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標(biāo)簽 > 等離子體
等離子體又叫做電漿，是由部分電子被剝奪后的原子及原子團(tuán)被電離后產(chǎn)生的正負(fù)離子組成的離子化氣體狀物質(zhì)，尺度大于德拜長(zhǎng)度的宏觀電中性電離氣體，其運(yùn)動(dòng)主要受電磁力支配，并表現(xiàn)出顯著的集體行為。它廣泛存在于宇宙中，常被視為是除去固、液、氣外，物質(zhì)存在的第四態(tài)。
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等離子體，是指像紫色光、霓虹燈光一樣的光，也有稱其為抄板物質(zhì)的第四相態(tài)。等離子體相態(tài)是由于原子中激化的電子和分子無序運(yùn)動(dòng)的狀態(tài)，所以具有相當(dāng)高的能量。
減薄晶片有四種主要方法，(1)機(jī)械研磨，(2)化學(xué)機(jī)械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學(xué)蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研...
如果想在射頻微等離子中繼續(xù)獲得正常的輝光結(jié)構(gòu)，保證放電間隙內(nèi)的電中性，提高放電頻率是一種可行的方法。
等離子體顯示器與液晶顯示器相比有何特點(diǎn) 等離子體顯示器的顯示原理
等離子體顯示器在對(duì)比度、視角和響應(yīng)速度等方面的優(yōu)勢(shì)較為顯著，適合用于娛樂和家庭影院等方面；而液晶顯示器則在功耗、分辨率和便攜性等方面有一定的優(yōu)勢(shì)，適合辦...
熱平衡等離子體中，電子和離子的能量服從玻爾茲曼分布(見下圖)。電容耦合型等離子體源的平均電子能量為2?3eV。等離子體中離子能量主要取決于反應(yīng)室的溫度，...
2022-12-12 標(biāo)簽：等離子體工藝半導(dǎo)體制造 2.7k 0
我們?nèi)A林科納討論了一些重要的等離子體蝕刻和沉積問題（從有機(jī)硅化合物）的問題，特別注意表面條件，以及一些原位表面診斷的例子。由于等離子體介質(zhì)與精密的表面分...
動(dòng)態(tài)反向脈沖(DRP)實(shí)驗(yàn)
在之前的《實(shí)踐出真知，實(shí)驗(yàn)領(lǐng)創(chuàng)新》推文中，我們探討了與傳統(tǒng)的雙極脈沖(BP)雙磁控濺射相比，動(dòng)態(tài)反向脈沖(DRP)模式可將基底熱負(fù)荷降低約12%，從而為...
CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對(duì)于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在H...
嚴(yán)重的離子轟擊將產(chǎn)生大量的熱量，所以如果沒有適當(dāng)?shù)睦鋮s系統(tǒng)，晶圓溫度就會(huì)提高。對(duì)于圖形化刻蝕，晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層，如果晶圓溫度超過1...
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料...
需要鋁金屬的地方太多了，在DRAM和flash等存儲(chǔ)器產(chǎn)品中，鋁連線由于成本低廉和加工簡(jiǎn)便仍被廣泛使用。這些存儲(chǔ)器設(shè)備通常不像高性能邏輯芯片那樣對(duì)電阻和...
2023-12-25 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器等離子體半導(dǎo)體封裝 2.2k 0
激光誘導(dǎo)擊穿光譜(英語:Laser-induced breakdown spectroscopy，LIBS) 技術(shù)，通過超短脈沖激光聚焦樣品表面形成等離...
隨著集成電路特征尺寸的縮小，工藝窗口變小，可靠性成為更難兼顧的因素，設(shè)計(jì)上的改善對(duì)于優(yōu)化可靠性至關(guān)重要。本文介紹了等離子刻蝕對(duì)高能量電子和空穴注入柵氧化...
當(dāng)?shù)入x子體轉(zhuǎn)變到這種狀態(tài)時(shí)，電子密度處于最低水平。一般來說，等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過調(diào)整脈沖的占空比，可以將時(shí)間平均離子能量分...
其中，AB是分子，而A和B是由分解碰撞產(chǎn)生的自由基，自由基至少帶有一個(gè)不成對(duì)的電子, 因此并不穩(wěn)定。自由基在化學(xué)上非?；钴S，能奪取其他原子或分子的電子形...
磁場(chǎng)輔助激光加工技術(shù)的優(yōu)勢(shì)
磁場(chǎng)輔助激光加工技術(shù)是利用磁場(chǎng)約束激光加工誘導(dǎo)的等離子體，致使等離子體沿磁場(chǎng)方向膨脹，其余方向受壓縮，因而等離子體的密度會(huì)很低，大大削弱了屏蔽效果，使更...
等離子體刻蝕和濕法刻蝕是集成電路制造過程中常用的兩種刻蝕方法，雖然它們都可以用來去除晶圓表面的材料，但它們的原理、過程、優(yōu)缺點(diǎn)及適用范圍都有很大的不同。...
等離子體蝕刻機(jī)需要與濕法蝕刻相同的元素：化學(xué)蝕刻劑和能量源。從物理上講，等離子體蝕刻機(jī)由室、真空系統(tǒng)、氣體供應(yīng)、終點(diǎn)檢測(cè)器和電源組成（如下圖所示）。晶圓...
書接上節(jié)，常見的物質(zhì)的第四種自然狀態(tài)是等離子體狀態(tài)。我們比較熟知的恒星天體就是等離子體態(tài)的一個(gè)例子。當(dāng)然，它和我們最常見到的固體、液體或氣體的定義的定義...
遠(yuǎn)程等離子體刻蝕技術(shù)通過非接觸式能量傳遞實(shí)現(xiàn)材料加工，其中熱輔助離子束刻蝕（TAIBE）作為前沿技術(shù)，尤其適用于碳氟化合物（FC）材料（如聚四氟乙烯PT...
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