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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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該功率MOSFET采用碳化硅(SiC)這種新材料,與常規(guī)的硅(Si)MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比,具有高耐壓、高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性,有利于降低功耗...
揚杰科技:積極布局第三代半導(dǎo)體,已成功開發(fā)多款碳化硅器件產(chǎn)品
圍繞第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域研發(fā)成果,揚杰科技近日在互動平臺上回應(yīng)稱:在碳化硅業(yè)務(wù)板塊,公司已組建高素質(zhì)的研發(fā)團(tuán)隊,成功開發(fā)出多款碳化硅器件產(chǎn)品,其中部分產(chǎn)品處...
2020-10-14 標(biāo)簽:碳化硅揚杰科技第三代半導(dǎo)體 8.6k 1
據(jù)公告介紹,該項目包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目,包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈,投資總額160億元。
上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心舉行揭牌儀式順利舉行
近日,由華大半導(dǎo)體和復(fù)旦大學(xué)共建的上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心舉行揭牌儀式。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲、上海市科委、復(fù)旦大學(xué)和華大...
2020-10-10 標(biāo)簽:功率器碳化硅華大半導(dǎo)體 3.8k 0
在日前于南京舉辦的世界半導(dǎo)體大會第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上,與會專家紛紛表示,近年來我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程較快,基本形成了從晶體生長到器件研發(fā)...
三安集成:碳化硅功率器件量產(chǎn)制造平臺,助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展
三安集成副總經(jīng)理楊健、金龍新能源總經(jīng)理陳曉冰博士分別代表雙方簽訂戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。
英飛凌 CoolSiC? 技術(shù)助力光寶科技推出80 PLUS 鈦金認(rèn)證的 SMPS 交換式電源供應(yīng)器
為符合最高效率 80 PLUS 鈦金認(rèn)證的要求,在 50% 負(fù)載條件下,115 V 輸入電壓需達(dá)到94% 效率,另在 230 V 電壓下則需達(dá)到 96% 效率。
2020-09-28 標(biāo)簽:MOSFET電源供應(yīng)器碳化硅 1.4k 0
看點:第三代半導(dǎo)體碳化硅,爆發(fā)式增長的明日之星。 功率半導(dǎo)體的技術(shù)和材料創(chuàng)新都致力于提高能量轉(zhuǎn)化效率(理想轉(zhuǎn)化率100%),基于 SIC 材料的功率器件...
Teledyne e2v HiRel新增兩款大功率GaN HEMT
Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT(高電子遷移率晶體...
UnitedSiC與益登科技簽署分銷協(xié)議 加速業(yè)界采用碳化硅技術(shù)
UnitedSiC宣布與益登科技(TWSE: 3048)簽署代理協(xié)議,將產(chǎn)品推向亞洲市場,為包括電動汽車、電池充電、IT基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和電路保護(hù)等...
來自中國微米納米技術(shù)學(xué)會通知,10月28-30日,一年一度的納米技術(shù)領(lǐng)域最盛大的博覽會中國國際納米技術(shù)產(chǎn)業(yè)博覽會即將隆重召開! 不管您是來自學(xué)術(shù)界、企業(yè)...
第三代半導(dǎo)體寫入十四五 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈與第三代半導(dǎo)體材料企業(yè)分析
第一代材料是硅(Si),大家通俗理解的硅谷,就是第一代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)園。 第二代材料是砷化鎵(GaAs),為4G時代而生,目前的大部分通信設(shè)備的材料。 ...
汽車、5G電源和光伏是SiC發(fā)展的主要驅(qū)動力,模塊化是其主要發(fā)展趨勢
據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)預(yù)計,到2022年SiC的市場規(guī)模將達(dá)到10億美元。電源的功率因數(shù)校正(PFC)、太陽能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高...
碳化硅等第三代半導(dǎo)體迎來政策東風(fēng) 中國擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
今天政策層面有一個大消息,特大消息,那就是我國擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將寫入十四五規(guī)劃,利好刺激下半導(dǎo)體、MINILED等科技股全天持續(xù)大...
美國北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊––Cree,Inc.(Nasdaq:CREE)宣布,科銳正在推進(jìn)從硅(Si)向碳化硅(SiC)的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。為了滿足日益增長的對...
“新一輪產(chǎn)業(yè)升級,全球進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時代“
碳化硅,作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,其寬禁帶,高臨界擊穿電場等優(yōu)勢,是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。
2020-09-02 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)SiC半導(dǎo)體器件 2k 0
Microchip推出AgileSwitch柵極驅(qū)動器和功率模塊工具包,助力開發(fā)人員設(shè)計投產(chǎn)
Microchip的AgileSwitch?數(shù)字可編程柵極驅(qū)動器和SP6LI SiC功率模塊工具包解決方案可加快開發(fā)人員從設(shè)計到投產(chǎn)的步伐。
科銳推進(jìn)建造全球最大SiC器件制造工廠和擴大SiC產(chǎn)能
科銳目前正在美國紐約州Marcy建造全球最大的碳化硅 (SiC) 制造工廠。這一全新的、采用領(lǐng)先前沿技術(shù)的功率和射頻制造工廠將滿足車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)和200mm工藝。
2020-08-31 標(biāo)簽:氮化鎵科銳半導(dǎo)體制造 1.4k 0
羅姆推出具有溝槽柵極結(jié)構(gòu)的碳化硅MOSFET器件
通過使用TO-247-4L封裝,驅(qū)動器和電流源引腳得以分離,從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。
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