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標簽 > 晶閘管
晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡稱,又被稱做可控硅整流器,以前被簡稱為可控硅;1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第一款晶閘管產(chǎn)品,并于1958年將其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導體結構
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晶閘管可控硅是由單晶硅材料制成的。單晶硅是一種高純度的硅材料,可以通過化學氣相沉積或其他物理和化學方法來制備。晶閘管可控硅中的硅晶體為N型或P型半導體材...
變頻器又稱為變頻調速器,是一種用于控制交流電機轉速的電子設備。它通過改變電機的供電頻率來調整電機轉速,從而實現(xiàn)對電機的精確控制。它廣泛應用于各種機械設備...
IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor,集成門控晶閘管)和GTO(Gate Turn-Off thyrist...
晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件,包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應管、晶閘管等。晶體管具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號...
超大功率晶閘管(Ultra-large Power Thyristor,簡稱ULTRA-T)是一種用于高電壓、高電流場合的功率半導體器件,通常應用于工...
晶閘管(Thyristor)是一種四層三端半導體器件,也被稱為硅控制整流器(SCR)。它具有單向導電性,可以通過門極(Gate)控制其導通和關斷。晶閘管...
晶閘管交流調功電路是一種利用晶閘管(Thyristor)對交流電進行控制的電路,廣泛應用于電加熱、電化學、電力電子等領域。晶閘管交流調功電路的控制方式多...
氮化鎵功率器件可以分為三類:MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)、IGBT(晶閘管)和JFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。
晶閘管的關斷時間是指從晶閘管完全導通狀態(tài)到完全關斷狀態(tài)所需的時間。這個參數(shù)對晶閘管在高頻應用中的性能至關重要。
功率半導體自20世紀50年代開始發(fā)展起來,至今形成以二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等為代表的多世代產(chǎn)品體系。新技術、新產(chǎn)品的誕生拓寬了原有產(chǎn)品和...
光控晶閘管的工作原理是利用光控電阻效應來控制晶閘管的導通。其內部包含了一個光敏元件和一個晶閘管,其中光敏元件通常是一個光控電阻。當光線照射到光敏元件時,...
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