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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝
碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在...
高壓800V充電系統(tǒng)如上所說(shuō)的 需要增加外部主動(dòng)的液冷系統(tǒng),傳統(tǒng)風(fēng)冷無(wú)論是主動(dòng)還是被動(dòng)冷卻均無(wú)法滿足要求,對(duì)于充電樁槍線到車端的熱管理也比以往要求更高,...
2023-12-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車動(dòng)力電池充電系統(tǒng) 5.9k 0
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會(huì)_出席參展今年度SEMICON China 2018
SEMICON China規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大,已是近6年全球最大、影響力最廣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會(huì),匯集全球半導(dǎo)體晶圓廠商共襄盛舉。SEMICON China做為全...
硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)
Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來(lái)說(shuō),MOSFET更適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用,而IGBT更適合高功率應(yīng)用。
2023-10-17 標(biāo)簽:MOSFET逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 5.8k 0
碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
基于GaN晶體管的500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案 GaN和汽車究竟是什么關(guān)系
電機(jī)是全球耗電大戶,盡管電壓很高,硅仍然是主流。不過(guò),GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅(qū)動(dòng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)軍。但這個(gè)市場(chǎng)非常保守,適應(yīng)新技術(shù)的速度很...
一文看懂氧化鎵的晶體結(jié)構(gòu)性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域
氧化鎵有5種同素異形體,分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3(β相氧化鎵)最為穩(wěn)定,當(dāng)加熱至一定高溫時(shí),其他亞穩(wěn)態(tài)均轉(zhuǎn)換為β相,在熔點(diǎn)1800℃...
新能源汽車時(shí)代的半導(dǎo)體材料寵兒——SiC(碳化硅)
新能源汽車相比于傳統(tǒng)燃油汽車,其中所使用的功率半導(dǎo)體器件成倍增加,根據(jù)Strategy Analytics的數(shù)據(jù),傳統(tǒng)燃油車的車均半導(dǎo)體用量為338美元...
2023-06-15 標(biāo)簽:新能源汽車半導(dǎo)體材料碳化硅 5.6k 0
碳化硅功率模塊封裝及熱管理關(guān)鍵技術(shù)解析
碳化硅功率器件具有耐高壓、開(kāi)關(guān)速度快和導(dǎo)通損耗低等優(yōu)點(diǎn),因此正在逐漸成為電力變換系 統(tǒng)的核心器件,尤其在新能源汽車、可再生能源、儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心、軌道交通...
統(tǒng)的硅功率器件工藝中,高溫?cái)U(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法,兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。一般來(lái)說(shuō),高溫?cái)U(kuò)散工藝簡(jiǎn)單,設(shè)備便宜,摻雜分布輪廓為等向性,且高溫?cái)U(kuò)散工...
SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域和發(fā)展趨勢(shì)
碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)性能,在高溫、高頻、高壓等惡劣環(huán)境下具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。本文將對(duì)SiC碳化硅的基...
碳化硅晶體的生長(zhǎng)原理 在自然界中,晶體不勝枚舉,其分布及應(yīng)用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見(jiàn)的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體;此外,半導(dǎo)體晶體、激光晶體、...
碳化硅與氮化鎵相比如何?碳化硅的使用場(chǎng)景在哪里?
碳化硅(SiC)由硅(原子序數(shù)14)和碳(原子序數(shù)6),形成類似于金剛石的強(qiáng)共價(jià)鍵,是一種堅(jiān)固的六方結(jié)構(gòu)化合物,具有寬禁帶半導(dǎo)體特性。
碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工,需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn),...
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)都是當(dāng)前半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者,它們各自具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),應(yīng)用領(lǐng)域也有所不同。以下是對(duì)兩者優(yōu)勢(shì)的比較: 氮化鎵(GaN)...
2024-09-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 5.4k 0
相比硅二極管,GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗,并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。
摘要: 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能,表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景,其中金屬-氧化物-場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC...
相對(duì)于IGBT,SiC-MOSFET降低了開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗,實(shí)現(xiàn)了高頻率工作,有助于應(yīng)用的小型化。相對(duì)于同等耐壓的SJ-MOSFET,導(dǎo)通電阻較小,可減...
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