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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅肖特基二極管的特點

碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍（寬禁帶），達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍，高達(dá)3.2MV/cm，其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍，為49w/c...

2023-02-09 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體碳化硅 1.2k 0

碳化硅二極管反向恢復(fù)原理詳解

　　碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復(fù)二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。當(dāng)器件從正向切換到反向阻斷方向時，幾乎沒有...

2023-02-08 標(biāo)簽：二極管功率二極管電流 4.2k 0

碳化硅二極管的應(yīng)用及作用

　　碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(...

2023-02-07 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體功率器件 2.5k 0

在半導(dǎo)體行業(yè)中碳化硅有哪些應(yīng)用呢？

碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成，其實碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了

2023-02-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 3.2k 0

SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOS...

2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1.7k 0

SiC SBD器件結(jié)構(gòu)和特征

1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因...

2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1.5k 0

SiC的物性和特征

SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)...

2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 2.1k 0

800V車規(guī)碳化硅功率模塊襯底和外延epi分析和介紹

厚度以及一致性摻雜和一致性表面缺陷快速檢測和標(biāo)識追蹤能力底部缺陷快速檢測和標(biāo)識追蹤能力控制擴展缺陷清洗大尺寸的晶圓翹曲度的控制

2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFET 功率模塊碳化硅 1.7k 0

基本半導(dǎo)體之碳化硅MOSFET和充電樁詳解

交流充電樁：本質(zhì)是一個帶控制的插座，主要包含交流電表、控制主板、顯示屏、急停旋鈕、交流接觸器、充電槍線等結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)較為簡單，需要車載充電機自己進(jìn)行變壓...

2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFET 充電樁碳化硅 3.2k 0

氮化鎵的應(yīng)用及如何制備

進(jìn)入90年代以后，第二代半導(dǎo)體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導(dǎo)體材料逐漸出現(xiàn)，使得有線通訊技術(shù)迅速發(fā)展。隨后在本世紀(jì)初，碳化硅，氮化鎵等具有寬禁帶的第...

2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 3.6k 0

碳化硅的工作原理、優(yōu)點及主要用途

　　碳化硅，是一種無機物，化學(xué)式為SiC，碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子組成，密度是3.2g/cm3，天然碳化硅非常罕見，主要通過人工合...

2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1.0萬 0

什么是電力電子？為什么碳化硅對電力電子很重要？

碳化硅電力電子支持可再生能源等新興產(chǎn)業(yè)（包括太陽的,燙的和風(fēng)力）、EV/HEV動力系統(tǒng)，以及電動火車、公共汽車和其他類型的公共交通工具。

2023-02-06 標(biāo)簽：MOSFET 電力電子 SiC 2k 0

碳化硅二極管的應(yīng)用

碳化硅，是一種無機物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在...

2023-02-05 標(biāo)簽：二極管 SiC 碳化硅 2.4k 0

碳化硅用途主要有哪些方面

碳化硅的應(yīng)用越來越廣泛，而現(xiàn)在科技市場的大力發(fā)展，碳化硅的功勞也是不容小覷，碳化硅在工業(yè)方面的應(yīng)用可以說是比較廣泛、經(jīng)濟的一種，那么碳化硅用途主要有哪些...

2023-02-05 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 1.7萬 0

碳化硅(SiC)二極管的種類及優(yōu)勢

以碳化硅(silicon carbide，SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件，受到了廣泛的關(guān)注。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系)，它們的物性值也各不相...

2023-02-04 標(biāo)簽：SiC 碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 4.8k 0

氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議以及碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能，尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比，碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...

2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件碳化硅寬禁帶 4k 0

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

2023-02-03 標(biāo)簽：石英 SiC 碳化硅 5.9k 0

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些碳化硅芯片不僅是一個新風(fēng)口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)...

2023-02-03 標(biāo)簽：SiC 襯底碳化硅 6.2k 0

碳化硅芯片供需失衡

襯底作為SiC芯片發(fā)展的關(guān)鍵，占據(jù)著重要的地位。SiC襯底不僅在功率器件成本中所占比例很高，而且與產(chǎn)品質(zhì)量密切相關(guān)。如果說前幾年很多SiC器件廠商都是靠...

2023-02-03 標(biāo)簽：芯片碳化硅 sic器件 1.9k 0

快充充電樁的第一選擇為何是碳化硅

一輛純電動車 (EV) 充滿電需要多久？如果借助家用交流電源的話，恐怕怎么也得花上一整個晚上。為解決充電時間問題，三級「快速」直流充電技術(shù)應(yīng)運而生，有望...

2023-02-03 標(biāo)簽：碳化硅純電動車直流充電 1.1k 0

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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碳化硅

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