IGBT芯片自身的短路分析

這里，我們只關(guān)注IGBT芯片自身的短路，不考慮合封器件中并聯(lián)的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。

2023-12-05 標(biāo)簽：IGBT漏電流驅(qū)動(dòng)電阻 1.3萬(wàn) 0

電路基礎(chǔ)知識(shí)分享之安規(guī)耐壓與漏電流

A這是許多產(chǎn)品制造商最想問(wèn)的一個(gè)問(wèn)題，當(dāng)然最普遍的回答是“因?yàn)榘惨?guī)標(biāo)準(zhǔn)中有規(guī)定?！比裟苌钊肓私怆姎獍惨?guī)的背景，便會(huì)發(fā)現(xiàn)它背后所隱含的責(zé)任與意義。電氣安...

2017-10-30 標(biāo)簽：漏電流電路基礎(chǔ)知識(shí) 1.3萬(wàn) 0

芯片的幾個(gè)重要測(cè)試環(huán)節(jié)-CP、FT、WAT

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝后測(cè)試組成。而測(cè)試環(huán)節(jié)主要集中在CP（chip probing）、FT（Final Test）和WAT...

2023-12-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓芯片封裝 1.3萬(wàn) 0

光電二極管電路中的漏電流和帶寬解析

在這里，我們將介紹您可能需要在光電二極管電路中的跨阻放大器中調(diào)整的兩個(gè)概念：漏電流和帶寬。

2021-06-23 標(biāo)簽：帶寬光電二極管漏電流 1.1萬(wàn) 0

美標(biāo)UL2231(CCID-20)?中漏電流保護(hù)要求簡(jiǎn)析

單位：浙江巨磁智能技術(shù)有限公司 ? ? ? ? ?作者：Irving.Yang 2021年11月15日，拜登簽署了總額約1.2萬(wàn)億美元的《基礎(chǔ)設(shè)施投資和...

2023-07-25 標(biāo)簽：傳感器漏電流 1.1萬(wàn) 0

請(qǐng)問(wèn)感生電動(dòng)勢(shì)大小和方向如何去判定呢？

由于磁通變化而在導(dǎo)體或線圈中產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱為電磁感應(yīng)。由電磁感應(yīng)產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)稱為感生電動(dòng)勢(shì)。

2023-08-16 標(biāo)簽：電動(dòng)勢(shì)電磁感應(yīng)漏電流 1.0萬(wàn) 0

介質(zhì)損失角正切值tanδ試驗(yàn)分析

電介質(zhì)又稱絕緣介質(zhì)，也就是絕緣材料。絕緣材料在電場(chǎng)的作用下，總會(huì)流過(guò)一定的電流，以發(fā)熱的形式產(chǎn)生能量損耗。

2023-08-21 標(biāo)簽：電阻器隔離電源可變電容器 9.9k 0

FinFET是什么？22nm以下制程為什么要引入FinFET呢？

隨著芯片特征尺寸的不斷減小，傳統(tǒng)的平面MOSFET由于短溝道效應(yīng)的限制，難以繼續(xù)按摩爾定律縮小尺寸。

2024-03-26 標(biāo)簽：MOSFET摩爾定律晶體管 9.2k 0

開(kāi)關(guān)電源接地、漏電流、耐壓測(cè)試介紹

開(kāi)關(guān)電源是電子設(shè)備中常用的電源模塊，其作用是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，為設(shè)備提供穩(wěn)定的電壓。為了保證開(kāi)關(guān)電源的安全性和可靠性，需要進(jìn)行接地、漏電流和耐壓測(cè)試...

2024-01-11 標(biāo)簽：萬(wàn)用表開(kāi)關(guān)電源漏電流 9k 1

小電流接地系統(tǒng)中為什么采用中性點(diǎn)經(jīng)消弧線圈接地呢？

中性點(diǎn)經(jīng)消弧線圈接地方式，是在中性點(diǎn)和大地之間接入一個(gè)電感消弧線圈，在系統(tǒng)發(fā)生單相接地故障時(shí)，利用消弧線圈的電感電流對(duì)接地電容電流進(jìn)行補(bǔ)償，使流過(guò)接地點(diǎn)...

2023-04-01 標(biāo)簽：電容器電力系統(tǒng)電感電流 8.5k 0

“漏電流”與“泄露電流”的區(qū)別

“漏電流”與“泄露電流”兩個(gè)專業(yè)名詞十分相似，導(dǎo)致很多工程師對(duì)著兩個(gè)量經(jīng)?；煜瞪捣植磺宄?。 實(shí)際上他們之間的實(shí)質(zhì)截然不同，一個(gè)是用電器在輸入正常電壓...

2023-09-10 標(biāo)簽：電源電流電器 7.6k 0

數(shù)字源表如何測(cè)試MOS管電性能

MOSFET(金屬—氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是 一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制其電流大小的常見(jiàn)半導(dǎo)體器件，可 以 廣 泛 應(yīng) 用 在 模 擬 電 路 和 數(shù) ...

2022-12-09 標(biāo)簽：測(cè)試MOSFETMOS管 7.2k 0

求一種組串式逆變器針對(duì)P型、N型光伏組件PID效應(yīng)的解決方案

近期有客戶詢問(wèn)關(guān)于PID效應(yīng)的問(wèn)題，希望了解PID效應(yīng)原理以及P型、N型光伏組件PID機(jī)理和區(qū)別。

2024-01-12 標(biāo)簽：逆變器光伏漏電流 7.2k 0