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標(biāo)簽 > 納米

納米

納米

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納米(nm),又稱毫微米,是長(zhǎng)度的度量單位,國(guó)際單位制符號(hào)為nm。1納米=10^-9米,長(zhǎng)度單位如同厘米、分米和米一樣,是長(zhǎng)度的度量單位。

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納米技術(shù)

一種新型分析生物芯片平臺(tái),能在活細(xì)胞中探測(cè)核蛋白

從細(xì)胞內(nèi)探測(cè)區(qū)域的邊緣(起點(diǎn))到微通道的靜脈孔,每十個(gè)標(biāo)記點(diǎn)設(shè)為一組間隔。課題選擇與細(xì)胞遷移率相關(guān)的MDM2蛋白作為檢測(cè)蛋白,其表達(dá)水平與細(xì)胞遷移速度呈正相關(guān)。

2022-04-21 標(biāo)簽:納米生物芯片 5.4k 0

PVA刷接觸式清洗過程中超細(xì)顆粒清洗現(xiàn)象

PVA刷接觸式清洗過程中超細(xì)顆粒清洗現(xiàn)象

為了LSI的小型·高性能化, 為了實(shí)現(xiàn)高精度的基板表面粗糙度,在制造工序中推進(jìn)了微細(xì)且多層布線化。 要求使用粒徑100 nm以下的納米粒子的CMP(Ch...

2022-04-15 標(biāo)簽:納米清洗顆粒 1.1k 0

納米壓印光刻技術(shù)的詳細(xì)介紹

納米壓印光刻技術(shù)的詳細(xì)介紹

在過去的幾年中,納米壓印光刻引起了越來越多的興趣。事實(shí)上,似乎有越來越多的潛在納米壓印應(yīng)用和基本納米壓印光刻概念的變化。不同的納米壓印變體對(duì)于特定的最終...

2022-03-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體納米光刻 8.6k 0

薄膜MLCC的技術(shù)報(bào)告

薄膜MLCC的技術(shù)報(bào)告

本文討論了傳統(tǒng)MLCC技術(shù)的最新技術(shù),并將該技術(shù)與潛在的MLCC薄膜制造技術(shù)進(jìn)行了比較,討論了MLCC制造、相關(guān)限制、潛在制造技術(shù)和設(shè)計(jì)理念方面的薄膜技...

2022-02-08 標(biāo)簽:電容納米技術(shù)MLCC 2.7k 0

紫外熒光在晶圓表面清潔分析中的應(yīng)用

紫外熒光在晶圓表面清潔分析中的應(yīng)用

引言 紫外熒光(UVF)是一種新穎而通用的檢測(cè)硅片表面金屬雜質(zhì)污染的方法。我們證明了UVF在硅片加工中污染控制的有效性。實(shí)驗(yàn)顯示了室溫下鐵、銅、鎳、鈉等...

2021-12-28 標(biāo)簽:晶圓納米晶片 1.3k 0

光刻膠中金屬雜質(zhì)對(duì)硅基基質(zhì)的吸附機(jī)理 南通華林科納分析

光刻膠中金屬雜質(zhì)對(duì)硅基基質(zhì)的吸附機(jī)理 南通華林科納分析

應(yīng)用放射性示蹤技術(shù)研究了金屬雜質(zhì)(如鋇、銫、鋅和錳)從化學(xué)放大光刻膠中遷移和吸附到硅基底層襯底上的行為。評(píng)估了兩個(gè)重要的工藝參數(shù),即烘烤溫度和襯底類型(...

2021-12-13 標(biāo)簽:納米材料納米襯底 1.8k 0

壓阻式壓力微傳感器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及力學(xué)分析

壓阻式壓力微傳感器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及力學(xué)分析

介觀壓阻效應(yīng)的定義為“等效電阻的應(yīng)力調(diào)制”,等效電阻是對(duì)共振隧效應(yīng)的一種具體描述。由4個(gè)物理過程組成:①在力學(xué)信號(hào)下,納米結(jié)構(gòu)中的應(yīng)力分布將發(fā)生變化;②...

2021-03-23 標(biāo)簽:傳感器納米測(cè)量 6.5k 0

【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試】系列之一:納米測(cè)試(下)

采用高內(nèi)阻的靜電計(jì)6517+數(shù)據(jù)采集儀DMM6500+納米發(fā)電采集軟件來進(jìn)行微小納米發(fā)電電流數(shù)據(jù)采集。

2021-03-05 標(biāo)簽:泰克納米石墨烯 2.2k 0

【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試課堂】系列之一: 納米測(cè)試(上)

【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試課堂】系列之一: 納米測(cè)試(上)

納米材料的表征包括成分分析,顆粒分析,結(jié)構(gòu)分析,性能分析,分析方法以電鏡分析為主,特別是掃描隧道電鏡(SMT),在導(dǎo)體和半導(dǎo)體納米材料分析上具有優(yōu)勢(shì)。

2021-02-25 標(biāo)簽:納米石墨烯SMU 2.6k 0

吉時(shí)利6220型直流電流源和6221型交流和直流電流源的特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)

6220 型直流電流源和 6221 型交流和直流電流源將易用性與極低的電流噪聲相結(jié)合。 在測(cè)試環(huán)境中,從研發(fā)到生產(chǎn),尤其是在半導(dǎo)體、納米技術(shù)和超導(dǎo)體行業(yè)...

