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      標(biāo)簽　>　長(zhǎng)晶科技

      長(zhǎng)晶科技

      長(zhǎng)晶科技

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      江蘇長(zhǎng)晶科技股份有限公司是一家以自主研發(fā)、銷售服務(wù)為主體的半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售公司，公司成立于2018年11月，總部坐落于江蘇南京江北新區(qū)研創(chuàng)園，在深圳、上海、北京、香港等地設(shè)立子公司、分公司及辦事處。

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      長(zhǎng)晶科技技術(shù)

      長(zhǎng)晶科技達(dá)林頓陣列產(chǎn)品系列特性與應(yīng)用解析

      長(zhǎng)晶科技達(dá)林頓陣列產(chǎn)品系列特性與應(yīng)用解析

      達(dá)林頓陣列是一種常用的功率驅(qū)動(dòng)器件，它內(nèi)部集成了多組達(dá)林頓晶體管。這種結(jié)構(gòu)可以用較小的輸入電流，來(lái)驅(qū)動(dòng)較大的負(fù)載電流。長(zhǎng)晶科技在該領(lǐng)域擁有多個(gè)型號(hào)，可以...

      2026-03-20 標(biāo)簽：晶體管達(dá)林頓長(zhǎng)晶科技 28 0

      長(zhǎng)晶科技FST G3.0 1200V IGBT半橋模塊產(chǎn)品介紹

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      隨著全球能源轉(zhuǎn)型的加速，光伏發(fā)電與儲(chǔ)能系統(tǒng)已成為構(gòu)建新型電力系統(tǒng)的關(guān)鍵。作為電力電子系統(tǒng)的 “核心心臟” 與 “智能開(kāi)關(guān)”，功率IGBT模塊的性能直接決...

      2026-01-14 標(biāo)簽：光伏IGBT長(zhǎng)晶科技 3.5k 0

      長(zhǎng)晶科技IGBT模塊在x-NPC拓?fù)渲械母咝?yīng)用

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      隨著電力電子技術(shù)在中高壓變頻、新能源發(fā)電及工業(yè)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)因其在效率、諧波和電壓應(yīng)力方面的優(yōu)勢(shì)而備受關(guān)注。其中，x-NPC（Ne...

      2026-01-08 標(biāo)簽：電平IGBT長(zhǎng)晶科技 2.8k 0

      長(zhǎng)晶科技AD-BCV/MJD/MMBTA/ULN2003車規(guī)級(jí)達(dá)林頓管解析

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      隨著汽車“三化”進(jìn)程加速，長(zhǎng)晶科技已推出超過(guò)3500款通過(guò)AEC-Q認(rèn)證的車規(guī)級(jí)產(chǎn)品，為車載應(yīng)用提供了可靠的基礎(chǔ)元件。作為半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的專精特新“...

      2025-12-20 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)達(dá)林頓管長(zhǎng)晶科技 323 0

      長(zhǎng)晶科技緩沖器產(chǎn)品型號(hào)替代TI與安世方案介紹

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      隨著國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，越來(lái)越多的企業(yè)開(kāi)始關(guān)注國(guó)產(chǎn)替代方案，以降低供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)、提升成本控制能力。長(zhǎng)晶科技（CJ）作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的模擬與邏輯器件制造商...

      2025-11-07 標(biāo)簽：緩沖器長(zhǎng)晶科技 1k 0

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        　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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