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標(biāo)簽 > 納微半導(dǎo)體
Navitas 成立于 2014 年,開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵 (GaN)半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。
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納微半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)首個(gè)10萬(wàn)噸二氧化碳減排里程碑
?相較傳統(tǒng)硅功率芯片,每出貨一顆下一代GaNFastTM功率芯片可減少4kg二氧化碳排放。到2050年,有望實(shí)現(xiàn)26億噸/年的減排量。 ? 加利福尼亞州...
2022-08-08 標(biāo)簽:節(jié)能減排納微半導(dǎo)體 888 0
納微半導(dǎo)體下一代GaNFast技術(shù),10分鐘內(nèi)實(shí)現(xiàn)100%充電
獲TüV萊茵安全認(rèn)證,這款realme GT3標(biāo)配的雙口SUPERVOOC的快速充電器基于兩顆納微NV6138氮化鎵功率芯片打造而來(lái),分別用于CRM P...
2023-04-25 標(biāo)簽:GaN納微半導(dǎo)體 868 0
納微半導(dǎo)體完成對(duì)硅控制器公司的收購(gòu)
極具戰(zhàn)略意義的硅控制器技術(shù),加速GaN和SiC市場(chǎng)推進(jìn),搶奪傳統(tǒng)硅功率器件在多元化市場(chǎng)中的份額。 加利福尼亞州托倫斯,2023年1月19日訊:唯一全面專(zhuān)...
2023-02-02 標(biāo)簽:控制器納微半導(dǎo)體 857 0
納微半導(dǎo)體啟動(dòng)戰(zhàn)略性制造環(huán)節(jié)投資
投資2000萬(wàn)美元,打造納微自身碳化硅外延片產(chǎn)能 加利福尼亞州托倫斯,2023年5月30日訊:下一代功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼...
2023-06-02 標(biāo)簽:納微半導(dǎo)體 833 0
納微半導(dǎo)體榮獲2022年CES創(chuàng)新獎(jiǎng)
CES 創(chuàng)新獎(jiǎng)(CES Innovation Awards)計(jì)劃由消費(fèi)技術(shù)協(xié)會(huì)(CTA)? 運(yùn)營(yíng),是一項(xiàng)年度競(jìng)賽,旨在表彰 27 個(gè)消費(fèi)技術(shù)產(chǎn)品類(lèi)別中...
2021-11-24 標(biāo)簽:氮化鎵納微半導(dǎo)體 801 0
兆易創(chuàng)新與納微半導(dǎo)體數(shù)字能源聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室揭牌,加速高效電源管理方案落地
兆易創(chuàng)新GigaDevice與納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)共同設(shè)立的“數(shù)字能源聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”在合肥正式揭牌。該實(shí)驗(yàn)室將GD32 MCU領(lǐng)域的深...
2025-10-13 標(biāo)簽:mcu電源管理兆易創(chuàng)新 630 0
納微半導(dǎo)體發(fā)布3300V/2300V超高壓SiC全系產(chǎn)品組合
全新發(fā)布的3300V / 2300V GeneSiC 碳化硅產(chǎn)品基于最新溝槽輔助平面柵技術(shù) Trench-Assisted Planar(TAP)與先進(jìn)...
2025-12-15 標(biāo)簽:SiC碳化硅納微半導(dǎo)體 616 0
納微半導(dǎo)體攜尖端GaN/SiC功率產(chǎn)品亮相PCIM 2023
作為歐洲領(lǐng)先的“電力轉(zhuǎn)換與智能運(yùn)動(dòng)”領(lǐng)域?qū)I(yè)盛會(huì),PCIM 2023將于5月9日至11日在德國(guó)紐倫堡盛大召開(kāi),會(huì)上將展開(kāi)超400篇國(guó)際技術(shù)論文的學(xué)術(shù)交流...
2023-05-08 標(biāo)簽:SiCGaN納微半導(dǎo)體 608 0
納微半導(dǎo)體亮相2025中國(guó)電源學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì)
2025年11月7-10日,中國(guó)電源界的年度盛會(huì)——中國(guó)電源學(xué)會(huì)年會(huì)(簡(jiǎn)稱(chēng):CPSSC 2025)于深圳國(guó)際會(huì)展中心隆重召開(kāi)。
2025-11-14 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心AI納微半導(dǎo)體 513 0
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