過(guò)在...

2022-03-28 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 1.6k 0

倒裝晶片的組裝工藝流程

相對(duì)于其他的IC元件，如BGA和CSP等，倒裝晶片裝配工藝有其特殊性，該工藝引入了助焊劑工藝和底部填充工 藝。因?yàn)橹竸埩粑铮▽?duì)可靠性的影響）及橋連的...

2023-09-22 標(biāo)簽：芯片貼裝晶片 1.6k 0

金屬蝕刻殘留物對(duì)對(duì)等離子體成分和均勻性的影響

本文研究了金屬蝕刻殘留物，尤其是鈦和鉭殘留物對(duì)等離子體成分和均勻性的影響。通過(guò)所謂的漂浮樣品的x射線光電子能譜分析來(lái)分析室壁，并且通過(guò)光發(fā)射光譜來(lái)監(jiān)測(cè)C...

2022-05-05 標(biāo)簽：等離子蝕刻晶片 1.6k 0

Si晶圓表面金屬在清洗液中的應(yīng)用研究

隨著器件的集成化，對(duì)Si晶片的要求也變得更加嚴(yán)格，降低晶片表面的金屬污染變得重要，這是因?yàn)镾i晶片表面的金屬污染被認(rèn)為是氧化膜耐壓和漏電流等電特性劣化的...

2022-03-28 標(biāo)簽：晶圓檢測(cè)晶片 1.6k 0

RCA清潔變量對(duì)顆粒去除效率的影響

摘要 在濕化學(xué)加工中，制造需要表面清潔度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工藝參數(shù)，特別是對(duì)于常見的清潔技術(shù)RCA clean (SC-1和SC-2) ...

2021-12-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體超聲波蝕刻 1.6k 0

通過(guò)兩步濕法刻蝕法制備黑硅

本研究對(duì)黑硅的形成進(jìn)行了兩步短濕蝕刻處理,所建議的結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)步驟。第一步：濕酸性蝕刻凹坑狀形態(tài)，具有降低紋理化溫度的新解決方案；第二步：通過(guò)金屬輔助蝕...

2022-03-29 標(biāo)簽：工藝晶片刻蝕 1.6k 0