邏輯電平轉(zhuǎn)換電路原理講解

當(dāng)LV連接器的TXI-1為3V3高電平信號(hào)(LV排針接3V3，HV排針接5V)時(shí)，Q1 mos管的柵極和源極之間的壓降為0V(TXI-1與LV排針之間的...

2023-03-16 標(biāo)簽：連接器MOS管轉(zhuǎn)換電路 5.5k 0

源極跟隨器電路參數(shù)講解(1)

源極跟隨器電路輸入阻抗的確定方法，與之前源極接地放大電路輸入阻抗確定方法類似。

2023-08-31 標(biāo)簽：跟隨器源極輸入阻抗 5.2k 0

源極跟隨器電路分析

源極跟隨器就是源極跟隨輸入信號(hào)（柵極電位）動(dòng)作的電路。它的輸出阻抗很低，可以用于電動(dòng)機(jī)、揚(yáng)聲器等重負(fù)載/低阻抗負(fù)載的驅(qū)動(dòng)，

2023-08-31 標(biāo)簽：電路分析跟隨器電動(dòng)機(jī) 5.1k 0

源極跟隨器電路設(shè)計(jì)

在之前章節(jié)的源極接地放大電路中，輸出是從FET的漏極得到，因此源極電阻Rs的壓降，對(duì)于輸出而言是無異議的，屬于無功損耗。

2023-08-31 標(biāo)簽：MOSFET放大電路電路設(shè)計(jì) 4.2k 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

　　功率電路中常用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的MOSFET(還有橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)的MOSFET，但很少用于耐高壓的功率電路中)，如下圖是這種MOSFET的分層結(jié)構(gòu)圖。

2023-02-16 標(biāo)簽：電阻MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 3.5k 0

源極跟隨器電路參數(shù)講解(2)

針對(duì)上一篇提到的當(dāng)負(fù)載值減小，導(dǎo)致輸出波形失真的問題。還有一個(gè)辦法是用P溝道JFET替代源極跟隨器電路中的Rs。這也被稱為推挽源極跟隨器。

2023-08-31 標(biāo)簽：二極管跟隨器源極 3.4k 0

深入探討MOS管的工作原理

　　以Ntype MOS晶體管為例，探討MOS管的工作原理。

2023-02-03 標(biāo)簽：MOS管晶體管MOS 2.9k 0

【科普小貼士】MOSFET的性能：電容的特性

【科普小貼士】MOSFET的性能：電容的特性

2023-11-23 標(biāo)簽：MOSFET電容源極 2.9k 0

mos管的源極和柵極短接

當(dāng)MOS管的源極與柵極意外短接時(shí)，可能導(dǎo)致電路失控，產(chǎn)生電流暴走、靜電隱形殺手等問題。因此，必須嚴(yán)格遵守MOS管的操作規(guī)范，避免短接事故的發(fā)生。

2025-06-26 標(biāo)簽：柵極源極MOS器件 2.5k 0

【科普小貼士】MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理

【科普小貼士】MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理

2023-12-13 標(biāo)簽：MOSFET柵極源極 2.5k 0

漏極和源極之間產(chǎn)生的浪涌

開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，線路和電路板版圖的電感之中會(huì)直接積蓄電能（電流能量）。當(dāng)該能量與開關(guān)器件的寄生電容發(fā)生諧振時(shí)，就會(huì)在漏極和源極之間產(chǎn)生浪涌。下面將利用圖1來...

2023-06-29 標(biāo)簽：MOSFET源極漏極 2.4k 0

【科普小貼士】什么是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）

【科普小貼士】什么是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）

2023-12-13 標(biāo)簽：JFET晶體管源極 2.3k 0

關(guān)于MOSFET功率損耗的三個(gè)誤解

數(shù)據(jù)手冊(cè)就是電子元件的使用說明書，在電路設(shè)計(jì)之前，十分有必要通讀數(shù)據(jù)手冊(cè)，并了解產(chǎn)品的重要性能參數(shù)。在MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)中極限值表格中的總功率損耗P...

2023-05-15 標(biāo)簽：MOSFET電子元件參數(shù) 2.2k 0