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標(biāo)簽 > 納米
納米(nm),又稱毫微米,是長(zhǎng)度的度量單位,國(guó)際單位制符號(hào)為nm。1納米=10^-9米,長(zhǎng)度單位如同厘米、分米和米一樣,是長(zhǎng)度的度量單位。
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Qualcomm Centriq 2400 家族將行業(yè)最先進(jìn)的制程工藝與最高達(dá)48個(gè)ARMv8可兼容定制內(nèi)核相結(jié)合,面向計(jì)算密集型數(shù)據(jù)中心應(yīng)用—
美國(guó)研制液態(tài)金屬防彈盔甲可使士兵瞬間變超人
這種液態(tài)盔甲非常像科幻電影《鋼鐵俠》中的戰(zhàn)斗盔甲,這是一種防彈液態(tài)盔甲可使士兵具有超人力量。一旦研制成功,這種盔甲在磁場(chǎng)或者電流影響下,可以瞬間將液態(tài)形...
服裝科技的未來(lái) 用這些新技術(shù)讓“智能化”穿在身上
2017年即將到來(lái),人們期待真正的智能化服裝到來(lái)。不僅僅是納米技術(shù)改善服裝的屬性,還包括設(shè)備通信帶來(lái)的自由溝通、3D打印帶來(lái)的定制形式等等,一起來(lái)了解一...
過去10多年,電池技術(shù)沒有重大進(jìn)展,原因是鋰離子電池密度受到使用的化學(xué)元素活潑性的限制。這一局限促使業(yè)界試驗(yàn)了許多其他元素,例如鈣,但這些技術(shù)還需要...
這種機(jī)器人比人類發(fā)絲都細(xì),形狀為細(xì)小的管狀,機(jī)器人由三層材料制成:最外層為石墨烯氧化物可以從污染水體中吸附出鉛離子,中間層為鎳,允許外部通過可控磁場(chǎng)來(lái)...
臺(tái)積電法說(shuō)會(huì)本周四(14日)登場(chǎng),揭開半導(dǎo)體族群法說(shuō)會(huì)序幕。半導(dǎo)體設(shè)備廠透露,臺(tái)積電在16納米拉開與三星差距,10納米超車英特爾之后,預(yù)料本次法說(shuō)會(huì)...
DRAM大廠三星預(yù)定明年第1季率先量產(chǎn)1x(18奈米)DRAM,另一大廠SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)也將于明年跟進(jìn),三大DRA...
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的研究人員利用原子力針尖誘導(dǎo)的局域催化還原反應(yīng),實(shí)現(xiàn)了在單層氧化石墨烯上直接繪制納米晶體管器件。相關(guān)研究成果...
2012-11-23 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶體管納米 1.7k 0
國(guó)家重大科學(xué)研究“十二五”規(guī)劃公示
關(guān)于國(guó)家重大科學(xué)研究計(jì)劃、科技基礎(chǔ)性工作專項(xiàng)“十二五”專項(xiàng)規(guī)劃的公示
晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)研發(fā)副總經(jīng)理蔣尚義昨(18)日重申,臺(tái)積電已經(jīng)和計(jì)算機(jī)處理器架構(gòu)平臺(tái)供應(yīng)商安謀(ARM)完成第一個(gè)20納米設(shè)計(jì)案
我國(guó)高度重視納米科學(xué)技術(shù) 實(shí)現(xiàn)跨越發(fā)展
我國(guó)是世界上最早開展納米科技研究的國(guó)家之一,國(guó)家高度重視納米科學(xué)技術(shù)的發(fā)展。
2011-10-31 標(biāo)簽:納米 1.2k 1
Intel在微處理器晶體管設(shè)計(jì)上取得重大突破,沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實(shí)現(xiàn)3D架構(gòu),一款名為Tri-Gate的晶體管技術(shù)得到實(shí)現(xiàn)。 3D Tri-G...
豐田通商將從2011年11月起試銷售采用納米級(jí)微細(xì)光學(xué)材料的窗用保溫隔熱薄膜。該產(chǎn)品由光學(xué)材料制造銷售風(fēng)險(xiǎn)公司GRANDEX(岐阜縣關(guān)市)和從事功能性薄...
GlobalFoundries(格羅方德半導(dǎo)體)在20 奈米 制程上有了重大進(jìn)展。透過利用EDA大廠包括CadenceDesignSystems、Mag...
中微發(fā)布面向22納米及以下芯片生產(chǎn)的第二代離子刻蝕設(shè)備
中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中微”)于本周SEMICON West期間發(fā)布面向22納米及以下芯片生產(chǎn)的第二代300毫米甚高頻去耦合反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備...
2011-07-13 標(biāo)簽:納米中微半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備 1.5k 0
美國(guó)能源部下屬的勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的科學(xué)家演示了首個(gè)真正的納米尺度的波導(dǎo),這種名為“混合等離激元”的準(zhǔn)粒子可廣泛應(yīng)用于新一代的光子集成電路和光子計(jì)算機(jī)中
太陽(yáng)能電池要更有效,而且生產(chǎn)成本更低:歐盟項(xiàng)目N2P(納米到產(chǎn)品)的研究人員開發(fā)出納米調(diào)整的表面,可滿足這兩個(gè)方面
2011-05-25 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池納米 946
展訊發(fā)布首款TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片
展訊發(fā)布全球首款40納米低功耗商用TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片
用碳納米管研制高效太陽(yáng)能電池的方法 美國(guó)康奈爾大學(xué)(Cornell University)研究人員制作出高效太陽(yáng)能電池的基本元素,很有希望以更有效的方...
納米激光器的技術(shù)簡(jiǎn)介 1960年人類制作出了第一臺(tái)激光器。 40多年過去了,激光器無(wú)論在其種類上或其性能上都呈現(xiàn)出繽紛異彩的發(fā)展。自第一
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