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標(biāo)簽 > 鍵合
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打線鍵合就是將芯片上的電信號(hào)從芯片內(nèi)部“引出來(lái)”的關(guān)鍵步驟。我們要用極細(xì)的金屬線(多為金線、鋁線或銅線)將芯片的焊盤(bond pad)和支架(如引線框...
金屬共晶鍵合是利用金屬間的化學(xué)反應(yīng),在較低溫度下通過(guò)低溫相變而實(shí)現(xiàn)的鍵合,鍵合后的金屬化合物熔點(diǎn)高于鍵合溫度。該定義更側(cè)重于從材料科學(xué)的角度定義。
鍵合技術(shù)是通過(guò)溫度、壓力等外部條件調(diào)控材料表面分子間作用力或化學(xué)鍵,實(shí)現(xiàn)不同材料(如硅-硅、硅-玻璃)原子級(jí)結(jié)合的核心工藝,起源于MEMS領(lǐng)域并隨SOI...
在先進(jìn)封裝中, Hybrid bonding( 混合鍵合)不僅可以增加I/O密度,提高信號(hào)完整性,還可以實(shí)現(xiàn)低功耗、高帶寬的異構(gòu)集成。它是主要3D封裝平...
三維集成電路工藝技術(shù)因特征尺寸縮小與系統(tǒng)復(fù)雜度提升而發(fā)展,其核心目標(biāo)在于通過(guò)垂直堆疊芯片突破二維物理極限,同時(shí)滿足高密度、高性能、高可靠性及低成本的綜合需求。
可以達(dá)到或超過(guò)金線鍵合性能和焊接效率的銅線
金價(jià)不斷上漲增加了半導(dǎo)體制造業(yè)的成本壓力,因此業(yè)界一直在改善銅線的性能上努力,希望最終能夠用成本更低但鍵合性能相當(dāng)甚至更好的銅線來(lái)代替金線鍵合。
基于正交試驗(yàn)方法對(duì)鍵合金絲質(zhì)量影響研究
金絲鍵合技術(shù)是微電子領(lǐng)域的封裝技術(shù),一般采用金線,利用熱、壓、超聲共同作用,完成微電子器件中電路內(nèi)部連接,即芯片和電路或者引線框架之間的互連。本文在深入...
本實(shí)驗(yàn)通過(guò)這兩種清洗方法進(jìn)行標(biāo)識(shí)分為四個(gè)實(shí)驗(yàn)組,進(jìn)行了清洗實(shí)驗(yàn)及室溫接合, 以上工藝除熱處理工藝外,通過(guò)最小化工序內(nèi)部時(shí)間間隔,抑制清洗的基板表面暴露在...
回顧過(guò)去五六十年,先進(jìn)邏輯芯片性能基本按照摩爾定律來(lái)提升。提升的主要?jiǎng)恿?lái)自三極管數(shù)量的增加來(lái)實(shí)現(xiàn),而單個(gè)三極管性能的提高對(duì)維護(hù)摩爾定律只是起到輔佐的作...
芯片內(nèi)互聯(lián)鍵合與超聲波壓焊技術(shù)解析
裝片工序完成后,芯片雖已穩(wěn)固于載體(基板或框架)之上,但其表面預(yù)設(shè)的焊盤尚未與封裝體構(gòu)建電氣連接,因而需通過(guò)內(nèi)互聯(lián)工藝實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。
硅片鍵合作為微機(jī)械加工領(lǐng)域的核心技術(shù),其工藝分類與應(yīng)用場(chǎng)景的精準(zhǔn)解析對(duì)行業(yè)實(shí)踐具有重要指導(dǎo)意義。
使用鍵合線對(duì)以太網(wǎng)電纜能確保惡劣環(huán)境下的連接性
作者:Stephen Evanczuk 投稿人:DigiKey 北美編輯 隨著向工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) (IIoT) 的遷移,采用大量傳感器和執(zhí)行器的工業(yè)環(huán)境對(duì)提高...
功率模塊銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)
歡迎了解 胡彪成蘭仙李振鈴戴小平 (華南農(nóng)業(yè)大學(xué)湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技有限公司湖南省功率半導(dǎo)體創(chuàng)新中心) 摘要: 為了提高功率模塊銅線鍵合性能,采用6因素5...
2024-01-02 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)功率模塊鍵合 1.3k 0
陽(yáng)極鍵合工藝的基本原理和關(guān)鍵參數(shù)
直接鍵合方式具備較高的對(duì)準(zhǔn)精度與穩(wěn)固的鍵合強(qiáng)度,能滿足高端器件的封裝需求,但該技術(shù)對(duì)晶圓表面的平整度、潔凈度及化學(xué)成分均勻性要求極為嚴(yán)苛,不僅需控制表面...
鍵合引線超過(guò)半年就必須丟棄嗎?本文深度解析ASTM針對(duì)金絲與鋁絲長(zhǎng)達(dá)兩年的老化研究,揭示退火態(tài)引線在恒溫存儲(chǔ)下的“硬核”穩(wěn)定性。從細(xì)線延伸率波動(dòng)到粗鋁絲...
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