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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。
合成方法
1、即使在1000℃氮與鎵也不直接反應(yīng)。在氨氣流中于1050～1100℃下加熱金屬鎵30min可制得疏松的灰色粉末狀氮化鎵GaN。加入碳酸銨可提供氣體以攪動液態(tài)金屬，并促使與氮化劑的接觸。
2、在干燥的氨氣流中焙燒磨細(xì)的GaP或GaAs也可制得GaN。
在多路輸出反激式電源中，如果希望每一路輸出都具備良好的調(diào)節(jié)精度，最常見的做法，是在反激級之后增加DC-DC后級穩(wěn)壓器。
氮化鎵（GaN）作為一種第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其高電子遷移率和高擊穿電場等優(yōu)異特性，已在5G通信基站、數(shù)據(jù)中心電源及消費(fèi)電子快充等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)...
在文章"提升開關(guān)頻率（一） 芯導(dǎo)科技MOSFET工藝結(jié)構(gòu)的發(fā)展與演進(jìn)"中，我們介紹了芯導(dǎo)科技MOSFET產(chǎn)品針對高頻需求的工藝發(fā)展路線。
深圳爭妍微電子《快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時間（trr）選型核心：從25ns到500ns，不同應(yīng)用場景匹配技巧》
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2025-12-24 標(biāo)簽：可控硅快恢復(fù)二極管SiC 3.3k 0
產(chǎn)品應(yīng)用多面性氮化鎵是半導(dǎo)體領(lǐng)域后起之秀中的“六邊形戰(zhàn)士”，綜合性能全面，而射頻應(yīng)用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性...
案例分析：米物140W 3C1A智顯秒充氮化鎵充電器CA514 Pro
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30W氮化鎵全電壓認(rèn)證方案1.方案介紹及產(chǎn)品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得...
透射電鏡在氮化鎵器件研發(fā)中的關(guān)鍵作用分析
在半導(dǎo)體材料的研究領(lǐng)域中，透射電子顯微鏡（TEM）已成為一種不可或缺的分析工具。它能夠讓我們直接觀察到氮化鎵（GaN）外延片中原子級別的排列細(xì)節(jié)——這種...
2025-10-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵透射電鏡 6.6k 0
?TPS7H60x5系列輻射硬化保證型GaN FET柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔摘要
TPS7H60x5 系列抗輻射性 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括TP...
2025-09-26 標(biāo)簽：FET場效應(yīng)晶體管氮化鎵 8.2k 0
PC5012氮化鎵 PIIP 單片集成電路數(shù)據(jù)手冊立即下載
類別：IC datasheet pdf 2026-03-11 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵
Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管的高級SPICE模型立即下載
類別：電子資料 2025-02-13 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管氮化鎵Nexperia
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意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN系列氮化鎵功率開關(guān)管半橋的第二代產(chǎn)品MasterGaN6，該功率系統(tǒng)級封裝（SiP）在一個封裝內(nèi)集成新的BCD柵極驅(qū)動...
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3月11日，以“智驅(qū)未來?芯聚生態(tài)”為主題的 2026第三屆功率半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用與裝備展覽會暨金剛石產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展論壇 在 合肥 舉行。大會匯聚了來自產(chǎn)業(yè)...
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功率模塊前沿技術(shù)解析：寬禁帶+高集成，引領(lǐng)電力電子新趨勢
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憑借其3.0MV/cm的高擊穿電場及2.9×10?cm/s的高電子飽和漂移速度，已成為高功率、高頻電子器件領(lǐng)域的核心材料?；贕aN的高電子遷移率晶體管...
低阻高導(dǎo)｜捷捷微電 JMSL1006PG 助力小米大功率氮化鎵充電方案
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2026年2月，美鎵傳感在新一輪股權(quán)融資中獲得國新國證投資的領(lǐng)投，這是公司自合肥市產(chǎn)投資本和合肥高新投投資后的第二輪融資。 國新國證投資是中國國新、國新...
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晶圓切割機(jī)技術(shù)升級破解碳化硅/氮化鎵低損傷切割難題碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體核心材料，憑借高擊穿電壓、高導(dǎo)熱系數(shù)、耐高溫等優(yōu)異特...
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