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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

晶盛機電6英寸碳化硅外延設(shè)備熱銷,訂單量迅猛增長

聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設(shè)備兩大業(yè)務(wù)。公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝,量產(chǎn)晶片的核心位錯達到行業(yè)領(lǐng)先水平。

2024-03-22 標(biāo)簽:碳化硅晶盛機電 1.6k 0

功率半導(dǎo)體市場將邁向550億美元新高度

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半導(dǎo)體利用 SiC 來減少能量損失并延長太陽能和風(fēng)能電力轉(zhuǎn)換器的使用壽命。SiC(碳化硅)由于其寬帶隙而用于高功率應(yīng)用。

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近日,科友半導(dǎo)體在國際競爭激烈的SiC襯底市場殺出一條血路,成功拿下超2億元的出口歐洲長訂單之后,順利通過“國際汽車特別工作組質(zhì)量管理體系”(IATF1...

2024-03-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓光伏發(fā)電 1.7k 0

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2024-03-21 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅閾值電壓 2k 0

三菱電機將于4月開始在熊本縣菊池市建設(shè)新SiC廠房

三菱電機計劃在熊本縣菊池市的現(xiàn)有工廠廠區(qū)內(nèi)投資約1000億日元(折合人民幣約48.56億元)建設(shè)新的SiC(碳化硅)晶圓廠。

2024-03-21 標(biāo)簽:晶圓三菱電機SiC 1.7k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢 開啟高效能源轉(zhuǎn)換新紀(jì)元

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引言: 隨著全球?qū)δ茉葱屎铜h(huán)境保護要求的日益提高,傳統(tǒng)的硅基功率器件已經(jīng)逐漸無法滿足新時代對高效能、高頻率、高溫度和高電壓應(yīng)用的需求。碳化硅(SiC)...

2024-03-21 標(biāo)簽:功率器件SiC氮化鎵 6.9k 0

SiC企業(yè)志橙股份擬在深交所創(chuàng)業(yè)板上市

深圳市志橙半導(dǎo)體材料股份有限公司(簡稱“志橙股份”)近日更新了其招股書及多輪問詢回復(fù)內(nèi)容,計劃在深圳證券交易所創(chuàng)業(yè)板掛牌上市。

2024-03-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1.7k 0

英飛凌發(fā)布新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)

英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進步。與上一代產(chǎn)品相比,全新的CoolS...

2024-03-20 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET碳化硅 1.9k 0

全面提升!英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC MOSFET G2

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù),據(jù)官方介紹,這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù),相比上一代...

2024-03-19 標(biāo)簽:英飛凌MOSFETSiC 4.8k 0

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3月15-17日,中國電動汽車百人會論壇(2024)在京召開,新能源汽車產(chǎn)業(yè)各方代表、領(lǐng)軍企業(yè)、組織機構(gòu)、專家等齊聚北京,共同探討產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢,探索產(chǎn)業(yè)...

2024-03-19 標(biāo)簽:電動汽車動力電池華為 926 0

SiC器件是如何提升電動汽車的系統(tǒng)效率的

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SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,相比傳統(tǒng)的硅(Si)材料,它具有更高的擊穿電場強度、更高的熱導(dǎo)率和更高的運載子遷移率。

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石墨烯芯片半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),引領(lǐng)我們告別硅時代?

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碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)這些材料,在特定的應(yīng)用領(lǐng)域(如高頻、高功率電子器件)中展現(xiàn)出了比硅更好的性能。而石墨烯也可以在某些特定的領(lǐng)域,提供硅難...

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2家臺灣企業(yè)正在加速推進其SiC模塊工廠的建設(shè)

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納微半導(dǎo)體即將亮相亞洲充電展

納微半導(dǎo)體,作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者,以及氮化鎵和碳化硅功率芯片技術(shù)的引領(lǐng)者,近日宣布將亮相于2024年3月20日至22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲...

2024-03-16 標(biāo)簽:碳化硅功率芯片納微半導(dǎo)體 1.6k 0

芯三代半導(dǎo)體啟動A股IPO輔導(dǎo),專注碳化硅外延設(shè)備研發(fā)

證監(jiān)會官網(wǎng)最新披露,碳化硅(SiC)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)芯三代半導(dǎo)體科技(蘇州)股份有限公司(簡稱“芯三代”)已在江蘇證監(jiān)局完成輔導(dǎo)備案登記,計劃首次公開發(fā)行...

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納微半導(dǎo)體宣布將參加亞洲充電展,最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來

下一代氮化鎵和碳化硅技術(shù)為移動電子、電動汽車和工業(yè)領(lǐng)域注入超快充動力

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芯動半導(dǎo)體與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議

近日,國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)芯動半導(dǎo)體與國際知名半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體成功簽署碳化硅(SiC)芯片戰(zhàn)略合作協(xié)議。這一協(xié)議的達成,標(biāo)志著雙方在SiC功率模塊...

2024-03-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體SiC 1.3k 0

環(huán)旭電子推出創(chuàng)新型150KW功率模組,適用于電動車驅(qū)動逆變器

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全球電子設(shè)計和制造領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者USI環(huán)旭電子(上海證券交易所代碼:601231)今日宣布其功率模組團隊正式啟動了一項開創(chuàng)性的聯(lián)合設(shè)計制造(JDM)項目,...

2024-03-14 標(biāo)簽:電動車逆變器碳化硅 1.7k 0

安森美調(diào)整事業(yè)部結(jié)構(gòu)以擴大產(chǎn)品組合并加速增長

安森美(onsemi)(納斯達克股票代碼:ON)宣布成立模擬與混合信號事業(yè)部(AMG),并由新任命的事業(yè)部總裁SudhirGopalswamy領(lǐng)導(dǎo)。

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納微半導(dǎo)體發(fā)布了最新的AI人工智能數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖

納微氮化鎵和碳化硅技術(shù)并進,下一代AI數(shù)據(jù)中心電源功率突破飛升

2024-03-13 標(biāo)簽:電源技術(shù)氮化鎵人工智能 1.9k 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力,將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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    TI公司
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