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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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美研究員設(shè)計出垂直集成氮化鎵LED結(jié)構(gòu),有助提升LED顯示器效率
美國羅徹斯特理工學(xué)院(Rochester Institute of Technology)的研究者新設(shè)計出一種垂直集成氮化鎵LED結(jié)構(gòu),有助于提高Mic...
是時候采用氮化鎵功率器件設(shè)計DC/DC轉(zhuǎn)換器了
很多工程師提問關(guān)于氮化鎵(GaN)及碳化硅(SiC)的異同。GaN和SiC都是寬帶隙半導(dǎo)體,因此可以在更小、更快的器件中處理比硅更多的功率。GaN的一個...
2019-03-14 標簽:轉(zhuǎn)換器功率器件氮化鎵 6.7k 0
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好...
2019-03-12 標簽:氮化鎵 3.6萬 0
山大氮化鎵單晶襯底項目由山東加睿晶欣新材料股份有限公司與山東大學(xué)進行產(chǎn)學(xué)研合作,將氮化鎵單晶襯底實驗室成果實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的重點項目。項目總投資15億元,總建...
2019-03-08 標簽:半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈 1.0萬 0
眾所周知,我國現(xiàn)在正在大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè),第三代半導(dǎo)體作為下一代電子產(chǎn)品的重要材料和元件,自然也受到了重點關(guān)注。
車規(guī)級eGaN?FET使得激光雷達系統(tǒng)看到更清晰、更高效、成本更低、更可靠
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)進一步擴大車規(guī)級氮化鎵產(chǎn)品系列 – 再多兩個產(chǎn)品成功通過國際汽車電子協(xié)會所制定的AEC Q101分立器件應(yīng)力測試認證。
過去一些年,功率電子行業(yè)的工程師一直處于一個非常尷尬的境地,一方面他們無法在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率,但同時又不希望增大設(shè)備所需的空間。
Anker推出全球首款采用氮化鎵材料的充電器 體積只比蘋果萬年5W充電器略大一些
氮化鎵(GaN)被業(yè)界稱為第三代半導(dǎo)體材料,應(yīng)用范圍非常廣,包括半導(dǎo)體照明、激光器、射頻等,而用在充電器上可在超小體積上實現(xiàn)大功率輸出。
是否有其他可能引發(fā)功率GaN市場爆炸的殺手級應(yīng)用呢?
市場在引入新技術(shù)時,成本是需要考慮的關(guān)鍵因素之一,但目前成本不是GaN的優(yōu)勢。GaN器件的主要競爭者是硅基MOSFET,后者已經(jīng)上市多年,提供非常具有競...
Yole電力電子技術(shù)與市場分析師Ana Villamor與意法半導(dǎo)體功率RF和GaN產(chǎn)品部經(jīng)理Filippo Di Giovanni會面,討論意法半導(dǎo)體...
2018-12-24 標簽:意法半導(dǎo)體氮化鎵 6.6k 0
在多倫多一個飄雪的寒冷日子里。 我們幾個人齊聚在本地一所大學(xué)位于地下的高級電力電子研究實驗室中,進行一場頭腦風(fēng)暴。有點諷刺意味的是,話題始終圍繞著熱量,...
耐威科技表示,本次“8 英寸硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延晶圓”的研制成功,使得聚能晶源成為截至目前公司已知全球范圍內(nèi)領(lǐng)先的可提供具備長時可靠性的...
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