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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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SiC(碳化硅)是由硅和碳化物組成的化合物半導體。與硅相比,SiC具有許多優(yōu)勢,包括10倍的擊穿電場強度,3倍的帶隙,以及實現(xiàn)器件結構所需的更廣泛的p型...
碳化硅(SiC)是化合物半導體材料之一,具有獨特的材料性能。例如,它具有高電擊穿強度(硅的十倍)和導熱性(硅的三倍)。這些特性吸引了研究人員和工程師的更...
二十多年來,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作為一種寬禁帶功率器件,受到人們越來越多的關注。與硅相比,碳化硅具有很多優(yōu)點,如:碳化硅的禁...
碳化硅CMOS技術在深紫外或高溫環(huán)境中應用的潛力
紫外(UV)光譜可分為UV-A(315~400?nm)、UV-B(280~315?nm)和UV-C(200~280?nm)頻段。由于敏感光譜帶寬很寬,因...
碳化硅器件制造環(huán)節(jié)與硅基器件的制造工藝流程大體類似,主要包括光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄等工藝。不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎上進行產線升...
該方案基于NXP Power架構主控MCU平臺,融合了ON隔離預驅芯片及碳化硅功率器件,以及NXP電源管理芯片,可實現(xiàn)汽車功能安全標準ISO26262的...
2022-10-31 標簽:逆變器碳化硅SiC MOSFET 1.2k 0
碳化硅器件制造環(huán)節(jié)與硅基器件的制造工藝流程大體類似,主要包括光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄等工藝。不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎上進行產線升...
在新能源汽車方面主要應用在DC/AC逆變器、DC/DC轉換器;3)在工業(yè)領域方面主要應用在電力配送、鐵路運輸、光伏產業(yè)、電機控制以及風電渦輪機。
盡管 5G 提升了帶寬,但其更高的頻率更容易造成信號衰減。由于更高的帶寬會導致更低的信噪比(SNR),增加帶寬并不會導致容量的線性增加。解決這一問題的一...
相比硅基功率半導體,碳化硅功率半導體在開關頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢,隨著特斯拉大規(guī)模量產碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產品。
作為半導體產業(yè)中的襯底材料,碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能,在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領域有著廣泛的應用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器...
近年來,半導體行業(yè)最為火熱的話題非寬禁帶半導體莫屬,如碳化硅(SiC)。由于其優(yōu)越的物理和電氣特性,如高能量帶隙(eV),高臨界擊穿場強(MV/cm)和...
全新沉積技術SPARC實現(xiàn)先進邏輯和DRAM集成設計
使用 SPARC 或單個前驅體活化自由基腔室技術制造的碳化硅氧化物 (SiCO) 薄膜具備密度大、堅固耐用、介電常數(shù)低 ~ 3.5-4.9、泄漏率低、厚...
表面貼裝功率器件(SMPD) 封裝提供了功率能力、功耗以及易于布局和組裝的最佳組合,可幫助設計人員在不顯著增加所構建系統(tǒng)的尺寸和重量的情況下增加輸出功率。
近幾年,碳化硅作為一種無機材料,其熱度可與“半導體”、“芯片”、“集成電路”等相提并論,它除了是制造芯片的戰(zhàn)略性半導體材料外,因其獨有的特性和優(yōu)勢受到其...
續(xù)航以及補能問題一直是困擾電動汽車發(fā)展的因素,當前主流電動汽車的電氣系統(tǒng)電壓范圍在230V-480V,在相關法規(guī)政策明確限定充電樁充電電流的情況下,電動...
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