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標(biāo)簽 > 高速開關(guān)
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芯導(dǎo)科技超低容值肖特基二極管助力應(yīng)對高端射頻設(shè)計挑戰(zhàn)
隨著衛(wèi)星通信、先進(jìn)雷達(dá)及高頻測量設(shè)備向更高性能、更小體積持續(xù)演進(jìn),其核心射頻電路對基礎(chǔ)元器件的性能要求日益嚴(yán)苛。
2025-12-29 標(biāo)簽:肖特基二極管高速開關(guān)芯導(dǎo)科技 600 0
GT4321是一款為多路復(fù)用USB 2.0與負(fù)極性音頻模擬信號而設(shè)計的雙刀雙擲(Double-Pole Double-Throw, DPDT)模擬開關(guān)。
2025-07-21 標(biāo)簽:usb模擬開關(guān)高速開關(guān) 2.9k 0
晶揚(yáng)電子1N4148WS高速開關(guān)二極管介紹
二極管是一種具有兩個電極的元件,作為半導(dǎo)分立器件中結(jié)構(gòu)最為簡單的一類,它憑借獨(dú)特的單向?qū)щ娞匦裕陔娮邮澜缰邪缪葜鵁o可替代的角色。就像電路世界里的“單向...
2025-07-08 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體高速開關(guān) 1.5k 0
光通信是一種利用光波作為載波來傳輸信息的通信方式。它主要通過在光纖中傳輸光信號實(shí)現(xiàn),是當(dāng)今信息社會高速通信網(wǎng)絡(luò)的基石。隨著AI世界的到來,數(shù)據(jù)通信的距離...
2025-06-10 標(biāo)簽:高速開關(guān)超低漏電帝奧微電子 1.4k 0
森國科近期推出的650V/60A IGBT(型號:KG060N065LD-R),憑借其業(yè)界領(lǐng)先的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)性能,在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。
2024-10-17 標(biāo)簽:IGBT高速開關(guān)森國科 1k 0
新品 | 用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET
新品用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增強(qiáng)型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半橋模塊,...
2023-07-31 標(biāo)簽:MOSFET高速開關(guān) 1.9k 0
超級結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比,導(dǎo)通電阻和柵極電荷(Qg)顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲等特征...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET高速開關(guān)Rohm 1.8k 0
IGBT是一個受門極電壓控制開關(guān)的器件,只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關(guān),在實(shí)際使用中會產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化d...
2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT高速開關(guān)器件 4.8k 0
SL54122漏電高速開關(guān)電路的應(yīng)用電路圖
SL54122是一塊用于各種低壓電器開關(guān)的集成電路,它對電器設(shè)備,人體觸電,電器電路漏電,三相馬達(dá)斷相等起著有效的保護(hù)作用,廣泛用于各種
2010-10-22 標(biāo)簽:高速開關(guān) 2k 0
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