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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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在切割脆性 SiC 晶片時(shí),必須減少或完全消除機(jī)械鋸切的邊緣崩裂現(xiàn)象。單晶切割還應(yīng)將材料的機(jī)械變化降至最低。同時(shí)還應(yīng)優(yōu)先考慮最大限度地減小切口寬度,以限...
SiC(碳化硅)功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件,它是繼硅(Si)和氮化鎵(GaN)之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。SiC以其優(yōu)異...
SiC(碳化硅)二極管在大功率電源上的應(yīng)用,正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)重要技術(shù)革新。其憑借高能效、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及優(yōu)越的電氣特性,在多個(gè)大功...
SiC二極管,全稱(chēng)SiC碳化硅勢(shì)壘二極管,也被稱(chēng)為SiC碳化硅肖特基二極管(SiC SBD),是碳化硅(SiC)功率器件的一種,屬于第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)...
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)都是當(dāng)前半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者,它們各自具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),應(yīng)用領(lǐng)域也有所不同。以下是對(duì)兩者優(yōu)勢(shì)的比較: 氮化鎵(GaN)...
2024-09-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 5.3k 0
引言 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是兩種具有重要應(yīng)用前景的第三代半導(dǎo)體材料。它們具有高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),被廣泛...
2024-09-02 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料氮化鎵 3.8k 0
安森美OBC系統(tǒng)解決方案設(shè)計(jì)指南
“OBC系統(tǒng)解決方案設(shè)計(jì)指南”又上新了,第一篇文章介紹了系統(tǒng)用途、系統(tǒng)實(shí)施方法、系統(tǒng)說(shuō)明、市場(chǎng)趨勢(shì)和標(biāo)準(zhǔn)等,本文將繼續(xù)介紹解決方案概述及拓?fù)洹?/p>
碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)器的選擇標(biāo)準(zhǔn)
利用集成負(fù)偏壓來(lái)關(guān)斷柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)電動(dòng)汽車(chē)、不間斷電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和泵等高功率應(yīng)用時(shí),系統(tǒng)工程師更傾向于選擇碳化硅 (SiC) MOSFET,因?yàn)榕c I...
2024-08-20 標(biāo)簽:MOSFET安森美柵極驅(qū)動(dòng)器 1.4k 0
SiC(碳化硅)器件在電源中的應(yīng)用日益廣泛,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使得SiC成為提升電源效率、可靠性及高溫、高頻性能的關(guān)鍵材料。以下將詳細(xì)探討SiC器件...
直流快速電動(dòng)汽車(chē)充電器的設(shè)計(jì)技巧與解決方案
便捷高效的充電對(duì)于所有電池供電的電動(dòng)汽車(chē)(BEV)的成功至關(guān)重要,可用充電的地方越多,充電速度越快,消費(fèi)者就越有可能購(gòu)買(mǎi)純電動(dòng)汽車(chē)而不是化石燃料汽車(chē)。本...
2024-08-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)充電器碳化硅 1.4k 0
碳化硅MOSFET的開(kāi)關(guān)尖峰問(wèn)題與TVS保護(hù)方案
在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET因其高效率、高頻率和高溫性能而備受青睞。然而,即使性能卓越,SiC MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中也可能面臨電壓尖...
在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中,集成功率模塊(IPM,IntegratedPowerModule)憑借其高集成度和優(yōu)良的性能,廣泛用于電力電子轉(zhuǎn)換系統(tǒng),如電機(jī)驅(qū)動(dòng)...
金剛石、碳化硅和晶體硅都是由碳元素構(gòu)成的晶體材料,它們具有不同的晶體結(jié)構(gòu)和化學(xué)性質(zhì)。 一、晶體結(jié)構(gòu) 金剛石 金剛石是一種具有四面體結(jié)構(gòu)的碳原子晶體。每個(gè)...
1.碳化硅和晶體硅的熔點(diǎn)比較,碳化硅的熔點(diǎn)更高。 具體來(lái)說(shuō),碳化硅的熔點(diǎn)大于2700℃,并且其沸點(diǎn)高于3500℃。而晶體硅的熔點(diǎn)則為1410℃(也有資料...
以下是關(guān)于碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊穿電場(chǎng)。這使...
2024-08-08 標(biāo)簽:晶圓逆變器半導(dǎo)體材料 5.1k 0
碳化硅器件的應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)是一種以碳和硅為主要成分的半導(dǎo)體材料,近年來(lái)在電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用迅速發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅材料,碳化硅具有更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率和...
了解半導(dǎo)體器件的失效模式是制定篩選、鑒定和可靠性測(cè)試的關(guān)鍵,這些測(cè)試可以確保器件在數(shù)據(jù)表規(guī)定的限制范圍內(nèi)運(yùn)行,并滿(mǎn)足汽車(chē)和其他電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中對(duì)每十億個(gè)部...
碳化硅晶體的生長(zhǎng)原理 在自然界中,晶體不勝枚舉,其分布及應(yīng)用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見(jiàn)的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體;此外,半導(dǎo)體晶體、激光晶體、...
使用SiC技術(shù)應(yīng)對(duì)能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)
本文簡(jiǎn)要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比,SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個(gè)實(shí)際案例之前,先探討了 Si...
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