QLC閃存就要來(lái)了！何為QLC？

QLC即Quad-Level Cell架構(gòu)，每個(gè)閃存單元內(nèi)可儲(chǔ)存4個(gè)比特?cái)?shù)據(jù)，相比TLC閃存的存儲(chǔ)密度提升33%。為了表達(dá)4比特?cái)?shù)據(jù)，一個(gè)QLC閃存單元...

2019-04-09 標(biāo)簽：閃存qlc閃存 6.5k 0

驍龍865 CPU性能對(duì)比 搭載UFS3.0+閃存補(bǔ)刀

如果不出意外，本月我們將看到很多武裝驍龍865移動(dòng)平臺(tái)的年度Android旗艦，比如三星Galaxy S11系列、小米10系列、OPPO Find X2...

2020-08-27 標(biāo)簽：閃存cpuufs3.0 6.3k 0

基于Spansion HyperBus的HyperRAM產(chǎn)品介紹

基于Spansion HyperBus的HyperRAM產(chǎn)品可以極大地改善性能，同時(shí)減少引腳數(shù)量。芯片組廠商通過(guò)將HyperFlash?和HyperRA...

2018-06-25 標(biāo)簽：閃存嵌入式ram 6.3k 0

關(guān)于Nor Flash的各種挑戰(zhàn)

根據(jù)Nor Flash的原理，它是使用CHE來(lái)編碼，然后使用FN Tunning 來(lái)擦除，而電荷注入機(jī)制對(duì)這兩個(gè)因素的印象很大。

2018-10-06 標(biāo)簽：閃存NOR微納電子 6.1k 0

MCU固件升級(jí)的閃存劃分方法分享

現(xiàn)在在MCU上實(shí)現(xiàn)固件升級(jí)（OTA）功能變得越來(lái)越普遍，今天我們就來(lái)探討一下MCU固件升級(jí)（OTA）的幾種閃存（Flash）劃分方式。

2020-11-10 標(biāo)簽：mcu閃存固件升級(jí) 6.1k 0

固態(tài)硬盤的耐用性受多方面的影響，如何能讓它更加長(zhǎng)壽？

采用BiCS閃存的東芝固態(tài)硬盤在閃存耐用性上獲得了極佳的保障。內(nèi)置SSD溫度傳感器配合主控保護(hù)算法，能夠避免高溫給固態(tài)硬盤帶來(lái)?yè)p害。對(duì)于固態(tài)硬盤而言，唯...

2019-03-14 標(biāo)簽：東芝閃存固態(tài)硬盤 6k 0

超分辨光刻裝備落地，可實(shí)現(xiàn)10nm以下的芯片生產(chǎn)

國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體芯片對(duì)進(jìn)口依賴非常高，特別是高端的內(nèi)存、閃存、處理器等芯片，國(guó)內(nèi)的技術(shù)落后，還不能完全國(guó)產(chǎn)替代。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體在制造領(lǐng)域是落后最多的，很多人都知...

2018-12-04 標(biāo)簽：處理器半導(dǎo)體閃存 6k 0

三星960系列M.2 SSD評(píng)測(cè)：最高速度3500MB/s！

說(shuō)到性能最強(qiáng)的M.2 SSD，那非三星的960 PRO莫屬，在目前絕大多數(shù)M.2 SSD的最高速度只有2600MB/s的時(shí)候，這款產(chǎn)品的最高速度竟達(dá)到了...

2017-02-10 標(biāo)簽：閃存三星電子ssd 6k 0

XC800單片機(jī)系列：8位閃存微處理器的特點(diǎn)介紹

本視頻為大家介紹了高性價(jià)比高集成的XC800單片機(jī)系列。

2018-07-11 標(biāo)簽：英飛凌單片機(jī)閃存 6k 0

漫談QLC其一：QLC定義及應(yīng)用

漫談QLC其一：QLC定義及應(yīng)用

2023-11-23 標(biāo)簽：閃存NANDqlc 5.5k 0

六個(gè)延長(zhǎng)全閃存存儲(chǔ)介質(zhì)壽命的技巧

如何能夠讓用戶放心使用全閃陣列，保障在5年內(nèi)存儲(chǔ)系統(tǒng)不會(huì)因?yàn)镾SD壽命耗盡而出現(xiàn)問(wèn)題，是全閃陣列廠商面臨的挑戰(zhàn)。

2018-07-18 標(biāo)簽：閃存SSDHDD 5.3k 0