2020-12-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體納米電流源 2.6k 0

吉時(shí)利2450型觸摸屏數(shù)字源表的使用優(yōu)勢(shì)和典型應(yīng)用分析

吉時(shí)利2450型觸摸屏數(shù)字源表的使用優(yōu)勢(shì)和典型應(yīng)用分析

2450型觸摸屏數(shù)字源表是吉時(shí)利新一代數(shù)字源表(SMU)儀器,它真正把歐姆定律(電流、電壓和電阻)測(cè)試帶到你的指 尖。其創(chuàng)新的圖表化用戶界面(GUI)和...

2020-10-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體觸摸屏納米 3.3k 0

采用源程序級(jí)和算法級(jí)對(duì)μC/OS-II進(jìn)行源碼級(jí)的功耗優(yōu)化

采用源程序級(jí)和算法級(jí)對(duì)μC/OS-II進(jìn)行源碼級(jí)的功耗優(yōu)化

軟件設(shè)計(jì)中,代碼優(yōu)化是一件非常有意義的事情。優(yōu)化的本質(zhì)是對(duì)代碼進(jìn)行等價(jià)變換,使變換前后的代碼運(yùn)行結(jié)果相同,但變換后的代碼比變換前的代碼具有更多優(yōu)越性能。...

2020-09-09 標(biāo)簽:測(cè)試嵌入式納米 2.6k 0

基于雙頻技術(shù)建模測(cè)量高k電介質(zhì)堆層中頻率的相關(guān)性

基于雙頻技術(shù)建模測(cè)量高k電介質(zhì)堆層中頻率的相關(guān)性

C-V測(cè)量是測(cè)定MOS器件特性的主要方法,它廣泛地應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的研究中。C-V測(cè)量時(shí)常常在SiO2中觀察到有害的頻率離散。用于校正測(cè)量誤差數(shù)據(jù)的一些...

2020-08-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體納米測(cè)量 1.1k 0

基于電極質(zhì)量負(fù)載超靈敏的聲表面波敏感機(jī)制測(cè)試實(shí)驗(yàn)

該研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)了超高頻聲表面波叉指電極的創(chuàng)新微納加工工藝,推導(dǎo)了專用的電子束鄰近效應(yīng)修正公式,結(jié)合先進(jìn)工藝及劑量修正公式,實(shí)現(xiàn)了線寬為35 nm、波長(zhǎng)為...

2020-06-17 標(biāo)簽:電極納米MEMS傳感器 4.7k 0

納米防水材料的用途及在PCB應(yīng)用中的特點(diǎn)分析

納米防水劑從功能上可以理解為納米防水涂層、納米防潮涂層、防鹽霧腐蝕涂層,為電子產(chǎn)品防水提供了更好的解決方案。通過浸泡、噴涂的方式直接將納米涂層應(yīng)用于電子...

2020-02-05 標(biāo)簽:pcb電子元器件納米 4.1k 0

激光切割工藝制作SMT焊膏印刷模板具有哪些特點(diǎn)

目前,模板的制造方法主要有激光切割、化學(xué)蝕刻和電鑄。目前主流的模板制作工藝為激光切割工藝,這主要是質(zhì)量與成本平衡的結(jié)果。隨著精細(xì)間距元器件的廣泛使用,特...

2019-12-09 標(biāo)簽:激光smt納米 4.2k 0

讓智能手機(jī)具有防水性能的方法是什么

防止手機(jī)進(jìn)水一直是用戶的痛點(diǎn),增加防水功能明顯增加手機(jī)的耐用性和壽命,同時(shí)讓用戶擴(kuò)大使用場(chǎng)景,實(shí)現(xiàn)水下拍攝提升可玩性,另外,支持隨意清洗將大大改善手機(jī)潔...

2019-07-04 標(biāo)簽:智能手機(jī)電路板納米 6.6k 0

電子產(chǎn)品納米防水涂層的性能及優(yōu)勢(shì)對(duì)比

采用表面噴霧的形式,使手機(jī)或者平板電腦表面形成一層納米膜,從而從外部阻止水氣的進(jìn)入,達(dá)到防水的效果?。

2019-07-01 標(biāo)簽:pcb手機(jī)納米 1.9萬 0

如何使用納米思維概念打開材料的新世界

我們簡(jiǎn)單地來理解一下納米材料和納米科技的一些基本觀念。首先我們講的納米材料主要指材料的三維尺寸中某一維的尺寸達(dá)到了納米級(jí),在 0.1 到 100 納米之...

2019-06-16 標(biāo)簽:納米柔性屏3D打印 4.7k 0

影響納米復(fù)合鍍層質(zhì)量的因素有哪些

鍍層是指為了好看或儲(chǔ)藏而涂在某些物品上的金屬表面涂上一層塑料,或者一層稀薄的金屬或?yàn)榉略炷撤N貴重金屬,在普通金屬的表面鍍上這種貴重金屬的薄層。復(fù)合鍍層的...

2019-06-03 標(biāo)簽:電鍍納米 3.3k 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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    STM32F103C8T6
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場(chǎng)合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說,光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào),通過光纖傳送后,接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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    Nexperia
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    Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家,這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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    光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的,在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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    STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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    SDK
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    基站測(cè)試
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    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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