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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅二極管與硅相比的八大優(yōu)勢

寬帶隙半導體使許多以前使用硅（Si）無法實現(xiàn)的高功率應用成為可能。本博客比較了兩種材料的特性，并說明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個指標上具有明顯的優(yōu)勢。

2023-08-04 標簽：二極管半導體晶體管 2.1k 0

碳化硅功率器件的工作原理和應用

碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點，使其在高效能、高頻率和高溫...

2024-09-13 標簽：半導體功率器件 SiC 2.1k 0

寬禁帶半導體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里？

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。

2023-10-09 標簽：電動汽車功率器件 SiC 2.1k 0

寬禁帶器件和仿真環(huán)境介紹

寬禁帶材料實現(xiàn)了較當前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計和工作，降低的漏電...

2020-05-28 標簽：功率MOSFET 碳化硅寬禁帶 2.1k 0

碳化硅MOSFET芯片設(shè)計及發(fā)展趨勢

隨著國內(nèi)對碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入，國內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計的水平逐步提升，研究和應用領(lǐng)域也在不斷擴展。

2023-08-10 標簽：MOSFET 逆變器芯片設(shè)計 2.1k 0

SiC的物性和特征

SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)...

2023-02-07 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 2.1k 0

什么是碳化硅?碳化硅功率器件行業(yè)未來可期

碳化硅在半導體芯片中的主要形式為襯底。半導體芯片分為集成電路和分立器件，但不論是集成電路還是分立器件，其基本結(jié)構(gòu)都可劃分為“襯底-外延-器件”結(jié)構(gòu)。碳化...

2023-02-19 標簽：集成電路分立器件碳化硅 2.1k 0

碳化硅(SiC)應用改變汽車行業(yè)

電動汽車的成功與高效率的實現(xiàn)密切相關(guān)。在電動汽車中，效率在滿載條件下（通常，當負載>90%時）達到其最大潛力。在城市駕駛中，負載可以降低到10%，...

2023-05-31 標簽：電動汽車逆變器碳化硅 2.1k 0

探討蔚來全域900V高壓架構(gòu)的技術(shù)儲備

新一代900V高性能電驅(qū)平臺采用自研面向900V的碳化硅電驅(qū)平臺，雙電機冗余設(shè)計保證了在惡劣天氣和濕滑路面上的穩(wěn)定行駛，后永磁同步電機在體積更小的情況下...

2023-12-26 標簽：永磁同步電機 DC-DC 碳化硅 2.1k 0

中國碳化硅襯底價格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了

國際半導體IDM廠商，如意法半導體、英飛凌、安森美、羅姆電子等，在中國市場仍然占據(jù)碳化硅元件的重要地位。消息人士補充，外國汽車品牌或與中國合資的汽車品牌...

2024-03-14 標簽：SiC 碳化硅射頻器件 2.1k 0

有趣的材料—無處不在的碳化硅

電子器件的使用環(huán)境逐漸惡劣，航空航天、石油探測領(lǐng)域前景廣闊，在熱導率、擊穿場等上的要求更高，那么以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導體材...

2023-03-24 標簽：電子器件 SiC 碳化硅 2.1k 0

碳化硅在新型電力體系中的應用

目前STATCOM多采用GTO、IGBT及IGCT等全控型器件作為開關(guān)。如IGCT其耐壓可達6.5kV，通斷電流可達4000A。但在輸電系統(tǒng)中，其電壓電...

2024-04-16 標簽：電力系統(tǒng)IGBT 配電系統(tǒng) 2.1k 0

B2M碳化硅MOSFET在LLC、移相全橋型電源應用中的優(yōu)勢

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-08-29 標簽：MOSFET LLC 碳化硅 2.1k 0

用于高功率密度應用的碳化硅功率器件

交通應用中電氣化的趨勢導致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開關(guān)頻率和高溫操作是實現(xiàn)這一目標的兩個關(guān)鍵因素。

2023-03-30 標簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET SiC 2.1k 0

傾佳電子技術(shù)報告：基本半導體34mm碳化硅（SiC）功率模塊產(chǎn)品線深度分析及在關(guān)鍵工業(yè)應用中的技術(shù)潛力評估

傾佳電子技術(shù)報告：基本半導體34mm碳化硅（SiC）功率模塊產(chǎn)品線深度分析及在關(guān)鍵工業(yè)應用中的技術(shù)潛力評估傾佳電子（Changer Tech）是一家專...

2025-09-21 標簽：半導體碳化硅 SiC模塊 2.1k 0

Wolfspeed第4代碳化硅技術(shù)解析

本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設(shè)計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?；谠谔蓟鑴?chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfs...

2025-02-19 標簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET 碳化硅 2.1k 0

從碳化硅場效應管晶體管中獲得最佳性能

性能是一個主觀術(shù)語 - 它可以以任意多種方式進行衡量，但在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，它歸結(jié)為兩個相互依賴的主要值，效率和成本。眾所周知，硅作為半導體開關(guān)材料在傳導和...

2023-02-20 標簽：MOSFET 晶體管碳化硅 2.1k 0

碳化硅MOSFET的應用場景

碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng)，SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應用提供高效率，包括那些必須在惡劣環(huán)境下...

2023-07-21 標簽：MOSFET 晶體管 SiC 2.1k 0

快速入門碳化硅特性和應用

在SiC的BaSiC博客系列中，我們將探討碳化硅的許多不同功能。讓我們從這種不尋常材料的特性和應用的快速入門開始。

2023-02-14 標簽：MOSFET 電力電子 SiC 2.1k 0

碳化硅技術(shù)如何變革汽車車載充電

為了提高OBC系統(tǒng)的能效，人們研究了不同的PFC拓撲結(jié)構(gòu)，包括傳統(tǒng)PFC、半無橋PFC、雙向無橋PFC和圖騰柱無橋PFC。

2021-04-14 標簽：電動汽車二極管安森美半導體 2k 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當時很多半導體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當中
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FinFET全稱叫鰭式場效應晶體管，是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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碳化硅

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