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標(biāo)簽 > 英飛凌
英飛凌作為半導(dǎo)體與系統(tǒng)解決方案行業(yè)領(lǐng)先者,提供微處理器,LED驅(qū)動(dòng),傳感器以及汽車用集成電路與功率管理芯片等產(chǎn)品。
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| 型號(hào) | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 參考價(jià)格 |
|---|---|---|---|
| BSS316N H6327 | MOSFET N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3 |
獲取價(jià)格
|
|
| BSC130P03LS G |
獲取價(jià)格
|
||
| BSZ340N08NS3 G |
獲取價(jià)格
|
||
| BSZ42DN25NS3 G | N溝道,250V,5A,425mΩ@10V |
獲取價(jià)格
|
|
| IPD180N10N3 G |
獲取價(jià)格
|
||
| BSS225 H6327 | MOSFET N-Ch 600V 90mA SOT-89-3 |
獲取價(jià)格
|
|
| BAR 50-02V H6327 | PIN Diodes RF DIODE |
獲取價(jià)格
|
|
| TCA505BG GEG |
獲取價(jià)格
|
||
| BSC054N04NS G | MOSFET N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3 |
獲取價(jià)格
|
|
| IPD220N06L3 G | MOSFET N-Ch 60V 30A DPAK-2 OptiMOS 3 |
獲取價(jià)格
|
|
| ESD112-B1-02EL E6327 | Bi-Directional Ultra-low Capacitance ESD / Transient Protection Diode |
獲取價(jià)格
|
|
| IFX25001TF V50 | LDO Voltage Regulators Low Dropout Voltage Regulator |
獲取價(jià)格
|
|
| BFN 27 E6327 |
獲取價(jià)格
|
||
| IPD640N06L G | MOSFET N-Ch 60V 18A DPAK-2 |
獲取價(jià)格
|
|
| BAT 63-02V H6327 | Diodes - General Purpose, Power, Switching RF DIODE |
獲取價(jià)格
|
|
| BSP129 H6327 | MOSFET N-Ch 240V 350mA SOT-223-3 |
獲取價(jià)格
|
|
| BB 833 E6327 |
獲取價(jià)格
|
||
| BAT 60A E6327 | Schottky Diodes & Rectifiers 10 V 3000 mA |
獲取價(jià)格
|
|
| BSZ123N08NS3 G | Trans MOSFET N-CH 80V 10A Automotive 8-Pin TSDSON EP |
獲取價(jià)格
|
|
| IPB035N08N3 G |
獲取價(jià)格
|
||
| BSZ240N12NS3 G | 連續(xù)漏極電流(Id):37A |
獲取價(jià)格
|
|
| TLE4266GS V10 |
獲取價(jià)格
|
||
| TLE4296-2G V50 |
獲取價(jià)格
|
||
| BSC025N03MS G |
獲取價(jià)格
|
||
| BAT 68-04W H6327 |
獲取價(jià)格
|
||
| BSR92P L6327 |
獲取價(jià)格
|
||
| IPB107N20N3 G | MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
獲取價(jià)格
|
|
| BSC059N04LS G |
獲取價(jià)格
|
||
| BFP 740ESD H6327 | 集射極擊穿電壓(Vceo):4.2V |
獲取價(jià)格
|
|
| BAR 15-1 E6327 | PIN Diodes PIN 100 V 140 mA |
獲取價(jià)格
|
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