關(guān)于濕法蝕刻工藝對銅及其合金蝕刻劑的評述

濕法蝕刻工藝已經(jīng)廣泛用于生產(chǎn)各種應(yīng)用的微元件。這些過程簡單易操作。選擇合適的化學(xué)溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度...

2022-01-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 3.4k 0

關(guān)于ZnO 的濕化學(xué)表面紋理化的研究報告

摘要 透明導(dǎo)電氧化物(TCOs)作為薄膜硅(Si)太陽能電池的前電極起著重要作用，因為它們可以提供光學(xué)散射，從而改善器件內(nèi)部的光子吸收。本文報道了摻雜鋁...

2022-01-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 656 0

KOH溶液中使用濕法蝕刻制備具有ZnO納米管的倒置有機太陽能

摘要 我們江蘇華林科納講述了倒置有機太陽能電池(IOSCs)的光伏(PV)性能。氧化鋅薄膜采用簡單的水溶液路線沉積在ITO/玻璃溶液上。氧化鋅薄膜通過濕...

2022-01-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 710 0

關(guān)于氮化鋁單晶的濕法化學(xué)蝕刻的研究報告

引言 氮化鎵因其獨特的性質(zhì)和在光電和微電子器件中的潛在應(yīng)用而引起了廣泛的興趣。然而，GaN異質(zhì)外延層中高達(dá)108 cm-2的位錯密度縮短了GaN基器件的...

2022-01-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1.4k 0

關(guān)于KOH溶液中氮化鋁的濕化學(xué)蝕刻的研究報告

引言 我們?nèi)A林科納研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不...

2022-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 815 0

關(guān)于氮化鎵的晶體學(xué)濕式化學(xué)蝕刻的研究

光增強電化學(xué)（PEC）濕蝕刻也被證明用于氮化鎵。PEC蝕刻具有設(shè)備成本相對較低、表面損傷較低的優(yōu)點，但尚未找到一種生產(chǎn)光滑的垂直側(cè)壁的方法。氮化鎵的裂切...

2022-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 2.2k 0

對于不同KOH和異丙醇濃度溶液中Si面蝕刻各向的研究

引言 氫氧化鉀溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和減少三維硅結(jié)構(gòu)的凸角底切。異丙醇降低了氫氧化鉀溶液的表面張力，改變了硅的蝕刻各向異性，顯著降低了(...

2022-01-13 標(biāo)簽：蝕刻晶片 2.8k 0

各種濕化學(xué)處理方法及其對表面特性的影響

引言 III-V半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于氣體檢測系統(tǒng)、光電探測器、光遺傳學(xué)、生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用、高電子遷移率和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管、諧振隧穿二極管和自旋電子器件太陽能電池...

2022-01-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1.2k 0

鋁蝕刻劑控制研究—華林科納半導(dǎo)體

摘要 本文對本克斯使用的鋁蝕刻劑進(jìn)行調(diào)查，以長期提高蝕刻部件的質(zhì)量。非常薄的鋁箔圖案在磷酸、氯化鐵和水銹溶液中精確蝕刻的鋁箔圖案符合尺寸和一致性標(biāo)準(zhǔn)。蝕...

2022-01-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1.3k 0

基于 KOH 的 AIN 和 GaN 體的選擇性濕化學(xué)蝕刻

我們?nèi)A林科納開發(fā)了一種可控、平滑的氫氧化鉀基濕法刻蝕技術(shù)，AlN和AlxGa1xN之間的高選擇性被發(fā)現(xiàn)對于基于AlGaN的深紫外發(fā)光二極管實現(xiàn)有效的襯底...

2022-01-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1.7k 0

控制堿性蝕刻液的表面張力

引言 氫氧化鉀(KOH)和添加劑2-丙醇(異丙醇，IPA)通常用于單晶硅片的堿性織構(gòu)化，以減少其反射。氫氧化鉀和異丙醇在水中的蝕刻混合物需要明確定義氫氧...

2022-01-04 標(biāo)簽：蝕刻晶片表面張力 1.6k 0

化學(xué)添加劑對KOH 溶液中Si表面反應(yīng)性的影響

介紹 于大多數(shù)半導(dǎo)體而言，陽極氧化需要價帶空穴。因此，人們期望該反應(yīng)發(fā)生在黑暗中的p型半導(dǎo)體和僅在(超)帶隙光照射下的n型半導(dǎo)體。 氫氧化鉀溶液中硅的化...

2021-12-31 標(biāo)簽：蝕刻測量 946 0

Cu雜質(zhì)對Si(110)濕法蝕刻的影響—蘇州華林科納半導(dǎo)體

引言 我們在蝕刻的硅(110)表面上實驗觀察到的梯形小丘的形成，描述它們的一般幾何形狀并分析關(guān)鍵表面位置的相對穩(wěn)定性和（或）反應(yīng)性。在我們的模型中，小丘...

2021-12-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 724 0

在HF溶液中蝕刻期間GaAs上的砷形成

引言 到目前為止，GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的殘留物的限制，這些殘留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此，用顯微技術(shù)、輪廓術(shù)和x光電子能譜...

2021-12-28 標(biāo)簽：蝕刻晶片光刻膠 1.4k 0

低濃度KOH中的各向異性蝕刻

引言 在使用濕化學(xué)硅體微機械加工制造微機電系統(tǒng)時，使用堿性溶液，如氫氧化鉀、氫氧化四甲銨和氫氧化銨。除了微機械加工之外，堿性溶液還用于單晶硅的表面紋理化...

2021-12-28 標(biāo)簽：蝕刻單晶硅 2.2k 0

用磷酸揭示氮化硅對二氧化硅的選擇性蝕刻機理

關(guān)鍵詞:氮化硅，二氧化硅，磷酸，選擇性蝕刻，密度泛函理論，焦磷酸 介紹 信息技術(shù)給我們的現(xiàn)代社會帶來了巨大的轉(zhuǎn)變。為了提高信息技術(shù)器件的存儲密度，我們?nèi)A...

2021-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻氮化硅 8.7k 0

KOH和HCl處理后氧化銦錫表面的表征

引言 通過使用透明導(dǎo)電材料，有機發(fā)光二極管產(chǎn)生的光的提取已經(jīng)成為可能，該透明導(dǎo)電材料應(yīng)該具有明確定義的電子和光學(xué)特性。銦錫氧化物滿足了所有要求，它已迅速...

2021-12-24 標(biāo)簽：薄膜電子器件蝕刻 1.8k 0

晶圓濕式用于硅蝕刻浴晶圓蝕刻

引言 了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。...

2021-12-23 標(biāo)簽：晶圓蝕刻 1.1k 0