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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

文章:2931個(gè) 瀏覽:52478 帖子:38個(gè)

碳化硅技術(shù)

影響高速SiC MOSFET開(kāi)關(guān)特性的因素有哪些?

影響高速SiC MOSFET開(kāi)關(guān)特性的因素有哪些?

碳化硅(SiC)MOSFET支持功率電子電路以超快的開(kāi)關(guān)速度和遠(yuǎn)超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。

2023-08-28 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換器體二極管 2.2k 0

聊一聊關(guān)于碳化硅雙脈沖測(cè)試中遇到的串?dāng)_問(wèn)題

聊一聊關(guān)于碳化硅雙脈沖測(cè)試中遇到的串?dāng)_問(wèn)題

碳化硅具有更快的切換速度(更短的切換時(shí)間),較低的損耗,更高的開(kāi)關(guān)頻率,更高的耐壓能力以及更好的溫度特性,相應(yīng)地帶來(lái)效率的替身,系統(tǒng)磁性元器件減小,功率...

2023-08-27 標(biāo)簽:二極管IGBTSiC 6.3k 0

SiC MOSFET使用溝槽柵真的有必要嗎?

SiC MOSFET使用溝槽柵真的有必要嗎?

MOSFET全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。

2023-08-24 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管體二極管 1.2k 0

SiC與Si它們兩者本身有什么不同呢?

SiC與Si它們兩者本身有什么不同呢?

始于19世紀(jì)初期半導(dǎo)體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展到了第四代半導(dǎo)體材料,其中較為矚目的莫過(guò)于第一代半導(dǎo)體材料si和第三代半導(dǎo)體材料sic了。

2023-08-23 標(biāo)簽:MOSFET電阻器IGBT 2k 0

基于碳化硅中硅空位色心的高壓原位量子磁探測(cè)研究

近日,中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院固體物理研究所研究員劉曉迪等與中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授李傳鋒、教授許金時(shí)、研究員王俊峰(現(xiàn)四川大學(xué))等合作,在國(guó)際上首次實(shí)現(xiàn)了...

2023-08-23 標(biāo)簽:傳感器量子共振技術(shù) 1.6k 0

晶圓劃片機(jī)的技術(shù)指標(biāo)有哪些?晶圓劃片機(jī)選擇因素有哪些?

晶圓劃片機(jī)的技術(shù)指標(biāo)有哪些?晶圓劃片機(jī)選擇因素有哪些?

晶圓劃片機(jī)是一種用于將半導(dǎo)體晶圓切割成小尺寸芯片的設(shè)備。它在半導(dǎo)體制造過(guò)程中起著關(guān)鍵的作用。

2023-08-21 標(biāo)簽:硅晶圓劃片機(jī)碳化硅 2.8k 0

碳化硅的性能和應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和...

2023-08-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 5.1k 0

芯片研發(fā)環(huán)節(jié)的可靠性測(cè)試

芯片研發(fā)環(huán)節(jié)的可靠性測(cè)試

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體經(jīng)典的應(yīng)用,具有眾多自身優(yōu)勢(shì)和技術(shù)優(yōu)勢(shì),它所制成的功率器件在生活中運(yùn)用十分廣泛,越來(lái)越無(wú)法離開(kāi),因此使用碳化硅產(chǎn)品的穩(wěn)定性在一定程...

2023-08-18 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體可靠性測(cè)試 3.5k 0

具有銅互連的IC芯片設(shè)計(jì)

具有銅互連的IC芯片設(shè)計(jì)

銅互連是一種比較新的技術(shù)。在經(jīng)過(guò)深入的研究和開(kāi)發(fā)后,具有銅互連的IC芯片產(chǎn)品第一次在1999年出現(xiàn)。

2023-08-18 標(biāo)簽:CMOSIC芯片碳化硅 2.2k 0

氮化鎵外延為何不生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上?

第三代半導(dǎo)體材料擁有硅材料無(wú)法比擬的材料性能優(yōu)勢(shì),從決定器件性能的禁帶寬度、熱導(dǎo)率、擊穿電場(chǎng)等特性來(lái)看,第三代半導(dǎo)體均比硅材料優(yōu)秀,因此,第3代半導(dǎo)體的...

2023-08-18 標(biāo)簽:led半導(dǎo)體氮化鎵 1.6k 0

薩科微sl4056鋰電池充電管理方案

薩科微sl4056鋰電池充電管理方案

深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司技術(shù)骨干來(lái)自清華大學(xué),以新材料新工藝新產(chǎn)品推動(dòng)公司發(fā)展,掌握國(guó)際領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)。薩科微是集電子元器件的設(shè)...

2023-08-16 標(biāo)簽:鋰電池電路圖半導(dǎo)體 859 0

碳化硅MOSFET的應(yīng)用場(chǎng)景及其影響

  碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無(wú)限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)...

2023-08-16 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體IGBT 2k 0

SiC外延片制備技術(shù)解析

SiC外延片制備技術(shù)解析

碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,不能直接制作在碳化硅單晶材料上,必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料,并在外延層上制造各類器件。

2023-08-15 標(biāo)簽:晶圓功率器件SiC 3.2k 0

碳化硅器件封裝中的3個(gè)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)是什么

碳化硅器件封裝中的3個(gè)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)是什么

傳統(tǒng)模塊封裝使用的敷銅陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二維平面上布局,電流回路面積大,雜散電感參數(shù)大。CPES...

2023-08-14 標(biāo)簽:pcb功率器件SiC 1.4k 0

碳化硅的主要特性是什么?為什么碳化硅在高頻下的性能優(yōu)于IGBT?

碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料家族。

2023-08-12 標(biāo)簽:MOSFET電源模塊SiC 2.2k 0

什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù) 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析

什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù) 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析

第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在...

2023-08-11 標(biāo)簽:氮化鎵砷化鎵碳化硅 1.7k 0

碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)及發(fā)展趨勢(shì)

碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)及發(fā)展趨勢(shì)

隨著國(guó)內(nèi)對(duì)碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入,國(guó)內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)的水平逐步提升,研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。

2023-08-10 標(biāo)簽:MOSFET逆變器芯片設(shè)計(jì) 2.1k 0

車規(guī)碳化硅功率肖特基二極管簡(jiǎn)述

在新能源汽車市場(chǎng)快速發(fā)展的背景下,車載功率半導(dǎo)體需求量激增,其中,碳化硅功率器件憑借更低的能量損耗、更小的封裝尺寸、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更強(qiáng)的耐高溫及散熱能...

2023-08-10 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體DC-DC 951 0

Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成

Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成

寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作,在高效功率轉(zhuǎn)換,射頻功放,以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢(shì)。

2023-08-09 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 1.6k 0

切割工藝參數(shù)對(duì)6英寸N型碳化硅晶片的影響

切割工藝參數(shù)對(duì)6英寸N型碳化硅晶片的影響

采用砂漿多線切割工藝加工6英寸(1英寸=25.4 mm)N型碳化硅晶體,研究了此工藝中鋼線張力、 線速度、進(jìn)給速度等切割參數(shù)對(duì)晶片切割表面的影響。通過(guò)優(yōu)...

2023-08-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件晶片 4.6k 0

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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語(yǔ)音識(shí)別 萬(wàn)用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
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