適用于清潔蝕刻后殘留物的定制化學(xué)成分（1）

引言 介紹了一種蝕刻后殘留物清洗配方，該配方基于平衡氫氟酸的腐蝕性及其眾所周知的殘留物去除特性。在最初由基于高k電介質(zhì)的殘留物提供的清潔挑戰(zhàn)所激發(fā)的一系...

2022-06-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 2.1k 0

一種穿過襯底的通孔蝕刻工藝

通過使用多級等離子體蝕刻實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)、用于蝕刻后光致抗蝕劑去除的替代方法，以及開發(fā)自動蝕刻后遮蓋物去除順序；一種可再現(xiàn)的基板通孔處理方法被集成到大批量GaA...

2022-06-23 標(biāo)簽：工藝蝕刻襯底 1k 0

通過光刻和蝕刻工藝順序提高整個晶圓的關(guān)鍵尺寸均勻性（1）

摘要 跨晶圓柵極臨界尺寸(CD)的一致性會影響芯片與芯片之間在速度和功耗方面的性能差異。隨著線寬減小到90 nm及以下，跨晶片CD均勻性的性能規(guī)格變得越...

2022-06-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 3.8k 0

HF蝕刻堿性化學(xué)清洗工藝對硅表面的影響

引言 為了在半導(dǎo)體工藝中獲得均勻的電氣特性、高可靠性和高倍率，保持硅酮基板清潔度的技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件的高密度化，其重要性日益增加。一般來說，半導(dǎo)體工藝中...

2022-06-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 3.7k 0

濕法蝕刻與干法蝕刻有什么不同

在半導(dǎo)體芯片的物理和故障分析過程中(即驗(yàn)證實(shí)際沉積的層，與導(dǎo)致電路故障的原因)，為了評估復(fù)雜的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，擁有適當(dāng)?shù)奶幚砉ぞ咧陵P(guān)重要。為制造的每件產(chǎn)品開...

2022-06-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS蝕刻 7.7k 0

銅在去離子水中的蝕刻研究

引言 我們?nèi)A林科納描述了一種與去離子水中銅的蝕刻相關(guān)的新的成品率損失機(jī)制。在預(yù)金屬化濕法清洗過程中，含有高濃度溶解氧的水會蝕刻通孔底部的銅。蝕刻在金屬化...

2022-06-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 3.7k 0

使用清洗溶液實(shí)現(xiàn)蝕刻后殘留物的完全去除

我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體開發(fā)了一種新的濕法清洗配方方法，其錫蝕刻速率在室溫下超過30/min，在50°c下超過100/min。該化學(xué)品與銅和低k材料兼容，適用...

2022-06-14 標(biāo)簽：蝕刻清洗單晶片 4.1k 0

金屬蝕刻殘留物對蝕刻均勻性的影響

引言 我們?nèi)A林科納討論了一種高速率各向異性蝕刻工藝，適用于等離子體一次蝕刻一個晶片。結(jié)果表明，蝕刻速率主要取決于Cl濃度，而與用于驅(qū)動放電的rf功率無關(guān)...

2022-06-13 標(biāo)簽：蝕刻材料科學(xué) 2k 0

選擇性高通量TiN蝕刻方法的研究

本研究的目的是我們?nèi)A林科納開發(fā)足夠快的氮化鈦蝕刻配方，可用于單晶片工具(SWT)，但對電介質(zhì)和金屬具有高選擇性。大多數(shù)蝕刻實(shí)驗(yàn)是在分子間Tempus F...

2022-05-30 標(biāo)簽：蝕刻生物技術(shù) 2.2k 0

混合酸溶液和熔融KOH中蝕刻的GaN薄膜

本文介紹了我們?nèi)A林科納采用混合酸溶液(H3PO4 : H2SO4 = 1 : 3)和熔融KOH作為濕法腐蝕介質(zhì)，鹽酸作為陽極腐蝕介質(zhì)，用掃描電鏡和透射電...

2022-05-27 標(biāo)簽：薄膜蝕刻GaN 1.2k 0

晶圓尺寸從300毫米過渡到450毫米的技術(shù)挑戰(zhàn)

隨著技術(shù)復(fù)雜性在亞20nm節(jié)點(diǎn)上的加速，半導(dǎo)體制造成本已經(jīng)快速增加，晶圓尺寸從300毫米過渡到450毫米將是解決這一問題的方法之一，平均而言，采用300...

2022-05-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 2k 0

鍺基襯底抗蝕劑剝離工藝研究

具有高k柵極電介質(zhì)的鍺和絕緣體上鍺(GeOI)MOSFET由于鍺比硅具有更好的載流子傳輸特性，最近受到了先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的關(guān)注。對于Ge或GeOI CMOS...

2022-05-25 標(biāo)簽：工藝蝕刻襯底 1.1k 0

電化學(xué)陽極氧化納米晶多孔硅層的合成和表征研究

多孔硅由于其在可見光范圍內(nèi)的室溫光致發(fā)光而引起了極大的關(guān)注。然而，關(guān)于多孔硅表面的光致發(fā)光有兩種不同的假說。第一個包括量子限制效應(yīng)，這是由于分隔孔壁的窄...

2022-05-25 標(biāo)簽：電化學(xué)蝕刻多孔硅 1.1k 0

精確確定晶片結(jié)晶方向的不同技術(shù)方法

在濕法體微機(jī)械加工中，蝕刻特性取決于取向。Si{100}和Si{110}晶片上任何幾何形狀的掩模開口的延長蝕刻導(dǎo)致由最慢蝕刻平面限定的結(jié)構(gòu)。為了制造高尺...

2022-05-24 標(biāo)簽：蝕刻晶片微機(jī)械 1.3k 0

超深熔融石英玻璃蝕刻研究

摘要 微流體和光學(xué)傳感平臺通常由玻璃和熔融石英(石英)制成，因?yàn)樗鼈兙哂泄鈱W(xué)透明性和化學(xué)惰性。氫氟酸(HF)溶液是用于深度蝕刻二氧化硅襯底的選擇的蝕刻介...

2022-05-23 標(biāo)簽：蝕刻玻璃 2.5k 0

在超臨界二氧化碳中蝕刻氧化硅薄膜

介紹 硅或二氧化硅已被用作犧牲層來制造獨(dú)立式結(jié)構(gòu)，例如微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)中的梁、懸臂和隔膜。傳統(tǒng)的含水HF已經(jīng)廣泛用于蝕刻二氧化硅犧牲層，因?yàn)樗杀?..

2022-05-23 標(biāo)簽：蝕刻二氧化碳 2k 0

M111N蝕刻速率，在堿性溶液中蝕刻硅

本文講述了我們?nèi)A林科納研究了M111N蝕刻速率最小值的高度，以及決定它的蝕刻機(jī)制，在涉及掩模的情況下，M111N最小值的高度可以受到硅/掩模結(jié)處的成核的...

2022-05-20 標(biāo)簽：蝕刻有機(jī)物 2k 0

納米掩膜蝕刻的詳細(xì)說明

在本文中，使用電感耦合等離子體(ICP)蝕刻方法進(jìn)行了陣列制作鐵氧化物納米點(diǎn)的生物納米過程，ICP法是一種很有前途的方法，用于半導(dǎo)體圖案化的干蝕刻方法，...

2022-05-19 標(biāo)簽：納米蝕刻 2.9k 0