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標(biāo)簽 > 肖特基二極管
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。
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具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究
GaN因其特性,作為高性能功率半導(dǎo)體 材料而備受關(guān)注,近年來(lái)其開發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入不斷加速。
國(guó)芯思辰|基本半導(dǎo)體650V SiC肖特基二極管B1D10065F(替代IDK10G65C5)助力車載充電機(jī)PFC升壓
車載充電機(jī)可實(shí)現(xiàn)交流輸入(85VAC~265VAC)/直流輸出(200VDC-750VDC)輸出的功能,其電路的核心架構(gòu)通常由整流、PFC升壓、LLC逆...
成果一 基于Crosslight公司先進(jìn)的半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)平臺(tái),技術(shù)團(tuán)隊(duì)深入探索了實(shí)現(xiàn)GaN VCSEL橫向電流限制的根本原因。研究發(fā)現(xiàn),橫向電流限制不是...
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二極管和雙二極管模塊
近日,半導(dǎo)體器件領(lǐng)域企業(yè)SemiQ宣布,其QSiC?產(chǎn)品系列中新增了1700VSiC(碳化硅)肖特基分立二極管和雙二極管模塊。這一創(chuàng)新舉措旨在滿足包括開...
美高森美推出碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200V肖特基二極管
美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V肖特基二極管系列
在現(xiàn)代電子電路中,肖特基二極管憑借其獨(dú)特的物理特性,成為高頻、低壓場(chǎng)景的核心器件。這類二極管核心結(jié)構(gòu)為金屬 - 半導(dǎo)體結(jié)(肖特基結(jié)),以“快、省、穩(wěn)”三...
如何開發(fā)出有效的邊緣終端結(jié)構(gòu),緩解肖特基電極邊緣電場(chǎng)是目前氧化鎵肖特基二極管研究的熱點(diǎn)。由于氧化鎵P型摻雜目前尚未解決,PN結(jié)相關(guān)的邊緣終端結(jié)構(gòu)一直是難點(diǎn)。
Microsemi新型SiC肖特基二極管提升功率轉(zhuǎn)換效率
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):M...
MBR40150CT肖特基二極管規(guī)格參數(shù)詳情
肖特基二極管(Schottky diode), 肖特基二極管的物理結(jié)構(gòu)基于金屬- N 型半導(dǎo)體結(jié),因而具有很低的正向壓降和極快的開關(guān)速度。
肖特基二極管購(gòu)買應(yīng)找哪樣的供應(yīng)商?如何辨別
隨著電子產(chǎn)品的應(yīng)用不斷的普及,肖特基二極管也出現(xiàn)在人們的視野當(dāng)中。可以說(shuō)人們周圍被各種各樣的肖特基二極管產(chǎn)品包圍著。肖特基二極管也為我們的生活提供了非常...
2022-06-07 標(biāo)簽:肖特基二極管 1.4k 0
MBR1045CT直插特基二極管 10A電流45V耐壓 規(guī)格參數(shù)介紹
產(chǎn)品型號(hào):MBR1045CT 產(chǎn)品封裝:TO-220AB 峰值重復(fù)反向電壓VRRM: 45V 最大平均整流電流I(AV) : 10A ...
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