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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應(yīng)用
近年來碳化硅材料應(yīng)用于電子設(shè)備技術(shù)有了長足的發(fā)展,碳化硅材料比通用硅有更突出的優(yōu)點,這主要歸功于碳化硅材料比通用的材料有更高的電場擊穿電壓、更快的電荷移...
我國擁有世界最大的汽車消費市場,為堅持可持續(xù)發(fā)展基本國策,需大力發(fā)展環(huán)保?節(jié)能?經(jīng)濟的電動汽車[1]?車主因擔(dān)心駕駛電動汽車突然沒電引起的焦慮問題主要有...
空調(diào)壓縮機是熱泵空調(diào)系統(tǒng)的核心,選擇合適的功率器件可以提高其控制器的工作效率,從而提髙整個系統(tǒng)的效率?這里使用了雙脈沖測試電路,對1200V的碳化硅MO...
碳化硅(SiC)器件是一種新興的技術(shù),具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙,允許更高的電壓阻斷,并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外,...
2023-04-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器電源逆變器碳化硅 3.2k 0
BeO為纖鋅礦型結(jié)構(gòu),單胞為立方晶系。其熱傳導(dǎo)能力極高,BeO質(zhì)量分?jǐn)?shù)為99%的BeO陶瓷,室溫下其熱導(dǎo)率(熱導(dǎo)系數(shù))可達(dá)310W/(m·K),為同等純...
2023-04-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料碳化硅陶瓷基板 7.2k 0
碳化硅SIC MOSFET替代傳統(tǒng)MOSFET及IGBT的優(yōu)點
碳化硅MOS優(yōu)點:高頻高效,高耐壓,高可靠性??梢詫崿F(xiàn)節(jié)能降耗,小體積,低重量,高功率密度。
未來幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品,設(shè)計師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。
安森美碳化硅芯片的設(shè)計進(jìn)展及技術(shù)分析
減小了電場集中效應(yīng),提高了SiC器件的擊穿電壓,SiC MOSFET的擊穿電壓和具體的每一個開關(guān)單元有關(guān),同時和耐壓環(huán)也有很大的關(guān)系。
碳化硅電機驅(qū)動系統(tǒng)電磁兼容建模技術(shù)研究
碳化硅功率器件依托其開關(guān)性能的優(yōu)勢,在電機驅(qū)動系統(tǒng)中得到了廣泛地應(yīng)用,然而,其過快的開關(guān)響應(yīng)速度及過大的開關(guān)振蕩給系統(tǒng)帶來了嚴(yán)重的EMI問題。通過采用理...
2023-04-07 標(biāo)簽:電磁兼容驅(qū)動系統(tǒng)功率器件 2.8k 0
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅與氮化鎵無疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。
用于碳化硅的Aehr測試系統(tǒng)的技術(shù)差距
Advantes和 Teradyne最知名的是自動化測試設(shè)備。許多其他事情中,ATE工具取出探針卡,將它們與晶圓上的芯片完美對齊,并與晶圓上的電路進(jìn)行物...
2023-04-04 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體制造 2k 0
碳化硅MOSFET在汽車動力逆變器中的優(yōu)勢有哪些呢?
新型電子研發(fā)組件在不斷發(fā)展,也隨之而來的是取得的成果。公司不斷嘗試開發(fā)越來越多的性能設(shè)備,特點是更高的效率和更好的電氣特性。
2023-04-01 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET逆變器 3.7k 0
銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用
作為高可靠性芯片連接技術(shù),銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視,一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類似技術(shù),已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。
國內(nèi)企業(yè)逐步切入,國產(chǎn)碳化硅器件存在突圍機會
在車載充電器領(lǐng)域,碳化硅MOSFET的滲透率已很高。電機控制器將是近幾年碳化硅MOSFET要更高速發(fā)展的關(guān)鍵因素。
特斯拉車型采用CTC技術(shù)后,續(xù)航里程得到大幅提升、每千瓦時電池生產(chǎn)成本和資本投入也實現(xiàn)有效降低。
交通應(yīng)用中電氣化的趨勢導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開關(guān)頻率和高溫操作是實現(xiàn)這一目標(biāo)的兩個關(guān)鍵因素。
2023-03-30 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 2k 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作為一種新型功率半導(dǎo)體器件,是國際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性...
2023-03-30 標(biāo)簽:IGBT特斯拉半導(dǎo)體器件 2.7k 0
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