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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

+關(guān)注26人關(guān)注

金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

文章:2939個(gè) 瀏覽:52509 帖子:39個(gè)

碳化硅技術(shù)

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在...

2023-02-03 標(biāo)簽:石英SiC碳化硅 5.9k 0

聊聊800V充電樁的充電原理

聊聊800V充電樁的充電原理

高壓800V充電系統(tǒng)如上所說(shuō)的 需要增加外部主動(dòng)的液冷系統(tǒng),傳統(tǒng)風(fēng)冷無(wú)論是主動(dòng)還是被動(dòng)冷卻均無(wú)法滿足要求,對(duì)于充電樁槍線到車端的熱管理也比以往要求更高,...

2023-12-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車動(dòng)力電池充電系統(tǒng) 5.9k 0

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會(huì)_出席參展今年度SEMICON China 2018

SEMICON China規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大,已是近6年全球最大、影響力最廣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會(huì),匯集全球半導(dǎo)體晶圓廠商共襄盛舉。SEMICON China做為全...

2018-03-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓碳化硅 5.9k 0

硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)

硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)

Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來(lái)說(shuō),MOSFET更適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用,而IGBT更適合高功率應(yīng)用。

2023-10-17 標(biāo)簽:MOSFET逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 5.8k 0

碳化硅是由分子還是原子組成的?

碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

2023-02-12 標(biāo)簽:SiC碳化硅 5.8k 0

基于GaN晶體管的500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案 GaN和汽車究竟是什么關(guān)系

基于GaN晶體管的500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案 GaN和汽車究竟是什么關(guān)系

電機(jī)是全球耗電大戶,盡管電壓很高,硅仍然是主流。不過(guò),GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅(qū)動(dòng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)軍。但這個(gè)市場(chǎng)非常保守,適應(yīng)新技術(shù)的速度很...

2021-05-21 標(biāo)簽:MOSFET氮化鎵碳化硅 5.7k 0

一文看懂氧化鎵的晶體結(jié)構(gòu)性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域

氧化鎵有5種同素異形體,分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3(β相氧化鎵)最為穩(wěn)定,當(dāng)加熱至一定高溫時(shí),其他亞穩(wěn)態(tài)均轉(zhuǎn)換為β相,在熔點(diǎn)1800℃...

2023-03-08 標(biāo)簽:碳化硅氧化鎵 5.7k 0

新能源汽車時(shí)代的半導(dǎo)體材料寵兒——SiC(碳化硅)

新能源汽車時(shí)代的半導(dǎo)體材料寵兒——SiC(碳化硅)

新能源汽車相比于傳統(tǒng)燃油汽車,其中所使用的功率半導(dǎo)體器件成倍增加,根據(jù)Strategy Analytics的數(shù)據(jù),傳統(tǒng)燃油車的車均半導(dǎo)體用量為338美元...

2023-06-15 標(biāo)簽:新能源汽車半導(dǎo)體材料碳化硅 5.6k 0

GaN 和 SiC 器件相似和差異

GaN 和 SiC 器件相似和差異

GaN 和 SiC 器件在某些方面相似,但有顯著差異。

2021-11-17 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體器件 5.6k 0

碳化硅功率模塊封裝及熱管理關(guān)鍵技術(shù)解析

碳化硅功率器件具有耐高壓、開(kāi)關(guān)速度快和導(dǎo)通損耗低等優(yōu)點(diǎn),因此正在逐漸成為電力變換系 統(tǒng)的核心器件,尤其在新能源汽車、可再生能源、儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心、軌道交通...

2023-11-08 標(biāo)簽:MOSFET功率器件功率模塊 5.6k 0

碳化硅離子注入和退火工藝介紹

碳化硅離子注入和退火工藝介紹

統(tǒng)的硅功率器件工藝中,高溫?cái)U(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法,兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。一般來(lái)說(shuō),高溫?cái)U(kuò)散工藝簡(jiǎn)單,設(shè)備便宜,摻雜分布輪廓為等向性,且高溫?cái)U(kuò)散工...

2023-12-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 5.5k 0

SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域和發(fā)展趨勢(shì)

碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)性能,在高溫、高頻、高壓等惡劣環(huán)境下具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。本文將對(duì)SiC碳化硅的基...

2023-09-12 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 5.5k 0

碳化硅晶體的生長(zhǎng)原理

碳化硅晶體的生長(zhǎng)原理

碳化硅晶體的生長(zhǎng)原理 在自然界中,晶體不勝枚舉,其分布及應(yīng)用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見(jiàn)的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體;此外,半導(dǎo)體晶體、激光晶體、...

2024-08-03 標(biāo)簽:晶體SiC襯底 5.5k 0

碳化硅與氮化鎵相比如何?碳化硅的使用場(chǎng)景在哪里?

碳化硅(SiC)由硅(原子序數(shù)14)和碳(原子序數(shù)6),形成類似于金剛石的強(qiáng)共價(jià)鍵,是一種堅(jiān)固的六方結(jié)構(gòu)化合物,具有寬禁帶半導(dǎo)體特性。

2023-02-22 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅 5.4k 0

三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異

三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異

碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工,需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn),...

2023-12-15 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體碳化硅 5.4k 0

氮化鎵和碳化硅哪個(gè)有優(yōu)勢(shì)

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)都是當(dāng)前半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者,它們各自具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),應(yīng)用領(lǐng)域也有所不同。以下是對(duì)兩者優(yōu)勢(shì)的比較: 氮化鎵(GaN)...

2024-09-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 5.4k 0

碳化硅肖特基二極管降低能源成本和空間要求

相比硅二極管,GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗,并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。

2018-07-06 標(biāo)簽:肖特基二極管碳化硅 5.4k 0

3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

摘要: 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能,表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景,其中金屬-氧化物-場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC...

2024-01-04 標(biāo)簽:MOSFET光伏晶體管 5.4k 0

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別是什么

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別是什么

相對(duì)于IGBT,SiC-MOSFET降低了開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗,實(shí)現(xiàn)了高頻率工作,有助于應(yīng)用的小型化。相對(duì)于同等耐壓的SJ-MOSFET,導(dǎo)通電阻較小,可減...

2023-09-11 標(biāo)簽:MOSFET元器件導(dǎo)通電阻 5.3k 0

深度解析碳化硅功率器件原理和優(yōu)勢(shì)

深度解析碳化硅功率器件原理和優(yōu)勢(shì)

SiC市場(chǎng)格局仍由海外巨頭主導(dǎo),市占率排名依次是:意法半導(dǎo)體、英飛凌、wolfspeed、羅姆、安森美、三菱電機(jī)等。

2024-04-01 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 5.3k 0

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    TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè),我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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