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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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東芝TLP5814H 具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布,最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅(SiC)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“ TLP5814H ”,具備...
2025-03-06 標(biāo)簽:MOSFET光電耦合器柵極驅(qū)動(dòng) 5k 0
近日,博世汽車(chē)電子中國(guó)區(qū)(ME-CN)在蘇州五廠建成碳化硅(SiC)功率模塊生產(chǎn)基地,并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。這標(biāo)志著博世在全球碳化硅功率模...
國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件賦能飛跨電容升壓方案取代2000V器件兩電平方案
國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件賦能飛跨電容MPPT方案取代2000V器件兩電平升壓方案 一、飛跨電容三電平技術(shù)的專(zhuān)利歸屬與特色 1. 專(zhuān)利歸屬:中國(guó)企業(yè)主導(dǎo)核心技術(shù)...
CREE(Wolfspeed)的壟斷與衰落及國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底崛起的發(fā)展啟示
中國(guó)碳化硅襯底材料從受制于人到實(shí)現(xiàn)自主突破的歷程,以及由此對(duì)國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的啟示,可以歸納為以下幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn):? 一、從壟斷到突破:中國(guó)碳化硅材...
近日,士蘭微電子8英寸碳化硅(SiC)功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目(廈門(mén)士蘭集宏一期)正式封頂。封頂儀式現(xiàn)場(chǎng),海滄臺(tái)商投資區(qū)管委會(huì)副主任眭國(guó)瑜,士蘭微電子...
納微半導(dǎo)體榮獲威睿公司“優(yōu)秀技術(shù)合作獎(jiǎng)”
近日,威睿電動(dòng)汽車(chē)技術(shù)(寧波)有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“威睿公司”)2024年度供應(yīng)商伙伴大會(huì)于浙江寧波順利召開(kāi)。納微達(dá)斯(無(wú)錫)半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“納微半導(dǎo)體...
2025-03-04 標(biāo)簽:能源碳化硅納微半導(dǎo)體 1.2k 0
士蘭微廈門(mén) 8 英寸碳化硅功率器件產(chǎn)線(一期)封頂:力爭(zhēng)明年一季度投產(chǎn)
3 月 3 日消息,國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)士蘭微電子今日宣布,其投資 70 億元建設(shè)的廈門(mén)海滄區(qū) 8 英寸碳化硅 SiC 功率器件芯片制造生產(chǎn)線(...
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET全面開(kāi)啟對(duì)超結(jié)MOSFET的替代浪潮
碳化硅(SiC)MOSFET全面取代超結(jié)(SJ)MOSFET的趨勢(shì)分析及2025年對(duì)電源行業(yè)的影響 一、SiC MOSFET取代SJ MOSFET的必然...
安意法合資工廠通線啟示:國(guó)產(chǎn)自主品牌碳化硅功率半導(dǎo)體的自強(qiáng)之路
近日,三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓工廠正式通線,預(yù)計(jì)2025年四季度批量生產(chǎn),形成了合資碳化硅功率器件的鯰魚(yú)效應(yīng),結(jié)合過(guò)去...
2025-03-01 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 1.3k 0
超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析
隨著B(niǎo)ASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶(hù)已經(jīng)開(kāi)始動(dòng)手用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全...
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道??近期碳化硅襯底供應(yīng)商天科合達(dá)與微納光電器件公司慕德微納共同出資成立合資公司,雙方將在AR衍射光波導(dǎo)鏡片技術(shù)研發(fā)與市場(chǎng)推廣方面展開(kāi)...
三安意法重慶8英寸碳化硅項(xiàng)目正式通線 將在2025年四季度實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)
2月27日,三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠正式通線。預(yù)計(jì)項(xiàng)目將在2025年四季度實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn),這將成為國(guó)內(nèi)首條8英寸車(chē)規(guī)級(jí)...
三安光電與意法半導(dǎo)體重慶8英寸碳化硅項(xiàng)目通線
三安光電和意法半導(dǎo)體于2023年6月共同宣布在重慶成立8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(安意法半導(dǎo)體有限公司,簡(jiǎn)稱(chēng)安意法),全面落成后預(yù)計(jì)總投資約為230億元...
2025-02-27 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體碳化硅三安光電 1.9k 0
隨著可再生能源的崛起和電動(dòng)汽車(chē)的普及,全球?qū)Ω咝?、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體...
BTP1521P/F是碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)隔離供電的性?xún)r(jià)比最優(yōu)解
在碳化硅(SiC)功率器件快速替代硅基器件的趨勢(shì)中,驅(qū)動(dòng)隔離供電方案的性能與成本成為關(guān)鍵制約因素?;景雽?dǎo)體的 BTP1521P 和 BTP1521F ...
國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢(shì)扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體
國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢(shì)扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體,國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件在成本、可靠性和應(yīng)用場(chǎng)景上的優(yōu)勢(shì),使其在汽車(chē)、工業(yè)和新能源領(lǐng)域...
2025年碳化硅(SiC)功率器件設(shè)計(jì)公司倒閉潮反映了行業(yè)加速洗牌的必然趨勢(shì),其背后是技術(shù)、資本、供應(yīng)鏈和市場(chǎng)需求的多重挑戰(zhàn)。而“SiC模塊批量上車(chē)業(yè)績(jī)...
碳化硅(SiC)技術(shù)正引領(lǐng)一場(chǎng)革新,為從新能源汽車(chē)到工業(yè)電源管理等多個(gè)行業(yè)帶來(lái)前所未有的效率和性能提升。為了幫助工程師們更好地探索和利用 SiC 技術(shù)的...
隨著全球能源需求的快速增長(zhǎng)和對(duì)可再生能源的重視,電力電子技術(shù)正經(jīng)歷著前所未有的變革。在這一過(guò)程中,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料...
天岳先進(jìn)2024年大逆襲!凈賺1.8億元,碳化硅需求爆發(fā)
(電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道)近期,專(zhuān)注于碳化硅單晶襯底材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的天岳先進(jìn)公布了公司2024年年報(bào)。報(bào)告期內(nèi),天岳先進(jìn)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入17.68元,同...
2025-02-25 標(biāo)簽:碳化硅 1.6k 0
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